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公开(公告)号：CN105934794A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201580005854.1
申请日：2015-01-19
Applicant: 高通股份有限公司
Inventor： 文清·吴 , 拉古·萨加尔·玛达拉 , 肯德里克·海·良·袁 , 卡里姆·阿拉比
IPC: G11C11/18
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/16 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/18 , H01L43/14
Abstract: 本发明涉及存储器元件的系统及方法，所述存储器元件包括混合巨大自旋霍尔效应GSHE‑自旋转移力矩STT磁阻随机存取存储器MRAM元件，所述GSHE‑STT MRAM元件包含：GSHE条带，其形成在第一端子(A)与第二端子(B)之间；及磁性隧道结MTJ，其中所述MTJ的自由层介接所述GSHE条带，且所述MTJ的固定层耦合到第三端子(C)。所述自由层的易磁化轴的定向垂直于由穿越所述第一端子与所述第二端子之间的所述GSHE条带的电子产生的磁化，使得所述MTJ的所述自由层经配置以基于从所述第一端子注入到所述第二端子/从所述第二端子注入到所述第一端子的第一电荷电流及通过所述第三端子注入到所述MTJ中/经由所述第三端子(C)从所述MTJ当中提取的第二电荷电流而切换。
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公开(公告)号：CN104067344A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201380006133.3
申请日：2013-01-23
Applicant: 高通股份有限公司
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/5607 , H01L43/08
Abstract: 一种自旋力矩转移STT磁性穿隧接面MTJ存储器包含：单式固定磁性层；所述单式固定磁性层上的磁性势垒层；所述磁性势垒层上的具有多个自由磁性岛状物的自由磁性层；以及上覆于所述自由磁性层的顶盖层。还揭示一种形成STT-MTJ存储器的方法。
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公开(公告)号：CN105917582A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201580004461.9
申请日：2015-01-19
Applicant: 高通股份有限公司
Inventor： 文清·吴 , 肯德里克·海·良·袁 , 卡里姆·阿拉比
IPC: H03K3/3562 , G11C11/16 , G11C11/18
CPC classification number: G11C11/1693 , G11C11/155 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/18 , G11C14/0081 , H03K3/356008 , H03K3/35625 , H03K3/45
Abstract: 本发明的系统和方法是针对一种三相非易失性触发器NVFF(500)，其包含：主级，其由双巨自旋霍尔效应GSHE?磁性隧道结MTJ结构(J1，J2)形成，其中第一GSHE?MTJ(J1)和第二GSHE?MTJ(J2)耦合在第一组合端子(A1，B2)与第二组合端子(B1，A2)之间；以及从级(Inv1，Inv2，EQ)，其由与第二反相器交叉耦合的第一反相器形成。在写入阶段(Phi3＝1)期间将第二数据值(d)写入到所述主级中的同一时钟循环的读取阶段(Phi2＝1)期间从所述从级读出第一数据值(d)。所述三相NVFF包含三个控制信号(Phi 1，2，3)，用于控制所述从级的初始化阶段(Phi1＝1)、所述读取阶段(Phi2＝1)和所述写入阶段(Phi3＝1)。
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公开(公告)号：CN105917411A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201580004716.1
申请日：2015-01-19
Applicant: 高通股份有限公司
Inventor： 文清·吴 , 肯德里克·海·良·袁 , 卡里姆·阿拉比
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/18 , G11C11/5607 , H01L43/14
Abstract: 本发明的系统和方法是针对多电平单元MLC，其包括：耦合到共同存取晶体管的两个或更多个可编程元件，其中所述两个或更多个可编程元件中的每一者具有一组对应的两个或更多个唯一切换电阻和两个或更多个切换电流特性，以使得在相应两个或更多个切换电阻中配置的所述两个或更多个可编程元件的组合对应于多位二进制状态，所述多位二进制状态可通过使切换电流通过所述共同存取晶体管来控制。所述两个或更多个可编程元件中的每一者包含一或多个混合巨自旋霍尔效应GSHE?自旋转移力矩STT磁阻随机存取存储器MRAM单元，其中两个或更多个混合GSHE?STT MRAM单元并联耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107077881B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201580057658.9
申请日：2015-10-01
Applicant: 高通股份有限公司
Inventor： 章尧君 , 文清·吴 , 肯德里克·海·良·袁 , 卡里姆·阿拉比
IPC: G11C11/16 , G11C11/18 , H03K3/45 , H03K19/003 , H03K19/18
Abstract: 系统和方法涉及避免由巨自旋霍耳效应GSHE磁性隧道结MTJ元件形成的自旋电子逻辑门中的非所要电流路径或潜路径。潜路径防止逻辑耦合到所述GSHE MTJ元件，以防止所述潜路径。所述潜路径防止逻辑可包含耦合到所述一或多个GSHE MTJ元件的一或多个晶体管，以限制写入电流在写入操作期间从既定管线级流动到非既定管线级。所述潜路径防止逻辑还可包含耦合到所述一或多个GSHE MTJ元件的一或多个二极管，以防止预设电流流入输入电路或充电电流产生电路中。预设线可耦合到所述一或多个GSHE MTJ元件，以使预设电流分流，而不流入非既定路径中。
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公开(公告)号：CN105934794B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201580005854.1
申请日：2015-01-19
Applicant: 高通股份有限公司
Inventor： 文清·吴 , 拉古·萨加尔·玛达拉 , 肯德里克·海·良·袁 , 卡里姆·阿拉比
IPC: G11C11/18
Abstract: 本发明涉及存储器元件的系统及方法，所述存储器元件包括混合巨大自旋霍尔效应GSHE‑自旋转移力矩STT磁阻随机存取存储器MRAM元件，所述GSHE‑STT MRAM元件包含：GSHE条带，其形成在第一端子(A)与第二端子(B)之间；及磁性隧道结MTJ，其中所述MTJ的自由层介接所述GSHE条带，且所述MTJ的固定层耦合到第三端子(C)。所述自由层的易磁化轴的定向垂直于由穿越所述第一端子与所述第二端子之间的所述GSHE条带的电子产生的磁化，使得所述MTJ的所述自由层经配置以基于从所述第一端子注入到所述第二端子/从所述第二端子注入到所述第一端子的第一电荷电流及通过所述第三端子注入到所述MTJ中/经由所述第三端子(C)从所述MTJ当中提取的第二电荷电流而切换。
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公开(公告)号：CN105917411B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201580004716.1
申请日：2015-01-19
Applicant: 高通股份有限公司
Inventor： 文清·吴 , 肯德里克·海·良·袁 , 卡里姆·阿拉比
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/18 , G11C11/5607 , H01L43/14
Abstract: 本发明的系统和方法是针对多电平单元MLC，其包括：耦合到共同存取晶体管的两个或更多个可编程元件，其中所述两个或更多个可编程元件中的每一者具有一组对应的两个或更多个唯一切换电阻和两个或更多个切换电流特性，以使得在相应两个或更多个切换电阻中配置的所述两个或更多个可编程元件的组合对应于多位二进制状态，所述多位二进制状态可通过使切换电流通过所述共同存取晶体管来控制。所述两个或更多个可编程元件中的每一者包含一或多个混合巨自旋霍尔效应GSHE‑自旋转移力矩STT磁阻随机存取存储器MRAM单元，其中两个或更多个混合GSHE‑STT MRAM单元并联耦合。
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公开(公告)号：CN107077881A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580057658.9
申请日：2015-10-01
Applicant: 高通股份有限公司
Inventor： 章尧君 , 文清·吴 , 肯德里克·海·良·袁 , 卡里姆·阿拉比
IPC: G11C11/16 , G11C11/18 , H03K3/45 , H03K19/003 , H03K19/18
Abstract: 系统和方法涉及避免由巨自旋霍耳效应GSHE磁性隧道结MTJ元件形成的自旋电子逻辑门中的非所要电流路径或潜路径。潜路径防止逻辑耦合到所述GSHE‑MTJ元件，以防止所述潜路径。所述潜路径防止逻辑可包含耦合到所述一或多个GSHE‑MTJ元件的一或多个晶体管，以限制写入电流在写入操作期间从既定管线级流动到非既定管线级。所述潜路径防止逻辑还可包含耦合到所述一或多个GSHE‑MTJ元件的一或多个二极管，以防止预设电流流入输入电路或充电电流产生电路中。预设线可耦合到所述一或多个GSHE‑MTJ元件，以使预设电流分流，而不流入非既定路径中。
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公开(公告)号：CN102884580A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180022699.6
申请日：2011-05-06
Applicant: 高通股份有限公司
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/54 , G11C11/5607
Abstract: 将概率性编程电流注入到双稳态概率性切换元件的群集中，所述概率性编程电流具有经设定以导致任何给定双稳态切换元件进行切换的小于1的概率的参数，且检测所述双稳态切换元件的群集的电阻。注入所述概率性编程电流且检测群集状态的所述电阻，直到满足终止条件为止。任选地，所述终止条件是检测到所述双稳态切换元件的群集的所述电阻处于表示多位数据的值。
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