公开(公告)号：CN104466670B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201410463309.4

申请日：2014-09-12

Applicant: 阿尔佩斯激光有限公司

Inventor： A.比斯穆托 ,  J.沃尔夫 ,  A.米勒 ,  J.费尔斯特

IPC: H01S5/06 ,  H01S5/32

Abstract: 通过在有源区域附近精确地控制激光器的温度，半导体激光器尤其在中红外光谱范围中可调谐。本发明引入一种用于局部加热有源区域的新设计，由此允许快速加热并且因此调谐激光器。它通常适用于整个领域的激光器。本发明由下列构成：在结构上集成加热电阻器作为激光器的部分，将加热电阻器布置为接近将要被进行温度控制的部件，并且为这个电阻器馈送可变电流以便局部控制热耗散。在多发射体激光器中，电阻器能够与每个发射体区段关联以调谐每个区段的温度并且因此调谐其发射的波长。类似地，在多区段DBR激光器中，利用与每个光栅关联的电阻器，能够调谐每个光栅并且因此调谐关联的光学腔的波长。本发明还包括激光器的新的制造过程。

公开(公告)号：CN104466670A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410463309.4

申请日：2014-09-12

Applicant: 阿尔佩斯激光有限公司

Inventor： A.比斯穆托 ,  J.沃尔夫 ,  A.米勒 ,  J.费尔斯特

IPC: H01S5/06 ,  H01S5/32

CPC classification number: H01S5/0425 ,  H01S5/02453 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/06837 ,  H01S5/183 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3401 ,  H01S5/3402 ,  H01S5/4087

Abstract: 通过在有源区域附近精确地控制激光器的温度，半导体激光器尤其在中红外光谱范围中可调谐。本发明引入一种用于局部加热有源区域的新设计，由此允许快速加热并且因此调谐激光器。它通常适用于整个领域的激光器。本发明由下列构成：在结构上集成加热电阻器作为激光器的部分，将加热电阻器布置为接近将要被进行温度控制的部件，并且为这个电阻器馈送可变电流以便局部控制热耗散。在多发射体激光器中，电阻器能够与每个发射体区段关联以调谐每个区段的温度并且因此调谐其发射的波长。类似地，在多区段DBR激光器中，利用与每个光栅关联的电阻器，能够调谐每个光栅并且因此调谐关联的光学腔的波长。本发明还包括激光器的新的制造过程。