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公开(公告)号：CN112823405A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201980049940.0
申请日：2019-07-29
Applicant: 鹰港科技有限公司
Abstract: 公开一种高电压功率系统。在一些实施例中，所述高电压功率系统包括：高电压脉冲发生电源；变压器，其与所述高电压脉冲发生电源电耦合；输出，其与所述变压器电耦合，并且配置为输出具有大于1kV的幅度和大于1kHz的频率的高电压脉冲；和偏置补偿电路，其布置为与所述输出并联。在一些实施例中，所述偏置补偿电路可以包括：阻流二极管；和DC电源，其布置为与所述阻流二极管串联。
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公开(公告)号：CN115943735A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201980048964.4
申请日：2019-07-29
Applicant: 鹰港科技有限公司
Inventor： 艾丽亚·斯劳伯道夫 , 迪麦西·津巴 , 约翰·卡斯凯德 , 肯尼斯·米勒 , 华采姆·耶格尔 , 埃里克·汉森 , 太绅·耶格尔 , 凯文·马格利 , 摩根·昆利 , 康纳·利斯顿
IPC: H05H1/24 , H01J37/32 , C01B13/11 , C01B13/10 , H03K5/13 , H03K3/02 , H03K7/04 , H03K7/06 , H03K7/08 , H03K7/10
Abstract: 一些实施例包括一种高电压脉冲发生电源。所述高电压脉冲发生电源可以包括：高电压脉冲发生器，其具有提供具有大于大约1kV的幅度、小于大约1μs的脉冲宽度和大于大约20kHz的脉冲重复频率的脉冲的输出；等离子体腔室；和电极，其被部署在所述等离子体腔室内，所述电极与所述高电压脉冲发生器的所述输出电耦合，以在所述等离子体腔室内产生电场。
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公开(公告)号：CN115769337A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180047728.8
申请日：2021-07-09
Applicant: 鹰港科技有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 在一些实施例中，公开了高电压电源，所述高电压电源提供了在两个随后脉冲之间不具有任何电压下降的多个高压脉冲。在一些实施例中，公开了高电压电源，所述高电压电源提供了具有多个高电压脉冲的电压随时间变化的波形，所述多个高电压脉冲具有大于1kV的电压以及具有脉冲之间实质上扁平的部分。在一些实施例中，公开了包括缓冲电路的高电压电源，所述缓冲电路具有大约7.5mΩ–1.25Ω电阻值的缓冲电阻；和具有大约2μF–35μF电容值的缓冲电容。
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公开(公告)号：CN114930488A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080089882.7
申请日：2020-12-23
Applicant: 鹰港科技有限公司
Abstract: 本发明的实施例包括一种等离子体系统。所述等离子体系统包括：等离子体腔室；RF驱动器，其配置为用RF频率将突发驱动到所述等离子体腔室中；纳秒脉冲发生器，其配置为用脉冲重复频率将脉冲驱动到所述等离子体腔室中，所述脉冲重复频率小于所述RF频率；高通滤波器，其部署在所述RF驱动器与所述等离子体腔室之间；和低通滤波器，其部署在所述纳秒脉冲发生器与所述等离子体腔室之间。
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公开(公告)号：CN112823405B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201980049940.0
申请日：2019-07-29
Applicant: 鹰港科技有限公司
Abstract: 公开一种高电压功率系统。在一些实施例中，所述高电压功率系统包括：高电压脉冲发生电源；变压器，其与所述高电压脉冲发生电源电耦合；输出，其与所述变压器电耦合，并且配置为输出具有大于1kV的幅度和大于1kHz的频率的高电压脉冲；和偏置补偿电路，其布置为与所述输出并联。在一些实施例中，所述偏置补偿电路可以包括：阻流二极管；和DC电源，其布置为与所述阻流二极管串联。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114144860A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080023885.0
申请日：2020-01-31
Applicant: 鹰港科技有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一些实施例包括一种等离子体系统，其包括：等离子体室、RF等离子体发生器、偏置发生器和控制器。所述RF等离子体发生器可以与所述等离子体室电耦合，并且可以产生多个RF突发，所述多个RF突发中的每一个包括RF波形，所述多个RF突发中的每一个具有RF突发开启时间和RF突发关闭时间。所述偏置发生器可以与所述等离子体室电耦合，并且可以产生多个偏置突发，所述多个偏置突发中的每一个包括偏置脉冲，所述多个偏置突发中的每一个具有偏置突发开启时间和偏置突发关闭时间。在一些实施例中，所述控制器与所述RF等离子体发生器和所述偏置发生器进行通信，所述控制器控制各种突发或波形的定时。
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公开(公告)号：CN114041203A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202080048240.2
申请日：2020-07-01
Applicant: 鹰港科技有限公司
Abstract: 一些实施例包括等离子体系统。等离子体系统包括等离子体腔室、射频驱动器、纳秒脉冲器、第一滤波器及第二滤波器。射频驱动器以大于2兆赫的射频频率来驱动射频突发至等离子体腔室。纳秒脉冲器以脉冲重复频率及峰值电压来驱动脉冲至等离子体腔室。脉冲重复频率小于射频频率，峰值电压大于2千伏特。第一滤波器配置在射频驱动器及等离子体腔室之间。第二滤波器配置在纳秒脉冲器及等离子体腔室之间。
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公开(公告)号：CN112805920A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980051988.5
申请日：2019-08-09
Applicant: 鹰港科技有限公司
IPC: H03K3/57
Abstract: 一些实施例包括一种等离子体鞘控制系统，其包括：RF电源，其产生具有大于20kHz的频率和大于1kV的峰值电压的正弦波形；和等离子体腔室，其与所述RF电源电耦合，所述等离子体腔室具有通过大于大约1kV的能量受加速到所部署的表面中的多个离子，并且所述等离子体腔室从所述正弦波形在所述等离子体腔室内产生等离子体鞘。所述等离子体鞘控制系统包括：阻流二极管，其电连接在所述RF电源与所述等离子体腔室之间；和电容放电电路，其与所述RF电源、所述等离子体腔室和所述阻流二极管电耦合；所述电容放电电路通过大于1kV的峰值电压并且通过小于250纳秒的放电时间使所述等离子体腔室内的电容电荷放电。
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公开(公告)号：CN113348613B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN201980090264.1
申请日：2019-11-27
Applicant: 鹰港科技有限公司
Abstract: 公开了无需匹配网络的各种RF等离子体系统。在一些实施例中，所述RF等离子体系统包括：能量存储电容器；开关电路，其与所述能量存储电容器耦合，所述开关电路产生具有脉冲幅度和脉冲频率的多个脉冲，所述脉冲幅度大于100伏特；谐振电路，其与所述开关电路耦合。在一些实施例中，所述谐振电路包括：变压器，其具有初级侧和次级侧；和电容器、电感器和电阻器中的至少一个。在一些实施例中，所述谐振电路具有实质上等于所述脉冲频率的谐振频率，并且所述谐振电路将所述脉冲幅度增加到大于2kV的电压。
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公开(公告)号：CN112514254B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN201980049348.0
申请日：2019-07-29
Applicant: 鹰港科技有限公司
Abstract: 一种等离子体沉积系统，其包括晶圆平台、第二电极、第一电极、第一高电压脉冲发生器和第二高电压脉冲发生器。在一些实施例中，所述第二电极可以部署得与所述晶圆平台接近。在一些实施例中，所述第二电极可以包括：盘形状，其具有中心孔径；中心轴；孔径直径和外径。在一些实施例中，所述第一电极可以部署得与所述晶圆平台接近并且处于所述第二电极的所述中心孔径内。在一些实施例中，所述第一电极可以包括盘形状、中心轴和外径。在一些实施例中，所述第一高电压脉冲发生器可以与所述第一电极电耦合。在一些实施例中，所述第二高电压脉冲发生器可以与所述第二电极电耦合。
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