公开(公告)号：CN118870803A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202310436861.3

申请日：2023-04-19

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 杨孝东 ,  张磊 ,  黄俊杰 ,  潘旋 ,  崔接亚

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供了一种半导体结构的制备方法和半导体结构，制备方法包括：提供衬底，衬底具有间隔设置的第一区和第二区；在第一区生长SiGe外延层；采用预配置的第一试剂对SiGe外延层的表面和第二区的表面进行处理，使SiGe外延层的表面形成第一保护层，使衬底的第二区的表面形成第二保护层；采用预配置的第二试剂对第一保护层和第二保护层进行处理，以去除第二保护层；形成具备第一保护层的SiGe外延层。本公开可以在PMOS器件制造过程中，有效保护SiGe外延层不被损耗，提高PMOS器件的载流子迁移率，进而提高PMOS器件的电学性能。

公开(公告)号：CN115799142A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211090937.3

申请日：2022-09-07

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 潘旋 ,  黄俊杰

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开实施例提供一种晶圆偏移的修正装置及其控制方法，包括：晶圆承载平台，可运动部件，多个第一信号器组，其中，多个第一信号器组中的每一个第一信号器组包括第一信号发射器和第一信号接收器，第一信号发射器用于发射信号，第一信号接收器用于接收信号，并将接收到的信号转换为第一电信号后输出；处理控制电路，用于获取每一个第一信号器组中的第一信号接收器输出的第一电信号，在根据获取到的每一个第一信号器组中的第一信号接收器输出的第一电信号，确定晶圆偏移后，控制可运动部件沿与晶圆的偏移方向相反的方向上移动晶圆。本装置可以有效地改善晶圆的位置，降低晶圆滑片、掉片的风险，从而提高晶圆的良品率。