公开(公告)号：CN119545809A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202311098199.1

申请日：2023-08-29

Applicant: 黑龙江大学

Inventor： 王璐 ,  左泽 ,  张夏凡 ,  温殿忠

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种忆阻器，包括衬底和设置在衬底上方的阻变单元，所述阻变单元包括由下至上依次设置的底电极、第二阻变层、中间电极层、第一阻变层和顶电极。本发明还公开了一种基于忆阻器实现二值布尔逻辑的方法，包括：设置逻辑状态表，逻辑表中设置有不同逻辑代码；根据逻辑状态表，初始化忆阻器；根据逻辑状态表，将变量写入忆阻器；根据逻辑状态表，读取忆阻器的变量，读取同时对忆阻器中变量进行改变，获得逻辑结果。本发明公开的忆阻器及实现二值布尔逻辑方法，制备方法操作简单，成本低廉，易于实现小型化和集成化，操作简单，步骤简洁，可以实现所有的16种二值布尔逻辑功能。

公开(公告)号：CN221228166U

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202322330784.1

申请日：2023-08-29

Applicant: 黑龙江大学

Inventor： 王璐 ,  左泽 ,  张夏凡 ,  温殿忠

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  G11C13/00

Abstract: 本实用新型公开了一种忆阻器，包括衬底和设置在衬底上方的阻变单元，所述阻变单元包括由下至上依次设置的底电极、第二阻变层、中间电极层、第一阻变层和顶电极。本实用新型公开的忆阻器及实现二值布尔逻辑方法，制备方法操作简单，成本低廉，易于实现小型化和集成化，操作简单，步骤简洁，可以实现所有的16种二值布尔逻辑功能。