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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104396021B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201380007599.5
申请日：2013-01-30
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 加利福尼亚技术学院
Inventor： G·M·金伯尔 , H·A·阿特瓦特 , N·S·刘易斯 , J·P·伯斯科 , R·克里斯廷-利格曼菲斯特
IPC: H01L31/032 , H01L31/075 , H01L31/18 , H01L31/20 , H01L21/02 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/022466 , H01L31/032 , H01L31/075 , H01L31/20 , Y02E10/548
Abstract: 本发明利用一种处理，其包括在磷属元素化物半导体膜的表面上形成富含磷属元素区域的蚀刻处理。在许多实践方式中所述区域很薄，在很多实施方式中经常只有大约2至3nm厚。以前的研究者把所述区域留在原位而没有认识到它存在的事实和/或它的存在(如果已知)可损害所生成的器件的电子性能。本发明认识到，形成和除去所述区域有利地使所述磷属元素化物膜表面高度光滑并且电子缺陷减少。所述表面充分制备以供进一步器件制造。
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公开(公告)号：CN104364910B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201380007512.4
申请日：2013-01-30
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 加利福尼亚技术学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/072 , H01L31/022466 , H01L31/032 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的原理用于降低硫属元素化物发射体和磷属元素化物吸收体膜之间的导带偏移。或者说，本发明提供了更紧密匹配所述吸收体和发射体成分之间的电子亲和势特性的策略。所得到的光伏器件有潜力使之具有较高的效率和较高的开路电压。所生成的结的电阻将随着电流漏泄降低而降低。在说明性的实践方式中，本发明在所述发射体层中掺入了一种或多种调节剂以调节电子亲和势特性，从而降低发射体和吸收体之间的导带偏移。在n-型发射体例如ZnS或三元化合物例如硫化硒化锌(任选掺杂Al)等的情况下，当吸收体是p-型磷属元素化物材料如磷化锌或掺入Zn以外的至少一种其他金属和任选的磷以外的至少一种非金属的磷化锌合金时，示例性的调节剂是Mg。因此，包括这样的膜的光伏器件表
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公开(公告)号：CN104364910A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201380007512.4
申请日：2013-01-30
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 加利福尼亚技术学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/072 , H01L31/022466 , H01L31/032 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的原理用于降低硫属元素化物发射体和磷属元素化物吸收体膜之间的导带偏移。或者说，本发明提供了更紧密匹配所述吸收体和发射体成分之间的电子亲和势特性的策略。所得到的光伏器件有潜力使之具有较高的效率和较高的开路电压。所生成的结的电阻将随着电流漏泄降低而降低。在说明性的实践方式中，本发明在所述发射体层中掺入了一种或多种调节剂以调节电子亲和势特性，从而降低发射体和吸收体之间的导带偏移。在n-型发射体例如ZnS或三元化合物例如硫化硒化锌(任选掺杂Al)等的情况下，当吸收体是p-型磷属元素化物材料如磷化锌或掺入Zn以外的至少一种其他金属和任选的磷以外的至少一种非金属的磷化锌合金时，示例性的调节剂是Mg。因此，包括这样的膜的光伏器件表现出改进的电子性能。
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公开(公告)号：CN104396021A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380007599.5
申请日：2013-01-30
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 加利福尼亚技术学院
Inventor： G·M·金伯尔 , H·A·阿特瓦特 , N·S·刘易斯 , J·P·伯斯科 , R·克里斯廷-利格曼菲斯特
IPC: H01L31/032 , H01L31/075 , H01L31/18 , H01L31/20 , H01L21/02 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/022466 , H01L31/032 , H01L31/075 , H01L31/20 , Y02E10/548
Abstract: 本发明利用一种处理，其包括在磷属元素化物半导体膜的表面上形成富含磷属元素区域的蚀刻处理。在许多实践方式中所述区域很薄，在很多实施方式中经常只有大约2至3nm厚。以前的研究者把所述区域留在原位而没有认识到它存在的事实和/或它的存在(如果已知)可损害所生成的器件的电子性能。本发明认识到，形成和除去所述区域有利地使所述磷属元素化物膜表面高度光滑并且电子缺陷减少。所述表面充分制备以供进一步器件制造。
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公开(公告)号：CN104364912A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201380007073.7
申请日：2013-01-30
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 加利福尼亚技术学院
IPC: H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/477 , H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/075 , H01L31/18 , H01L31/1864 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供包括改进的磷属元素化物半导体膜的光伏器件的制造方法。特别地，本发明的原理用于改善磷属元素化物膜的表面质量。包括这些膜的光伏器件表现出改善的电子性能。作为概述，本发明包括下述的方法：金属化所述磷属元素化物膜，在倾向于在所述磷属元素化物膜和合金之间形成所述合金的条件下退火所述金属化膜，和然后除去过量的金属和至少一部分所述合金。在一种实践方式中，磷属元素化物半导体是磷化锌和所述金属是镁。
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