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公开(公告)号：CN117727523A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311689852.1
申请日：2023-12-11
Applicant: 钢铁研究总院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种继电器用软磁合金及其制备方法，属于软磁合金技术领域，解决了现有技术中软磁合金的室温矫顽力较高的问题。继电器用软磁合金的组分以质量百分比计包括：C≤0.01％，Mn≤0.30％，Si2.00％～3.00％，P 0.15％～0.25％，S 0.02％～0.04％，Al≤0.05％，N≤0.002％，O≤0.002％，H≤0.0005％，其余为Fe及不可避免杂质。本发明的继电器用软磁合金的矫顽力低。
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公开(公告)号：CN118951044A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411064294.4
申请日：2024-08-05
Applicant: 钢铁研究总院有限公司
IPC: B22F10/28 , B22F10/64 , B22F5/10 , B22F9/08 , B33Y10/00 , B33Y40/20 , B33Y80/00 , B33Y70/00 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/08 , C21D9/00 , C21D6/00 , C21D1/18 , G01C19/66 , G01C25/00
Abstract: 本发明涉及一种3D打印的激光陀螺壳体及其制备方法和应用，属于金属零件加工技术领域，解决了现有技术中结构复杂、轻量化的精密激光陀螺壳体制备周期长、工艺条件高以及成本高的问题，所述激光陀螺壳体的制备方法包括：制备合金粉末；将壳体三维设计图导入SLM打印设备，并将所述合金粉末置于SLM打印机粉缸内，设定工艺参数，打印合金部件；将合金部件进行热处理。本发明制备方法在保证激光陀螺壳体良好性能的同时，工艺简单，生产周期短，提高产品的生产效率，降低工艺条件要求和生产成本，促进激光陀螺壳体在航空航天、航海、军事领域、地球科学研究、工业自动化、自动驾驶领域中的应用。
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公开(公告)号：CN118639188A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410663884.2
申请日：2024-05-27
Applicant: 钢铁研究总院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有室温铁磁性的TiO基稀磁半导体薄膜及其制备方法和应用，属于半导体薄膜材料技术领域。所述具有室温铁磁性的TiO基稀磁半导体薄膜，以过渡金属离子为施主掺杂的方式，以陶瓷靶材为基础，采用激光脉冲沉积技术，制得具有室温铁磁性的TiO基稀磁半导体薄膜；半导体薄膜的化学成分符合化学通式Ti1‑xMxO2，M为过渡金属，选自ⅦB和Ⅷ族，其中0＜x≤0.1；并且在控制衬底材料的加热温度、激光的功率和氧分压等参数，提高金属和半导体之间的自旋注入效率，保证所得稀磁半导体薄膜的性能。
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公开(公告)号：CN116288034A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310361935.1
申请日：2023-04-06
Applicant: 钢铁研究总院有限公司
Abstract: 本发明涉及软磁合金材料制备技术领域，尤其涉及一种低膨胀软磁合金及其制备方法。该合金的化学成分按质量百分比为C 0.001～0.2，Ni 30～34，Co 2～6，Nb 0.05～0.5，Mo 0.1～0.5，Cu 0.05～0.5，Si＜0.2，Mn＜0.2，P＜0.020，S＜0.015，余为Fe和不可避免的杂质；该软磁合金采用如下步骤制备：配料→真空感应熔炼电极棒→真空自耗重熔→开坯、锻造、机加工→分级热处理；该软磁合金在‑50～100℃膨胀系数α≤1.0ppm/℃。该合金具有较高最大磁导率和低的膨胀系数的组合，适用于制作有低膨胀性能和高软磁性能要求的零部件，特别是石英加速度计轭铁。
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公开(公告)号：CN116288034B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202310361935.1
申请日：2023-04-06
Applicant: 钢铁研究总院有限公司
Abstract: 本发明涉及软磁合金材料制备技术领域，尤其涉及一种低膨胀软磁合金及其制备方法。该合金的化学成分按质量百分比为C 0.001～0.2，Ni 30～34，Co 2～6，Nb 0.05～0.5，Mo 0.1～0.5，Cu 0.05～0.5，Si＜0.2，Mn＜0.2，P＜0.020，S＜0.015，余为Fe和不可避免的杂质；该软磁合金采用如下步骤制备：配料→真空感应熔炼电极棒→真空自耗重熔→开坯、锻造、机加工→分级热处理；该软磁合金在‑50～100℃膨胀系数α≤1.0ppm/℃。该合金具有较高最大磁导率和低的膨胀系数的组合，适用于制作有低膨胀性能和高软磁性能要求的零部件，特别是石英加速度计轭铁。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116397135A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310070441.8
申请日：2023-02-07
Applicant: 钢铁研究总院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高强度高韧性铁钴软磁合金及其制备方法。所述铁钴软磁合金的化学成分按质量百分比为：Co 49.0％～51.0％，V0.3％～1.0％，Ni 0.5％～1.0％，Nb 0.5％～1.0％，C≤0.030％，S≤0.010％，P≤0.010％，Si≤0.25％，Mn≤0.25％，余量为Fe；所述铁钴软磁合金通过真空感应熔炼、开坯锻造、磁性热处理制备获得；所述高强度高韧铁钴软磁合金具有如下室温机械性能：抗拉强度Rm大于400MPa，断裂伸长率A大于4.0％；所述高强度高韧铁钴软磁合金具有如下室温静态磁性能：B8000饱和磁感应强度Bs大于2.3T，矫顽力Hc小于85A/m。
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公开(公告)号：CN119772188A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411802580.6
申请日：2024-12-09
Applicant: 钢铁研究总院有限公司
IPC: B22F9/14 , B22F1/14 , B22F1/05 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/16 , C22C38/08 , C22C38/10 , B33Y70/00 , B22F1/065 , B33Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种3D打印用低膨胀合金粉末的制备方法，属于金属材料加工技术领域，解决了现有技术中粉末制备技术不适用于低膨胀合金、制得的粉末球形率低、滚动性不佳、含氧量高、粉末收率低、后续打印产品均匀性和致密性仍需提高等问题。本发明提供了一种3D打印用低膨胀合金粉末的制备方法，S1：准备加工用电极棒；S2：采用预启动+三级逐级提高电机转速的工艺对电极棒进行加工得到合金粉末粗产品；S3：对粉末粗产品进行筛分。所述方法制备的3D打印用粉末球形率99％，空心粉率低于0.4％，氧含量低于60ppm，筛后15～53μm的粉末收率可达50％且正态分布峰度系数不大于3，大幅提高了粉末的滚动性，且有助于提高下游打印产品的均匀性和致密性。
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公开(公告)号：CN119589199A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411791786.3
申请日：2024-12-06
Applicant: 钢铁研究总院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高强度膨胀合金焊丝及其制备方法，属于焊接材料技术领域，解决了现有技术中焊接处强度不足、易产生裂纹、服役寿命较短等问题。本发明提供了一种高强度膨胀合金焊丝，所述合金焊丝的组成按质量百分比计为：C 0.20～0.30％，Mn 0.60～1.00％，0＜Si≤0.10％，P≤0.01％，S≤0.01％，0＜Al≤0.05％，Ni 35.50～37.50％，Ti 0.20～0.40％，Nb 1.40～1.60％，N≤0.002％，O≤0.002％，H≤0.001％，其余为Fe及不可避免杂质。所述焊丝形成的焊接接头强度高，抗拉强度为520～535MPa，屈服强度为390～410MPa，不易产生裂纹等缺陷，能够广泛应用于航空航天等特殊场景的金属材料焊接。
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公开(公告)号：CN117655320A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311818725.7
申请日：2023-12-27
Applicant: 钢铁研究总院有限公司
IPC: B22F1/065 , C22B9/18 , B22F9/08 , C22C38/04 , C22C38/02 , C22C38/12 , C22C38/16 , C22C38/10 , B33Y70/00
Abstract: 本发明涉及一种用于激光增材制造的低膨胀合金粉末及其制备方法和应用，属于金属增材制造技术领域，解决了现有技术难以制备结构复杂、尺寸精密的低膨胀系数合金零件的问题。本发明公开了一种低膨胀合金粉末的制备方法，包括以下步骤：S1：根据低膨胀合金配比配料，并通过“真空熔炼+电渣重熔”工艺制备低膨胀合金母合金锭；S2：采用超音速惰性气体真空雾化制粉工艺，制备低膨胀系数合金粉末。本发明所公开的低膨胀合金粉末空心率≤1％，氧含量≤200ppm，粒径为10～65μm，满足激光增材制造工艺要求(一般指金属SLM打印工艺)，可用于激光陀螺基座或其他精密合金部件制造。
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公开(公告)号：CN116479385A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310391653.6
申请日：2023-04-13
Applicant: 钢铁研究总院有限公司
Abstract: 本发明属于半导体薄膜材料技术领域，特别涉及一种用于In基半导体材料的稀磁半导体薄膜，该薄膜采用过渡金属元素掺杂InO基半导体材料，其化学成分的通式为In2‑xMxO3，掺杂元素为非磁性过渡金属M，为Fe、Mn、Co或Ni中的一种或几种，其中0＜x≤0.1。本发明以过渡金属离子为施主掺杂的方式，以陶瓷靶材为基础，采用激光脉冲沉积技术(PLD)，制得具有室温铁磁性的InO基稀磁半导体薄膜。本发明的PLD技术可向InO晶格中掺入高比例的过渡金属离子，并通过控制沉积条件引入大量的晶格缺陷，从而诱导出高于室温的铁磁性薄膜材料，可应用于自旋电子器件。
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