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公开(公告)号：CN109314116A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201880001051.2
申请日：2018-07-20
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 公开了用于形成三维(3D)存储器件的方法的实施例。在示例中，将外围设备形成在第一衬底上。在第一衬底上的外围设备之上形成第一互连层。在第二衬底上形成包括多个电介质/牺牲层对和多个存储器串的电介质堆叠层，每个存储器串垂直延伸穿过电介质堆叠层。在第二衬底上的存储器串之上形成第二互连层。将第一衬底和第二衬底键合，使得第一互连层在第二互连层之下并与第二互连层接触。在键合之后，将第二衬底减薄。通过用多个导体层替换电介质/牺牲层对中的牺牲层，将存储堆叠层形成在减薄的第二衬底之下并包括多个导体/电介质层对。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109314116B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201880001051.2
申请日：2018-07-20
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 公开了用于形成三维(3D)存储器件的方法的实施例。在示例中，将外围设备形成在第一衬底上。在第一衬底上的外围设备之上形成第一互连层。在第二衬底上形成包括多个电介质/牺牲层对和多个存储器串的电介质堆叠层，每个存储器串垂直延伸穿过电介质堆叠层。在第二衬底上的存储器串之上形成第二互连层。将第一衬底和第二衬底键合，使得第一互连层在第二互连层之下并与第二互连层接触。在键合之后，将第二衬底减薄。通过用多个导体层替换电介质/牺牲层对中的牺牲层，将存储堆叠层形成在减薄的第二衬底之下并包括多个导体/电介质层对。
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公开(公告)号：CN111223871B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202010039022.4
申请日：2020-01-14
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种存储器件的制备方法以及存储器件，其中，所述方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括用于形成存储单元的正面以及与所述正面相对的背面；刻蚀所述第一晶圆，形成从所述正面延伸至所述第一晶圆内部的第一开孔；在所述正面上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层填充所述第一开孔；刻蚀所述第一绝缘层，形成贯穿所述第一绝缘层的第二开孔，所述第二开孔在所述第一晶圆上的正投影位于所述第一开孔内，所述第二开孔的侧壁通过所述第一绝缘层与所述第一晶圆隔离；在所述第二开孔内形成第一导电层；由所述第一晶圆的背面减薄所述第一晶圆，暴露所述第一导电层以形成贯穿所述第一晶圆的导电通孔。
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公开(公告)号：CN111223871A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010039022.4
申请日：2020-01-14
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本申请实施例公开了一种存储器件的制备方法以及存储器件，其中，所述方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括用于形成存储单元的正面以及与所述正面相对的背面；刻蚀所述第一晶圆，形成从所述正面延伸至所述第一晶圆内部的第一开孔；在所述正面上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层填充所述第一开孔；刻蚀所述第一绝缘层，形成贯穿所述第一绝缘层的第二开孔，所述第二开孔在所述第一晶圆上的正投影位于所述第一开孔内，所述第二开孔的侧壁通过所述第一绝缘层与所述第一晶圆隔离；在所述第二开孔内形成第一导电层；由所述第一晶圆的背面减薄所述第一晶圆，暴露所述第一导电层以形成贯穿所述第一晶圆的导电通孔。
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公开(公告)号：CN110060958A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910322243.X
申请日：2019-04-22
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及半导体工艺方法，半导体工艺方法包括如下步骤：提供晶圆；于晶圆上形成介质层；对介质层进行刻蚀，以于介质层内形成刻蚀通孔；于刻蚀通孔内形成金属互连层；于介质层的上表面及金属互连层的上表面形成保护层；对晶圆进行切边处理。本发明的半导体工艺方法在对晶圆进行切边处理之前执行光刻刻蚀工艺形成刻蚀通孔，并在刻蚀通孔内形成金属互连层，在对晶圆进行切边处理后不再执行光刻工艺，在晶圆切边处理后形成的切角处不会有光刻胶残留，从而避免缺陷的产生，提高产品的良率；同时，在对晶圆进行切边处理之前无需对刻蚀通孔进行回填，从而简化了生成工艺，提高了生产效率，节约了生产成本。
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公开(公告)号：CN110060958B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910322243.X
申请日：2019-04-22
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及半导体工艺方法，半导体工艺方法包括如下步骤：提供晶圆；于晶圆上形成介质层；对介质层进行刻蚀，以于介质层内形成刻蚀通孔；于刻蚀通孔内形成金属互连层；于介质层的上表面及金属互连层的上表面形成保护层；对晶圆进行切边处理。本发明的半导体工艺方法在对晶圆进行切边处理之前执行光刻刻蚀工艺形成刻蚀通孔，并在刻蚀通孔内形成金属互连层，在对晶圆进行切边处理后不再执行光刻工艺，在晶圆切边处理后形成的切角处不会有光刻胶残留，从而避免缺陷的产生，提高产品的良率；同时，在对晶圆进行切边处理之前无需对刻蚀通孔进行回填，从而简化了生成工艺，提高了生产效率，节约了生产成本。
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