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公开(公告)号：CN115513210A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211227337.7
申请日：2022-10-09
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本公开实施例公开了一种存储器及其制作方法、存储器系统，所述存储器的制作方法包括：提供半导体层，所述半导体层中设置有多个晶体管单元，所述晶体管单元包括沿第一方向呈对称分布的第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管和第二晶体管均包括沿所述第一方向延伸的半导体主体、覆盖所述半导体主体的一个侧面的栅极结构以及分别在所述半导体主体沿所述第一方向上两个端部处的第一电极和第二电极；所述第一方向为所述半导体层的厚度方向；在所述半导体层上利用沉积工艺沉积金属化合物材料层；去除部分金属化合物材料层，形成多个连接结构；每个连接结构与一个第一电极连接；在所述连接结构上形成存储结构。
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公开(公告)号：CN117529086A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310877961.X
申请日：2023-07-17
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了三维(3D)半导体装置和制造方法。在一些实施方式中，所公开的半导体装置包括：垂直晶体管阵列，每个垂直晶体管包括在垂直方向上延伸的半导体本体；多条字线，每条字线沿第一横向方向延伸并且包括在第一横向方向上布置的垂直晶体管阵列中的一行垂直晶体管的多个栅极结构；以及多条位线，每条位线沿不同于第一横向方向的第二横向方向延伸并且包括硅化物。
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公开(公告)号：CN115458528A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211228865.4
申请日：2022-10-09
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决晶体管与存储单元之间的耦接良率较低的问题。半导体结构包括存储单元、晶体管和导接件。存储单元和晶体管在第一方向上相互间隔设置。晶体管包括靠近存储单元设置的第一极、远离存储单元设置的第二极、以及被配置为控制第一极与第二极之间导通或断开的控制极。导接件的一端与存储单元耦接，导接件的另一端与晶体管的第一极耦接。其中，导接件包括电接触层，电接触层直接或间接与晶体管的第一极耦接，电接触层的面积大于晶体管的第一极中靠近存储单元一侧的表面的面积。上述半导体结构应用于存储器中，以实现数据的读取和写入操作。
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公开(公告)号：CN113725072A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110991368.9
申请日：2021-08-26
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L21/033 , G03F1/00
Abstract: 本申请提供了一种硬掩膜的制作方法以及半导体器件的制作方法，该制作方法包括：采用物理气相沉积法形成氧化层；在具有预定气体的空间中，对氧化层进行退火处理，得到硬掩膜，其中，预定气体包括氧元素。本申请的该制作方法，通过在包括氧元素的预定气体气氛下退火修复氧化层中的氧空位缺陷，使其在一定波长内不产生光吸收，使得氧化层的消光系数K值为0，这样较好地解决了现有技术中PVD方式得到的硬掩膜氧化层的消光系数不稳定的问题，保证了氧化层的光学参数差异较小，从而保证了后续光刻获得均一性较好的工艺尺寸。
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公开(公告)号：CN113405683A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110550056.4
申请日：2021-05-20
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G01K5/00
Abstract: 公开了一种晶片温度测量方法，用于测量热处理过程中待测晶片的温度，包括：在待测晶片上形成测温晶片，所述测温晶片至少包括相变材料层；在热处理过程中获取测温晶片至少一个位置的体积变化；根据测温晶片至少一个位置的体积变化确定待测晶片的温度。本申请还公开了一种晶片温度测量装置，通过位于待测晶片上的测温晶片在热处理过程中至少一个位置的体积变化标定待测晶片上相应位置的实际温度，实现点对点的温度测量，提高测量的精准性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113725072B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110991368.9
申请日：2021-08-26
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L21/033 , G03F1/00
Abstract: 本申请提供了一种硬掩膜的制作方法以及半导体器件的制作方法，该制作方法包括：采用物理气相沉积法形成氧化层；在具有预定气体的空间中，对氧化层进行退火处理，得到硬掩膜，其中，预定气体包括氧元素。本申请的该制作方法，通过在包括氧元素的预定气体气氛下退火修复氧化层中的氧空位缺陷，使其在一定波长内不产生光吸收，使得氧化层的消光系数K值为0，这样较好地解决了现有技术中PVD方式得到的硬掩膜氧化层的消光系数不稳定的问题，保证了氧化层的光学参数差异较小，从而保证了后续光刻获得均一性较好的工艺尺寸。
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公开(公告)号：CN115472613A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211305392.3
申请日：2022-10-24
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底、在所述衬底上的多个呈阵列排布的硅柱和所述硅柱之间的绝缘结构；在所述硅柱和所述绝缘结构上形成金属层；对所述金属层进行退火处理，使得每个所述硅柱的顶端形成金属硅化物层；对所述金属硅化物层和所述硅柱进行刻蚀，以将每个所述硅柱刻蚀为两个晶体管柱。
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公开(公告)号：CN114023677A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111290892.X
申请日：2021-11-02
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/687 , H01J37/32 , C23C14/22
Abstract: 本公开提供了一种转移机构及具有其的物理气相沉积机台，转移机构包括：第一支撑架，用于支撑第一物料；第二支撑架，用于支撑第二物料，第一支撑架位于第二支撑架的上方；隔离件，设置在第一支撑架和第二支撑架之间，以隔离第一支撑架和第二支撑架，以防止第一物料上的颗粒掉落至第二物料上。本公开的转移机构解决了现有技术中的转移机构中的位于下方的晶圆容易受到污染的问题。
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公开(公告)号：CN214542130U
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202120374219.3
申请日：2021-02-10
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: H01L21/26 , H01L21/324 , H01J37/32 , H01J37/02
Abstract: 本公开实施例公开了一种半导体结构加工设备，其特征在于，包括：处理腔室，包括腔体和位于所述腔体内的容置空间；等离子体产生装置，位于所述腔体的顶部，并与所述容置空间连通；承载台，位于所述容置空间内，用于承载半导体结构；光照加热装置，位于所述等离子体产生装置与所述承载台之间。
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公开(公告)号：CN215628271U
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202120038412.X
申请日：2021-01-07
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本方案提供了一种沉积装置，包括：位于沉积室内侧的升降基座和可活动设置的检测机构；所述检测机构在沉积装置进行沉积室检测时，伸入所述升降基座和预置于沉积室顶部的靶材之间对靶材和/或预置于所述升降基座上的晶圆进行检测，并在完成检测之后，离开所述升降基座和靶材之间的区域。本方案能够减少故障排查时间，提高排查的准确性和及时性。
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