离子电流下降补偿
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115769337A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202180047728.8

    申请日:2021-07-09

    Abstract: 在一些实施例中,公开了高电压电源,所述高电压电源提供了在两个随后脉冲之间不具有任何电压下降的多个高压脉冲。在一些实施例中,公开了高电压电源,所述高电压电源提供了具有多个高电压脉冲的电压随时间变化的波形,所述多个高电压脉冲具有大于1kV的电压以及具有脉冲之间实质上扁平的部分。在一些实施例中,公开了包括缓冲电路的高电压电源,所述缓冲电路具有大约7.5mΩ–1.25Ω电阻值的缓冲电阻;和具有大约2μF–35μF电容值的缓冲电容。

    离子电流下降补偿
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116636144A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202180067796.0

    申请日:2021-10-04

    Abstract: 公开了脉冲发生器。脉冲发生器包括直流电源;多个开关,变压器;和脉冲输出。脉冲发生器可以与等离子体室耦合。脉冲输出输出高压脉冲,该高压脉冲具有大于1kV的峰间电压和连续高压双极性脉冲之间的电压部分,该电压部分具有负斜率,该负斜率大大抵消了等离子室内晶圆上由于离子电流而降低的电压。晶圆处得到的电压在连续脉冲之间可能基本平坦。

    高频RF发生器和DC脉冲
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115552571A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202180034265.1

    申请日:2021-05-12

    Abstract: 公开了纳秒脉冲发生器系统。在一些实施例中,纳秒脉冲提供可包括高压电源;纳秒脉冲发生器,所述纳秒脉冲发生器与高压电源进行电耦接,所述纳秒脉冲发生器在高频率下切换来自所述高压电源的电压;具有初级侧和次级侧的变压器,所述纳秒脉冲发生器与变压器的初级测电耦接;和输出,所述输出与变压器电耦接产生波形。在一些实施例中,所述波形包括多个高压脉冲,所述高压脉冲具有大于大约2kV的脉冲幅度,脉冲宽度,和脉冲重复频率;以及具有波形频率和大于100v波形幅度的正弦波形。

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