公开(公告)号：CN112593026A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202011336190.6

申请日：2020-11-24

Applicant: 重庆大学

Inventor： 扈玫珑 ,  马通祥 ,  简廷芳 ,  吕学伟 ,  罗翔宇 ,  赵朗

IPC: C21B3/06 ,  C21B13/00 ,  C01B32/921 ,  C01B21/076 ,  C01B32/40 ,  C04B7/147

Abstract: 本发明公开了一种高温熔体中高熔点物相聚集及分离的方法，包括如下步骤：将含有待提取高熔点物相的炉渣与碳混合后研磨均匀；将配制的混合物料装入坩埚中，在通入惰性气体的情况下加热并保温，进行碳热还原；碳热还原过程中，向坩埚中加入密度相对更大的固态金属物，使固态金属物能够沉入坩埚的底部；将坩埚进行空冷或者放入冷却液中急冷；将坩埚敲碎并取出沉在坩埚底部的固态金属物，采用酸浸或者电化学方法处理表面附有待提取高熔点物相的固态金属物，分离高熔点物相和固态金属物，得到纯净的高熔点物相。本发明具有实施成本低、工艺流程短、生产耗时短以及排放污染较小等优点。

公开(公告)号：CN112725817A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202011615401.X

申请日：2020-12-30

Applicant: 重庆大学 ,  重庆布鲁斯格智能科技有限公司

Inventor： 扈玫珑 ,  马通祥 ,  陈布新 ,  李朝东 ,  杨宇 ,  陈俊宇 ,  赵朗 ,  胡丽文

IPC: C25B1/00 ,  C25B9/09

Abstract: 本发明公开了一种熔盐电解制备碳化物陶瓷涂层的方法，属于复合材料制备技术领域。该方法采用金属及非金属氧化物粉末（熔盐电解法可实现脱氧的氧化物）或者表面氧化后的成品工件作为原料，压样烧结后作为阴极，采用CaCl2‑1wt%CaO作为熔盐，石墨坩埚作为阳极。电解过程中，阴极脱除的氧离子在阳极放电生成CO2，CO2被熔盐中O2‑捕捉形成CO32‑，CO32‑在阴极放电生成C，碳与阴极产物(如Ti，Si，Cr，V，W，Nb等等)原位反应形成厚度约20μm‑80μm碳化物涂层。

公开(公告)号：CN118272658A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410416232.9

申请日：2024-04-30

Applicant: 重庆大学

Inventor： 段华美 ,  郑淞铭 ,  赖月 ,  徐爽 ,  赵朗 ,  李言栋 ,  陈登福 ,  龙木军

IPC: C22B7/00 ,  C22B26/12 ,  C22B23/00 ,  C22B47/00 ,  C22B3/16 ,  H01M10/54

Abstract: 本发明公开了一种用低共熔溶剂浸出废旧锂电池正极材料中有价金属的方法，属于废旧锂离子电池回收技术领域，它包括：步骤1、制取低共熔溶剂：将氯化胆碱、苹果酸和丙三醇在加热条件下混合搅拌形成均匀澄清的低共熔溶剂；步骤2、浸出正极材料中有价金属：将废旧三元锂电池正极材料粉末加入制得的低共熔溶剂中，经过加热搅拌浸出正极材料中的有价金属；步骤3、过滤得到溶解有价金属的浸出液。本发明的技术效果是：利用低共熔溶剂作为浸出剂，实现了锂、镍、钴、锰的高效浸出，低共熔溶剂绿色环保可降解，且制备过程简单。

公开(公告)号：CN114388275B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202210068209.6

申请日：2022-01-20

Applicant: 重庆大学

Inventor： 扈玫珑 ,  马通祥 ,  陈俊宇 ,  陈布新 ,  赵朗 ,  李朝东 ,  胡丽文

IPC: H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  C25B1/01 ,  C25B1/50

Abstract: 本发明公开了一种TiC纳米管阵列材料及其制备方法和应用。所述TiC纳米管阵列材料为TiC纳米管生长在钛基体上，具有高度定向和高度有序性，所述TiC纳米管的管径为80nm－150nm。所述制备方法为S1、采用阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列；S2、将制备的TiO2纳米管阵列以5‑10℃/min 的升温速率加热到400℃，退火2 h；S3、以混合熔盐CaCl2‑KCl‑LiCl为电解质，以退火后的TiO2纳米管阵列作为阴极，石墨棒为阳极，配入CO32‑作为碳源，在真空下进行电解，得到TiC纳米管阵列材料。所述应用为采用所述TiC纳米管阵列材料作为电极片，用于制作超级电容器。本发明制备的TiC纳米管阵列材料具有比表面积大、电子传递直接、能量密度高、柔韧性好、化学稳定性好等优点，展现出卓越的超级电容器性能。

公开(公告)号：CN114388275A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202210068209.6

申请日：2022-01-20

Applicant: 重庆大学

Inventor： 扈玫珑 ,  马通祥 ,  陈俊宇 ,  陈布新 ,  赵朗 ,  李朝东 ,  胡丽文

IPC: H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  C25B1/01 ,  C25B1/50

Abstract: 本发明公开了一种TiC纳米管阵列材料及其制备方法和应用。所述TiC纳米管阵列材料为TiC纳米管生长在钛基体上，具有高度定向和高度有序性，所述TiC纳米管的管径为80nm－150nm。所述制备方法为S1、采用阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列；S2、将制备的TiO2纳米管阵列以5‑10℃/min的升温速率加热到400℃，退火2 h；S3、以混合熔盐CaCl2‑KCl‑LiCl为电解质，以退火后的TiO2纳米管阵列作为阴极，石墨棒为阳极，配入CO32‑作为碳源，在真空下进行电解，得到TiC纳米管阵列材料。所述应用为采用所述TiC纳米管阵列材料作为电极片，用于制作超级电容器。本发明制备的TiC纳米管阵列材料具有比表面积大、电子传递直接、能量密度高、柔韧性好、化学稳定性好等优点，展现出卓越的超级电容器性能。