公开(公告)号：CN110770918B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN201880040592.6

申请日：2018-04-19

Applicant: 麦克姆技术解决方案控股有限公司

Inventor： 艾伦·W·汉森 ,  韦恩·马克·斯特鲁布尔 ,  约翰·克拉森·罗伯茨

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/8252

Abstract: 描述了在恶劣环境条件下、用于隔离半导体器件和提高器件可靠性的结构和方法。可以通过在围绕器件的半导体区中进行离子注入来形成隔离区。注入区可以延伸到晶圆的道路部中。钝化层可以沉积在注入区上方，并且比隔离区延伸到道路部中更远，以保护隔离区免受可能对隔离区产生不利影响的环境条件的影响。

公开(公告)号：CN108352412A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680064508.5

申请日：2016-09-07

Applicant: 麦克姆技术解决方案控股有限公司

Inventor： 约翰·克拉森·罗伯茨 ,  凯文·J·林西克姆 ,  艾伦·W·汉森 ,  小詹姆斯·W·库克

IPC: H01L31/00 ,  H01L21/28 ,  H01L31/0248

CPC classification number: H01L29/0638 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/32 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787

Abstract: 本文中总体上描述了III族氮化物材料，包括包含III族氮化物材料区域和含硅衬底的材料结构。某些实施例涉及氮化镓材料和包括氮化镓材料区域和含硅衬底的材料结构。

公开(公告)号：CN114420545A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210020773.0

申请日：2016-09-07

Applicant: 麦克姆技术解决方案控股有限公司

Inventor： 约翰·克拉森·罗伯茨 ,  凯文·J·林西克姆 ,  艾伦·W·汉森 ,  小詹姆斯·W·库克

IPC: H01L21/02

Abstract: 本文中总体上描述了III族氮化物材料，包括包含III族氮化物材料区域和含硅衬底的材料结构。某些实施例涉及氮化镓材料和包括氮化镓材料区域和含硅衬底的材料结构。

公开(公告)号：CN110770918A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201880040592.6

申请日：2018-04-19

Applicant: 麦克姆技术解决方案控股有限公司

Inventor： 艾伦·W·汉森 ,  韦恩·马克·斯特鲁布尔 ,  约翰·克拉森·罗伯茨

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/8252

Abstract: 描述了在恶劣环境条件下、用于隔离半导体器件和提高器件可靠性的结构和方法。可以通过在围绕器件的半导体区中进行离子注入来形成隔离区。注入区可以延伸到晶圆的道路部中。钝化层可以沉积在注入区上方，并且比隔离区延伸到道路部中更远，以保护隔离区免受可能对隔离区产生不利影响的环境条件的影响。

公开(公告)号：CN108352412B

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN201680064508.5

申请日：2016-09-07

Applicant: 麦克姆技术解决方案控股有限公司

Inventor： 约翰·克拉森·罗伯茨 ,  凯文·J·林西克姆 ,  艾伦·W·汉森 ,  小詹姆斯·W·库克

IPC: H01L31/00 ,  H01L21/28 ,  H01L31/0248

Abstract: 本文中总体上描述了III族氮化物材料，包括包含III族氮化物材料区域和含硅衬底的材料结构。某些实施例涉及氮化镓材料和包括氮化镓材料区域和含硅衬底的材料结构。