公开(公告)号：CN114068779B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202111355275.3

申请日：2021-11-16

Applicant: 黄山博蓝特光电技术有限公司

Inventor： 冯晋荃 ,  彭艳亮 ,  徐良 ,  李昌勋 ,  韩理想 ,  刘建哲 ,  祝小林

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/10 ,  H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明公开了一种应用于直下式背光LED芯片的复合型衬底及其制备方法，所述应用于直下式背光LED芯片的复合型衬底，包括蓝宝石基板，所述蓝宝石基板上设置有纳微米图形，所述纳微米图形包括设置在蓝宝石基板上的六棱锥反射层和介电绝缘层。本复合衬底能够显著提升光的出光效率和增加LED的亮度。所述一种应用于直下式背光LED芯片的复合型衬底的制备方法，包括清洗、涂覆反射层、涂胶、一次干法刻蚀、清洗、沉积介电绝缘层、一次涂胶，曝光、显影、二次干法刻蚀、二次涂胶，曝光、显影、沉积DBR反射层等步骤。通过本发明制备的复合衬底具有加工精度高，产品稳定性好，出光效率高的优点，可广泛应用于LED衬底制造领域。

公开(公告)号：CN114068779A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111355275.3

申请日：2021-11-16

Applicant: 黄山博蓝特光电技术有限公司

Inventor： 冯晋荃 ,  彭艳亮 ,  徐良 ,  李昌勋 ,  韩理想 ,  刘建哲 ,  祝小林

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/10 ,  H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明公开了一种应用于直下式背光LED芯片的复合型衬底及其制备方法，所述应用于直下式背光LED芯片的复合型衬底，包括蓝宝石基板，所述蓝宝石基板上设置有纳微米图形，所述纳微米图形包括设置在蓝宝石基板上的六棱锥反射层和介电绝缘层。本复合衬底能够显著提升光的出光效率和增加LED的亮度。所述一种应用于直下式背光LED芯片的复合型衬底的制备方法，包括清洗、涂覆反射层、涂胶、一次干法刻蚀、清洗、沉积介电绝缘层、一次涂胶，曝光、显影、二次干法刻蚀、二次涂胶，曝光、显影、沉积DBR反射层等步骤。通过本发明制备的复合衬底具有加工精度高，产品稳定性好，出光效率高的优点，可广泛应用于LED衬底制造领域。

公开(公告)号：CN107316908A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201710330199.8

申请日：2017-05-11

Applicant: 黄山博蓝特光电技术有限公司

Inventor： 王笑 ,  朱小莉 ,  蓝文安 ,  潘安练 ,  刘建哲 ,  徐良

IPC: H01L31/0296 ,  H01L31/10 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/10 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/1832

Abstract: 本发明涉及一种基于S含量梯度变化的类硫硒化镉纳米带的波长选择性光探测器及其构建方法，属于低维半导体材料光电应用技术领域。本发明所设计的选择性光探测器由n个电极和类硫硒化镉纳米带构成；所述n大于等于3；所述类硫硒化镉纳米带的化学式为CdSxSe1-x；所述类硫硒化镉纳米带上，S的含量呈梯度变化；所述x小于1。波长选择性光探测器构建方法为将梯度纳米带分散到SiO2基底上,经过光刻，热蒸发60/20nm Cr/Au,去胶后得到纳米带器件。本发明通过选择单根纳米带不同位置的电极可以得到对应的波长范围的光探测。该探测器可以应用于纳米级光电集成电路。

公开(公告)号：CN107345136A

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201710331219.3

申请日：2017-05-11

Applicant: 黄山博蓝特光电技术有限公司

Inventor： 王笑 ,  潘安练 ,  朱小莉 ,  刘建哲 ,  徐良

IPC: C09K11/88 ,  B82Y30/00 ,  B82Y20/00

CPC classification number: C09K11/881 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及一种WSe2-SnS2 p-n结纳米材料及其制备方法；属于层状合金材料复合结构制备技术领域。所述p-n结纳米材料以WSe2层作为底层，在所述底层上堆叠有SnS2层；得到所述WSe2-SnS2 p-n结纳米材料。所设计的材料中，堆叠在底层上的SnS2层在垂直方向投影所得面积小于底层在垂直方向投影所得的面积。其通过严格控制参数的两次CVD沉积得到。本发明所设计WSe2-SnS2 p-n结纳米材料展现出了明显p-n的特性，结区具有明显的整流特性。其用作光电探测器具有高速响应时间等优异特性。

公开(公告)号：CN206833140U

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201720574235.0

申请日：2017-05-22

Applicant: 黄山博蓝特光电技术有限公司

Inventor： 王笑 ,  刘建哲 ,  潘安练 ,  褚君尉 ,  朱小莉 ,  祝小林 ,  徐良

IPC: G03F7/00

Abstract: 本实用新型公开了一种纳米压印模具，包括上滚轮和下滚轮，所述上滚轮为石英材质的滚轮，所述上滚轮的中心设置有安装孔，安装孔内设置有紫外光源，沿紫外光源的发光方向设置有微透镜，所述上滚轮的表面包覆有一层柔性压印模板；所述下滚轮为橡胶材质的滚轮，上滚轮和下滚轮间留有间隙，上滚轮和下滚轮的转动方向相反，转动线速度相同。本实用新型实现了压印和固化的同步完成，解决了传统技术先压印再固化，搬运过程中衬底片容易受到污染，表面颗粒物增加，导致产品良率低，返工率较高的问题，同时，也大大减小了设备的占地面积和成本。可广泛应用于纳米压印领域。

公开(公告)号：CN216250635U

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202122802888.9

申请日：2021-11-16

Applicant: 黄山博蓝特光电技术有限公司

Inventor： 汪剑 ,  陈亮 ,  朱伟明 ,  徐良 ,  李昌勋 ,  刘建哲 ,  冯晋荃 ,  彭艳亮 ,  韩理想 ,  祝小林

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 本实用新型公开了一种刻蚀机刻蚀气体进气结构，包括刻蚀气体分流盘，所述刻蚀气体分流盘的上表面中间区域设置有布气内沉台，所述布气内沉台内至少设置有一圈内圈喷孔；所述刻蚀气体分流盘的上表面还设置有一圈布气外凹环，所述布气外凹环内设置有外圈喷孔；所述布气内沉台和布气外凹环间设置有阻隔层。本实用新型能够避免内圈刻蚀气体与外圈刻蚀气体间的相互干扰，提高刻蚀气体进入刻蚀盘内圈和外圈的均匀性，从而保证晶片刻蚀的一致性，可广泛应用于晶片刻蚀加工技术领域。