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公开(公告)号：CN114388674B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202210050788.1
申请日：2017-10-11
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
Abstract: 提供一种高可靠性发光二极管。发光二极管，包括：第一导电型半导体层；台面，布置在第一导电型半导体层上，并且包括第二导电型半导体层以及布置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，布置在台面上而与第二导电型半导体层欧姆接触；下部绝缘层，覆盖台面以及欧姆反射层，并且局部地暴露第一导电型半导体层以及欧姆反射层；第一焊盘金属层，布置在下部绝缘层上，并且与第一导电型半导体层电连接；金属反射层，布置在下部绝缘层上，并且与第一焊盘金属层在水平方向上相隔；以及上部绝缘层，覆盖第一焊盘金属层以及金属反射层，并且具有暴露第一焊盘金属层的开口部，金属反射层的至少一部分覆盖台面的侧表面。
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公开(公告)号：CN110036483B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201780074372.0
申请日：2017-11-02
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
Abstract: 本发明提供一种具有多个发光单元的发光二极管。根据一实施例的发光二极管包括：下部绝缘层；连接部，布置于下部绝缘层上而连接发光单元；以及上部绝缘层，覆盖所述连接部和下部绝缘层，其中，下部绝缘层的边缘部位相比于发光单元的边缘部位更远离上部绝缘层的边缘部位而隔开。因此，能够保护对水分脆弱的下部绝缘层，从而能够提高发光二极管的可靠性。
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公开(公告)号：CN111063780B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201911346191.6
申请日：2017-10-11
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
Abstract: 提供一种高可靠性发光二极管。发光二极管，包括：第一导电型半导体层；台面，布置在第一导电型半导体层上，并且包括第二导电型半导体层以及布置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，布置在台面上而与第二导电型半导体层欧姆接触；下部绝缘层，覆盖台面以及欧姆反射层，并且局部地暴露第一导电型半导体层以及欧姆反射层；第一焊盘金属层，布置在下部绝缘层上，并且与第一导电型半导体层电连接；金属反射层，布置在下部绝缘层上，并且与第一焊盘金属层在水平方向上相隔；以及上部绝缘层，覆盖第一焊盘金属层以及金属反射层，并且具有暴露第一焊盘金属层的开口部，金属反射层的至少一部分覆盖台面的侧表面。
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公开(公告)号：CN110828502B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201910727568.6
申请日：2019-08-07
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光元件。发光元件包括：第一发光单元，配置到基板的第一区域，包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层；第二发光单元，配置到基板的第二区域，与第一发光单元相隔，包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层；第一导电图案，配置到第一区域，包括与第一导电型半导体层电连接的接触部；以及连接图案，包括与第一发光单元的第二导电型半导体层电连接的接触部、及与第二发光单元的第一导电型半导体层电连接的接触部；在与第二发光单元面对的第一区域的边缘，第一导电图案的一接触部配置到连接图案与第一发光单元的第二导电型半导体层电连接的接触部之间，第一导电图案的一接触部向外侧开放。
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公开(公告)号：CN111048545B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201911343945.2
申请日：2017-11-02
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
Abstract: 本发明提供一种具有多个发光单元的发光二极管，包括：基板；多个发光单元；欧姆反射层，欧姆接触第二导电型半导体层；下部绝缘层，覆盖发光单元及欧姆反射层；连接部，布置于下部绝缘层，电连接发光单元而形成串联矩阵；第一垫金属层，与布置于串联矩阵的末端的最后一个发光单元的第一导电型半导体层电连接；第二垫金属层，与布置于串联矩阵的首端的第一发光单元的欧姆反射层电连接；上部绝缘层，覆盖连接部、第一垫金属层及第二垫金属层，具有使第一垫金属层及第二垫金属层的上表面暴露的开口部；浮置反射层，布置于下部绝缘层，被上部绝缘层覆盖，沿基板的边缘部位布置；第一凸起垫和第二凸起垫，连接于第一垫金属层及第二垫金属层的上表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110690242B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201910953376.7
申请日：2016-02-04
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种发光元件。所述发光元件，包括：第一发光单元；第二发光单元，布置为与所述第一发光单元共面并且电串联连接到所述第一发光单元；以及电极连接，将所述第一发光单元电连接到所述第二发光单元，其中，所述电极连接包括：第一电极连接，布置在所述第一发光单元上；第二电极连接，布置在所述第二发光单元上；以及中间连接，介于所述第一发光单元与所述第二发光单元之间，其中，所述第二电极连接包括从所述中间连接延伸的边缘部以及从所述边缘部分支的多个分支。
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公开(公告)号：CN110600593A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910834913.6
申请日：2013-10-22
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
IPC: H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/08 , H01L25/075
Abstract: 本发明提供一种发光二极管。所述发光二极管包含：透明衬底，具有第一表面、第二表面以及侧表面；第一导电型半导体层，位于所述透明衬底的所述第一表面上；第二导电型半导体层，位于所述第一导电型半导体层上；作用层，位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间；第一衬垫，电连接到所述第一导电型半导体层；以及第二衬垫，电连接到所述第二导电型半导体层。此外，由所述作用层产生的光通过所述透明衬底的所述第二表面发射到所述透明衬底外部，并且所述发光二极管在至少一个轴向方向上具有至少140度的光束角。因此，可以提供一种适合于背光单元或表面照明设备的发光二极管。
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公开(公告)号：CN107134519B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201710165974.9
申请日：2013-06-14
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
Abstract: 提供一种其中通过保护绝缘层限定的构造成包围反射金属层的导电阻挡层的发光二极管(LED)及其制造方法。包括反射金属层和导电阻挡层的反射图案形成在其中形成有第一半导体层、活性层和第二半导体层的发光结构上。在形成工艺过程中，导电阻挡层防止反射金属层的扩散，并且延伸至凹进到具有外伸结构的光刻胶图案下方的保护绝缘层。由此防止导电阻挡层与具有外伸结构的光刻胶图案的侧壁形成接触以及反射金属层形成尖端的现象。由此可以制造出具有各种不同形状的LED模块。
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公开(公告)号：CN104733365B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201410804463.3
申请日：2014-12-19
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/02647 , C30B25/18 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/0265 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/22 , Y10T117/10
Abstract: 本发明公开一种半导体生长用模板、基板分离方法及发光元件制造方法。所述半导体生长用模板包括：生长基板；种子层，位于所述生长基板上，并且包括一个以上的沟槽，其中，所述沟槽包括上部沟槽及下部沟槽，所述上部沟槽的宽度可小于所述下部沟槽的宽度。根据本发明，可利用应力剥离容易地从外延层分离生长基板。
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公开(公告)号：CN106663723A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580042254.2
申请日：2015-08-04
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
IPC: H01L33/36
Abstract: 公开了一种发光二极管及其制造方法。该发光二极管包括：第一导电型半导体层；在第一导电型半导体层上彼此间隔开布置的至少两个发光单元，其分别包括有源层和第二导电型半导体层，并且包括第一导电型半导体层通过其而部分地暴露的一个或多个接触孔；位于发光单元之间的附加接触区域；与第二导电型半导体层欧姆接触的第二电极；下绝缘层；以及第一电极，其通过发光单元中的每一者的接触孔以及附加接触区域与第一导电型半导体层进行欧姆接触。
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