公开(公告)号：CN103219328B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310119417.5

申请日：2009-04-27

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： 肯尼斯·卡斯考恩 ,  顾士群 ,  马修·M·诺瓦克

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3735 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01019

Abstract: 本申请涉及三维集成电路横向散热。通过用热传导材料（320）填充堆叠的IC装置的层（31、32）之间的气隙，可横向转移在所述层中的一者内的一个或一个以上位置处产生的热。所述热的所述横向转移可沿着所述层的全部长度，且所述热材料可为电绝缘的。可将穿硅通孔（331）构造于某些位置处以辅助远离受热干扰位置（310）的散热。

公开(公告)号：CN103219328A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310119417.5

申请日：2009-04-27

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： 肯尼斯·卡斯考恩 ,  顾士群 ,  马修·M·诺瓦克

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3735 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01019

Abstract: 本申请涉及三维集成电路横向散热。通过用热传导材料（320）填充堆叠的IC装置的层（31、32）之间的气隙，可横向转移在所述层中的一者内的一个或一个以上位置处产生的热。所述热的所述横向转移可沿着所述层的全部长度，且所述热材料可为电绝缘的。可将穿硅通孔（331）构造于某些位置处以辅助远离受热干扰位置（310）的散热。

公开(公告)号：CN102017139B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200980115289.9

申请日：2009-04-27

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： 肯尼斯·卡斯考恩 ,  顾士群 ,  马修·M·诺瓦克

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3735 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01019

Abstract: 通过用热传导材料(320)填充堆叠的IC装置的层(31、32)之间的气隙，可横向转移在所述层中的一者内的一个或一个以上位置处产生的热。所述热的所述横向转移可沿着所述层的全部长度，且所述热材料可为电绝缘的。可将穿硅通孔(331)构造于某些位置处以辅助远离受热干扰位置(310)的散热。

公开(公告)号：CN102017139A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115289.9

申请日：2009-04-27

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： 肯尼斯·卡斯考恩 ,  顾士群 ,  马修·M·诺瓦克

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3735 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01019

Abstract: 通过用热传导材料(320)填充堆叠的IC装置的层(31、32)之间的气隙，可横向转移在所述层中的一者内的一个或一个以上位置处产生的热。所述热的所述横向转移可沿着所述层的全部长度，且所述热材料可为电绝缘的。可将穿硅通孔(331)构造于某些位置处以辅助远离受热干扰位置(310)的散热。