一种光纤、拉锥光纤及其制备方法

    公开(公告)号:CN119395808A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411694759.4

    申请日:2024-11-25

    Abstract: 本申请属于光纤技术领域,具体公开了一种光纤、拉锥光纤及其制备方法,光纤包括芯层、内包层及外包层;芯层包括:第一区、第二区以及第三区;第二区和第三区依次包覆于所述第一区外;第一区的折射率沿区域中心向外呈线性下降分布;第二区的折射率呈均匀分布;第三区的折射率由内至外呈上升分布;内包层掺杂有Cl和F,外包层掺杂有Cl,且内包层中Cl的含量低于外包层中Cl的含量。通过本申请,对芯层和内包层的折射率进行设计,能够提升光纤的抗弯曲能力,且上述折射率设计能够促进光纤被拉锥时折射率均匀变化,以及通过对内包层和外包层原料和组分的设计,减少了内外包层的粘度差异,使得对光纤拉锥时能够一次性拉锥成功。

    一种一体化保偏光纤及其制备方法和包含其的集成化陀螺

    公开(公告)号:CN117452554A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202311326322.0

    申请日:2023-10-13

    Abstract: 本发明公开了一种一体化保偏光纤及其制备方法和包含其的集成化陀螺,属于特种光纤制备技术领域,其通过优选保偏光纤的结构形式,在椭圆芯的长轴方向两侧对称设置应力区,再通过对纤芯椭圆率、内包层短轴直径与纤芯短轴直径比值、内包层和应力区相对折射率差的优选设计,使得一体化保偏光纤可以有效满足集成化陀螺用光纤的特征要求。本发明的一体化保偏光纤,其结构简单,制备便捷,能够有效满足集成化光纤陀螺制备所需光纤的四个特征,充分满足一体化保偏光纤在集成化陀螺中的应用需求,提升集成化光纤陀螺的制备效率和制备精度,降低集成化光纤陀螺的制备和应用成本,具有较好的经济价值和实用价值。

    一种椭圆包层保偏光纤的制备方法及产品

    公开(公告)号:CN117263513A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311268282.9

    申请日:2023-09-27

    Abstract: 本发明公开了一种椭圆包层保偏光纤的制备方法及产品。所述方法包括以下步骤:(1)制备椭圆包层实心棒;(2)制备光纤预制棒:(3)制备所述椭圆包层保偏光纤。本发明提供的椭圆包层保偏光纤的制备方法,将具有圆形外轮廓的椭圆包层实心棒和同样具有圆形外轮廓的用于形成芯层的玻璃棒采用套棒法制作椭圆包层光纤预制棒,一方面由于圆形套棒技术成熟,具有良好的同心度;另一方面,芯层和椭圆包层分别成型,径向变形制作椭圆包层的工艺不影响芯层玻璃棒的圆形外轮廓,芯层不圆度不会明显下降,明显优于现有的椭圆包层光纤。因此本发明制得的椭圆包层保偏光纤,具有良好的同心度以及芯层不圆度。

    一种高数值孔径器件保偏光纤的制备方法及产品

    公开(公告)号:CN117602813A

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202311577140.0

    申请日:2023-11-24

    Abstract: 本发明公开了一种高数值孔径器件保偏光纤的制备方法及产品。方法包括步骤:(1)采用管内沉积法,沉积用于形成芯棒的芯层;(2)按照预设的刻蚀区域进行刻蚀,去除芯层形成低应力短区域;(3)将烧实熔缩后获得实心分段预制棒;(4)在加工段进行机械加工,获得打孔套管;(5)插入应力棒,组成保偏光纤预制棒进行拉丝。本发明高数值孔径器件保偏光纤的制备方法,采用管内沉积法实现芯棒高数值孔径掺杂后,采用“分段刻蚀”的方法制作低应力的加工段,从而制备出高应力的掺杂芯和低应力的加工段间隔的芯棒结构,进行后续的切割和打孔等机械加工,提高成品率的同时,改善了预制棒的同心度和弓曲度,最终改善了光纤性能。

    一种保偏光纤及其制备方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119270422A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202411680687.8

    申请日:2024-11-22

    Abstract: 本申请属于光纤技术领域,具体公开了一种保偏光纤及其制备方法,保偏光纤包括:芯层、至少一个应力区以及包层;芯层嵌设于所述包层中心,至少一个应力区嵌设在包层内,且至少一个应力区均匀分散设置在芯层周围;应力区掺杂有硼,并掺杂有锗和/或氟;应力区中有至少部分硼以硼氧四面体存在;应力区中B2O3所占摩尔百分比大于GeO2和/或F所占摩尔百分比。通过本申请,能够得到双折射性能佳的保偏光纤,且该保偏光纤在长时间的恶劣环境下不开裂,能够满足恶劣环境下的应用需求。

    一种硼锗共掺型保偏光敏光纤及其制备方法

    公开(公告)号:CN117369041A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311297270.9

    申请日:2023-10-09

    Abstract: 本发明公开了一种硼锗共掺型保偏光敏光纤及其制备方法,属于光纤技术领域,其通过在光纤纤芯中共掺氧化硼和氧化锗,并优选设置两者的共掺组合比例,以及在纤芯与包层之间设置掺氟层,在保证光纤成型质量的基础上,使之既能够满足光敏性的使用需求,又能够满足保偏光纤的双折射率使用需求。本发明的硼锗共掺型保偏光敏光纤,其结构设计简单,制备方法便捷,能够快速完成保偏光敏光纤的设计与制备,使得光纤既满足光敏性需求,又满足双折射性能需求,简化光敏光纤制备工艺的同时,有效扩大保偏光纤的适用范围,降低光纤光栅的制造成本,具有较好的实用价值和应用前景。

    一种抗中子辐射光纤、高羟基光固化树脂的应用

    公开(公告)号:CN115373068A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202211062615.8

    申请日:2022-09-01

    Abstract: 本发明公开了一种抗中子辐射光纤、高羟基光固化树脂的应用。所述光纤包括:光波导结构、以及包覆所述光波导结构的多层包层;所述多层包层厚度在27.5~106.5μm;所述多层包层含有快中子慢化剂以及慢中子吸收剂;所述快中子慢化剂为共价态氢,所述慢中子吸收剂为含有中子吸收元素的化合物,所述中子吸收元素包括硼和稀土元素;其中:氢元素平均摩尔浓度为67.28~112.9mol/L;中子吸收元素平均摩尔浓度为0.4~2.8mol/L。高羟基光固化树脂应用形成所述光纤的涂层。设计高含氢量多层包层作为中子慢化材料,显著提高了中子的慢化效应。同时控制多层包层中掺杂的对中子吸收截面大的硼元素、以及稀土元素,其可以将慢中子吸收,且不释放射线,进而达到了抗中子辐射的效果。

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