磁膜
    2.
    发明授权
    磁膜 有权

    公开(公告)号:CN113168947B

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN201980081107.4

    申请日:2019-12-17

    Abstract: 本发明描述了一种电绝缘多氧化物单层磁膜,所述电绝缘多氧化物单层磁膜包含铁、锰和锌。所述电绝缘多氧化物单层磁膜具有大于约100微米的平均厚度以及相反的主要第一表面和主要第二表面。所述第一表面和所述第二表面中的至少一者具有形成于所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一者中的基本上平行的第一沟槽的第一规则图案。所述第一规则图案包括第一节距P1,所述第一沟槽具有平均半深全宽W,并且W/P1≥0.1。

    用于传送信息或能量的天线
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115136411A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202180015251.5

    申请日:2021-02-24

    Abstract: 本发明描述了一种用于传送信息或能量的天线。该天线包括导电第一层,该导电第一层在天线的厚度方向上具有宽度,并且沿第一层的长度在第一层的第一纵向端部和第二纵向端部之间纵向延伸,以及电绝缘导热第二层,该电绝缘导热第二层沿第一层的长度粘结到第一层。缠绕第一层和第二层以形成多个基本上同心的环。第二层的宽度和长度基本上与第一层的相应宽度和长度共同延伸,以便沿第一层的长度暴露第一层的相反的纵向边缘表面。本发明还描述了用于制造线圈的线圈和组件。

    用于电磁波的屏蔽带
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112119680A

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN201980032519.9

    申请日:2019-05-07

    Inventor: 禹成宇 徐政柱

    Abstract: 根据本公开的实施方案的屏蔽带包括在同一平面上彼此分离的多个屏蔽构件,并且当屏蔽带在垂直于屏蔽带的厚度方向的第一方向上拉伸时,屏蔽构件的至少一部分之间的距离增加,并且屏蔽构件的另一部分之间的距离减小。

    用于电磁波的屏蔽带
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112119680B

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN201980032519.9

    申请日:2019-05-07

    Inventor: 禹成宇 徐政柱

    Abstract: 根据本公开的实施方案的屏蔽带包括在同一平面上彼此分离的多个屏蔽构件,并且当屏蔽带在垂直于屏蔽带的厚度方向的第一方向上拉伸时,屏蔽构件的至少一部分之间的距离增加,并且屏蔽构件的另一部分之间的距离减小。

    磁膜
    8.
    发明公开
    磁膜 有权

    公开(公告)号:CN113168947A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN201980081107.4

    申请日:2019-12-17

    Abstract: 本发明描述了一种电绝缘多氧化物单层磁膜,所述电绝缘多氧化物单层磁膜包含铁、锰和锌。所述电绝缘多氧化物单层磁膜具有大于约100微米的平均厚度以及相反的主要第一表面和主要第二表面。所述第一表面和所述第二表面中的至少一者具有形成于所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一者中的基本上平行的第一沟槽的第一规则图案。所述第一规则图案包括第一节距P1,所述第一沟槽具有平均半深全宽W,并且W/P1≥0.1。

    线圈和包括该线圈的电气系统
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116547768A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202180071578.4

    申请日:2021-10-18

    Inventor: 金辰旭 禹成宇

    Abstract: 本公开涉及一种线圈和一种电气系统。根据本公开的实施方案,具体地,提供了一种线圈,该线圈包括:主线圈表面,该主线圈表面彼此面对并且是基本上平面的;以及多层膜,该多层膜被卷绕,以形成基本上同心的多个环,其中多个环包括最内侧环、第一中间环和最外侧环,最内侧环包括多层膜的第一纵向端,最外侧环包括多层膜的第二纵向端,其中多层膜包括第一导电层、第二导磁层和第三粘合剂层,其中第二导磁层通过第三粘合剂层与第一导电层耦合,其中第一导电层、第二导磁层和第三粘合剂层具有基本上彼此共同延伸的宽度和长度,使得基本上平面的主线圈表面分别包括第一导电层、第二导磁层和第三粘合剂层的对应端面,其中第一中间环设置在最内侧环与最外侧环之间,其中第一导电端子在第一中间环的第一导电层上端接。

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