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公开(公告)号：CN118762976A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410778126.5
申请日：2024-06-17
Applicant: 青岛翼晨镭硕科技有限公司
Abstract: 一种纳米锥场发射阴极的制备方法，包括以下步骤：(1)对硅片基底进行清洗，干燥后对硅基底上表层进行金属离子注入；(2)在步骤1基底上沉积SiO2作为掩膜层；(3)步骤2基底表面自组装聚苯乙烯微球；(4)第一次等离子刻蚀，将SiO2层刻蚀出纳米柱掩膜结构；(5)使用溶剂超声清洗样片，然后使用等离子去胶机进行刻蚀清洗；(6)以SiO2纳米图案结构作为掩膜，对Si基底材料进行干法刻蚀，即第二次等离子刻蚀，最后进行超声清洗后，得到纳米锥场发射阴极。该方法提高了尖部的导电性能，更有利于电子发射，纳米材料更加稳定，在多次的发射后不容易脱落。
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公开(公告)号：CN116812859A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310741391.1
申请日：2023-06-21
Applicant: 青岛翼晨镭硕科技有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种多级的微纳米台阶结构的加工方法，包括：在所需加工的晶圆表面涂覆光刻胶；采用掩膜版对光刻胶进行光刻处理；掩膜版包括多个圆孔阵列，圆孔阵列的圆孔直径和周期依据微纳米台阶深度设计，所述圆孔直径越大台阶深度越深；对晶圆进行一次刻蚀，使晶圆上形成多个圆孔阵列；去除晶圆上光刻胶；对晶圆进行二次刻蚀，去除晶圆上圆孔阵列的圆孔侧壁，形成多级微纳米台阶结构；本发明通过在设计具有不同直径和周期圆孔的圆孔阵列的掩膜版，在晶圆上仅经过一次刻蚀形成不同深度圆孔阵列，再经二次刻蚀去除圆孔整列的圆孔侧壁形成不同高度的微纳米台阶，可适用于多层级和大高度差高深度的台阶制造。
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公开(公告)号：CN119171171A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411022319.4
申请日：2024-07-29
Applicant: 青岛翼晨镭硕科技有限公司
IPC: H01S3/1118 , H01S5/065
Abstract: 本申请涉及一种周期性量子点增强型半导体可饱和吸收镜及其制备方法。该方法包括：在衬底上依次生长布拉格反射层、缓冲层、量子点吸收层、盖层和掩膜层，在掩膜层上平铺一层聚苯乙烯微球，通过刻蚀方法调整聚苯乙烯微球的直径至预设目标直径，使其尺寸达到需要的光栅周期，使用调整后的聚苯乙烯微球作为掩膜，对掩膜层进行刻蚀，将其刻蚀为周期性的二维光栅图案层，去除聚苯乙烯微球后，利用已经形成的周期性二维光栅图案层作为掩膜，对量子点吸收层和盖层进行刻蚀，去除衬底上与光栅图案对应的部分，去除光栅图案结构层后，在刻蚀后的盖层上沉积第一介质膜层，并在缓冲层上沉积第二介质膜层，形成周期性纳米圆柱光栅层和介质膜光栅层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119907369A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411911548.1
申请日：2024-12-24
Applicant: 青岛翼晨镭硕科技有限公司
IPC: H10H20/01 , H10H20/812
Abstract: 一种量子点单光子源的制备方法，包括以下步骤：(1)在衬底材料背面沉积SiO2介质膜；(2)通过电子束曝光及干法刻蚀工艺的工艺基于SiO2介质膜制备出所需要的图形结构；(3)采用分子束外延生长工艺在此衬底正面进行量子点单光子源结构的外延生长；(4)通过电子束曝光和刻蚀工艺形成光源单元完成量子点单光子源制备。该方法全部采用标准半导体工艺，提高了量子点单光子源的成品率，降低了制备难度，解决了难以批量化生产的问题，便于工业生产。
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公开(公告)号：CN118213845A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410171216.8
申请日：2024-02-06
Applicant: 青岛翼晨镭硕科技有限公司
IPC: H01S3/1118 , C23C14/30 , C23C14/00 , C23C14/14 , C23C14/58 , C23C16/40 , C23C16/50 , C01B32/194 , C01B33/18
Abstract: 一种纳米网格石墨烯可饱和吸收体，所述纳米网格石墨烯可饱和吸收体依次包括砷化镓衬底层、布拉格反射层、量子阱吸收层、SiO2纳米柱层、石墨烯纳米网格层；所述SiO2纳米柱层的厚度为100‑300nm；石墨烯纳米网格层使用单层石墨烯；所述石墨烯纳米网格层和SiO2纳米柱层为相同的点阵结构和反点阵结构。所述纳米网格石墨烯可饱和吸收体可以控制石墨烯带隙，氧化硅纳米柱可以限制载流子逃逸，形成局域等离子增强效应，协同作用增强可饱和吸收效果。所述制备方法可重复性好，且在工艺流程中不需要电子束曝光等高精度纳米级光刻，成本低，效率高。
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公开(公告)号：CN116914562A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310741387.5
申请日：2023-06-21
Applicant: 青岛翼晨镭硕科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种制备倾斜端面超辐射发光管的方法，包括如下步骤：s1、制备外延片，s2、制备波导结构，s3、制备倾斜端面，s4、制备电极窗口，s5、制备P面电极，s6、减薄和抛光，s7、制备N面电极，s8、退火，获得倾斜端面超辐射发光管。该制备倾斜端面超辐射发光管的方法采用标准半导体工艺，并在流程中引入法拉第笼等电位面诱导等离子体倾斜方向刻蚀制备倾斜端面，操作简单、生产效率高，可以批量制备倾斜端面超辐射发光管。
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公开(公告)号：CN119913622A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411911550.9
申请日：2024-12-24
Applicant: 青岛翼晨镭硕科技有限公司
Abstract: 一种规则有序量子点或线材料的制备方法，包括以下步骤：(1)对GaAs衬底进行清洗；(2)附着纳米微球；(3)衬底刻蚀；(4)清洗和去除残余的纳米微球；(5)量子点/量子线的生长，将加工后具有规则有序的圆台结构的衬底放入分子束外延设备中进行量子点/量子线的生长。该方法制备工艺简单，成本低，适用范围广，重复性高，可以制备出尺寸分布均匀、密度高、空间有序性好的量子点/量子线；同时，可以通过调控纳米微球的尺寸和等离子体刻蚀工艺调控阱的尺寸及分布情况，进而调控所制备量子点/量子线的尺寸和密度。
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公开(公告)号：CN119913459A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411911552.8
申请日：2024-12-24
Applicant: 青岛翼晨镭硕科技有限公司
Abstract: 一种控制量子线或量子点生长的图形衬底及其制作方法，该方法通过简单的工艺镀介质膜、光刻和刻蚀，提供了一种背面带有纳米介质层网状结构的图形衬底，在外延生长过程中在衬底正面形成不同温度分布，促进量子点/量子线制备。
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