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公开(公告)号:CN103155309B
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:CN201080069651.6
申请日:2010-10-29
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor: 铃木干哉
CPC classification number: H01S5/0612 , H01S3/0405 , H01S3/06704 , H01S3/06754 , H01S3/094007 , H01S3/09415 , H01S3/10015 , H01S3/13 , H01S3/1301 , H01S3/1608 , H01S3/1618 , H01S5/02252 , H01S5/02453
Abstract: 抑制残留激励光的产生,并且改善模拟特性。包含:输入部(输入端口11),输入光信号;激光光源(激光二极管20),产生激光;光纤(放大光纤12),通过基于来自激光光源的激光的受激发射将光信号放大输出;输出部(输出端口24),输出由光纤放大了的光信号;无源光部件(光隔离器16等),被配置于光纤与所述输出部之间;介由热传导性介质热耦合激光光源以及/或者无源光部件和光纤。
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公开(公告)号:CN105518949A
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201480046948.9
申请日:2014-08-25
Applicant: 祥茂光电科技股份有限公司
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H04B10/503 , H01S5/02216 , H01S5/02415 , H01S5/02453 , H01S5/02461 , H01S5/12 , H04B10/40 , H04J14/02
Abstract: 一种加热激光器封装通常包括位于单个激光器封装中的激光二极管、加热电阻器和晶体管。加热电阻器和晶体管形成加热电路,且位于与激光二极管邻接的载体上。晶体管用以控制至加热电阻器的驱动电流,以及晶体管产生的任意额外容量有助于加热激光二极管,由此增加系统的热效率。加热激光器封装可用于温控多信道模块光发射次模块中,光发射次模块可用于多信道光收发器中。光收发器用于波分复用光学系统例如波分复用无源光网络中的光线路终端中。
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公开(公告)号:CN104753589A
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201410840225.8
申请日:2014-12-30
Applicant: 弗兰克公司
CPC classification number: H05B33/0809 , G01K13/00 , H01S5/02453 , H01S5/0617 , H01S5/06837 , H05B37/02
Abstract: 本发明涉及改善在光网络测试仪器中的光源的稳定性。一种用于改善在光网络测试仪器中的光源的稳定性的自包含的校准方法包括执行光源的温度扫描测试。周期性地测量光源的光输出功率。基于测量的光输出功率来生成温度校正值。通过应用温度校正值来调整光源的光输出功率,以获得光源的基本上恒定的光输出功率。
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公开(公告)号:CN1276560C
公开(公告)日:2006-09-20
申请号:CN03128595.3
申请日:2003-04-16
Applicant: 八木天线株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/02415 , H01S5/02284 , H01S5/02453 , H01S5/042 , H01S5/0683
Abstract: 在激光二极管模块中,激光二极管芯片设置在模块壳体中。加热器加热激光二极管芯片以使至少激光二极管芯片的温度保持恒定。温度检测器检测激光二极管模块的温度。温度控制器根据激光二极管模块的检测温度控制加热器的热值。温度控制器保持激光二极管模块的温度高于包含激光二极管模块的激光二极管装置的工作温度。
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公开(公告)号:CN105518949B
公开(公告)日:2019-06-25
申请号:CN201480046948.9
申请日:2014-08-25
Applicant: 祥茂光电科技股份有限公司
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H04B10/503 , H01S5/02216 , H01S5/02415 , H01S5/02453 , H01S5/02461 , H01S5/12 , H04B10/40 , H04J14/02
Abstract: 一种加热激光器封装通常包括位于单个激光器封装中的激光二极管、加热电阻器和晶体管。加热电阻器和晶体管形成加热电路,且位于与激光二极管邻接的载体上。晶体管用以控制至加热电阻器的驱动电流,以及晶体管产生的任意额外容量有助于加热激光二极管,由此增加系统的热效率。加热激光器封装可用于温控多信道模块光发射次模块中,光发射次模块可用于多信道光收发器中。光收发器用于波分复用光学系统例如波分复用无源光网络中的光线路终端中。
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公开(公告)号:CN109586717A
公开(公告)日:2019-04-05
申请号:CN201811133983.0
申请日:2018-09-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 西田哲朗
IPC: H03L7/26 , H01S5/024 , H01S5/0687
CPC classification number: H03L7/26 , G01K7/02 , G01K7/22 , H01S5/02216 , H01S5/02248 , H01S5/02415 , H01S5/02453 , H01S5/06804 , H01S5/0687 , H01S5/183 , H03B17/00 , H03L1/04
Abstract: 本发明提供原子振荡器和频率信号生成系统。原子振荡器包含:半导体激光器,其收纳在容器中;原子室,其被照射从所述半导体激光器射出的光,收纳有碱金属原子;受光元件,其检测透过了所述原子室的光的强度,输出检测信号;温度传感器,其收纳在所述容器中;第1温度控制元件,其收纳在所述容器中,根据所述温度传感器的输出而受到控制;以及第2温度控制元件,其收纳在所述容器中,根据所述检测信号而受到控制,所述第2温度控制元件与所述半导体激光器之间的距离小于所述第1温度控制元件与所述半导体激光器之间的距离。
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公开(公告)号:CN106898945A
公开(公告)日:2017-06-27
申请号:CN201710154533.9
申请日:2017-03-15
Applicant: 西安炬光科技股份有限公司
IPC: H01S5/024
CPC classification number: H01S5/02476 , H01S5/02453
Abstract: 本发明提出一种可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构,使其可以在全温度范围下工作。该高功率半导体激光器封装结构包括激光芯片、加热装置、第一导热衬底和第二导热衬底,分别与激光芯片的N面和P面键合,并在键合面形成电连接;所述加热装置采用通过薄膜工艺或厚膜工艺生成的平面加热元件,位于其中一个导热衬底的外侧表面并与该导热衬底保持绝缘。
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公开(公告)号:CN106471687A
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201580011021.6
申请日:2015-02-24
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
CPC classification number: H01S5/18319 , H01S5/0014 , H01S5/0207 , H01S5/02453 , H01S5/02461 , H01S5/0421 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/0428 , H01S5/105 , H01S5/18316 , H01S5/3086 , H01S5/309 , H01S5/3402 , H01S5/3419 , H01S2302/02
Abstract: 本发明提供一种能够以与光电转换元件同样快的响应速度进行光的强弱切换的热辐射光源。热辐射光源(10)具备:二维光子晶体(12),其在将由n型半导体形成的n层(112)、具有量子阱结构的量子阱结构层(114)以及由p型半导体形成的p层(111)依此序层叠而成的板材(11)内,周期性地配置有折射率与n层(112)、p层(111)及量子阱结构层(114)的折射率不同的异折射率区域(空孔(121)),使得与量子阱结构层(114)中的量子阱内的子带之间的跃迁能量对应的特定波长的光发生谐振;以及p型电极(131)和n型电极(112)侧为正的电压。(132),其向板材(11)施加p层(111)侧为负、n层
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公开(公告)号:CN102668419B
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN200980163250.4
申请日:2009-11-04
Applicant: 骁阳网络有限公司
CPC classification number: H04B10/272 , H01S5/02407 , H01S5/02453 , H01S5/0612 , H01S5/0622 , H01S5/141
Abstract: 提供了一种用于调整光网络元件的可调谐激光器的方法和装置,其中通过改变驱动可调谐激光器的电流调整可调谐激光器的波长;以及其中通过相对于环境温度改变可调谐激光器或者其至少一部分的温度调整可调谐激光器的波长。
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公开(公告)号:CN104466670A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201410463309.4
申请日:2014-09-12
Applicant: 阿尔佩斯激光有限公司
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/02453 , H01S5/02461 , H01S5/0261 , H01S5/0612 , H01S5/06256 , H01S5/06837 , H01S5/183 , H01S5/2224 , H01S5/2275 , H01S5/3211 , H01S5/3401 , H01S5/3402 , H01S5/4087
Abstract: 通过在有源区域附近精确地控制激光器的温度,半导体激光器尤其在中红外光谱范围中可调谐。本发明引入一种用于局部加热有源区域的新设计,由此允许快速加热并且因此调谐激光器。它通常适用于整个领域的激光器。本发明由下列构成:在结构上集成加热电阻器作为激光器的部分,将加热电阻器布置为接近将要被进行温度控制的部件,并且为这个电阻器馈送可变电流以便局部控制热耗散。在多发射体激光器中,电阻器能够与每个发射体区段关联以调谐每个区段的温度并且因此调谐其发射的波长。类似地,在多区段DBR激光器中,利用与每个光栅关联的电阻器,能够调谐每个光栅并且因此调谐关联的光学腔的波长。本发明还包括激光器的新的制造过程。
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