公开(公告)号：CN1732123A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200380107421.4

申请日：2003-10-23

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 比什努·戈戈伊

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0177

Abstract: 提供一种形成半导体结构的方法。根据该方法，其上布置有牺牲层(103)并在牺牲层(103)上布置有薄的单晶半导体层(105)的半导体衬底(101)被提供。然后贯穿半导体层(105)并进入牺牲层(103)的开口(107)被形成。然后半导体层(105)外延生长至合适的器件厚度，从而获得器件层。半导体层被生长，使得所得到的器件层在开口(107)上延伸，并且使得在开口上延伸的器件层部分的表面是单晶硅。

公开(公告)号：CN100440420C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200380107421.4

申请日：2003-10-23

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 比什努·戈戈伊

IPC: H01L21/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0177

Abstract: 提供一种形成半导体结构的方法。根据该方法，其上布置有牺牲层(103)并在牺牲层(103)上布置有薄的单晶半导体层(105)的半导体衬底(101)被提供。然后贯穿半导体层(105)并进入牺牲层(103)的开口(107)被形成。然后半导体层(105)外延生长至合适的器件厚度，从而获得器件层。半导体层被生长，使得所得到的器件层在开口(107)上延伸，并且使得在开口上延伸的器件层部分的表面是单晶硅。