图案化并排列半导体纳米粒子

    公开(公告)号:CN101061576A

    公开(公告)日:2007-10-24

    申请号:CN200580027645.3

    申请日:2005-06-20

    Abstract: 本发明提供一种制造包括排列的半导体纳米粒子和受体基材的器件的方法,包括以下步骤:a)排列多个第一半导体纳米粒子;b)将排列的第一半导体纳米粒子沉积到第一给体片材上;和c)通过使用激光照射,将至少一部分排列的第一半导体纳米粒子转移到受体基材。通常,所述半导体纳米粒子是无机的半导体纳米粒子。排列步骤可以通过任何适当的方法实现,通常包括:1)通过可以织构的或微孔道的表面中或其上的毛细流动排列:2)通过可以自组装单层(SAM)上模板化而排列:3)通过可以织构聚合物表面上模板化而排列:或4)通过混入包括向列型液晶的组合物中随后剪切取向向列型液晶而排列。在一些实施方式中,所述方法另外包括以下步骤:d)排列第二多个第二纳米粒子;e)将排列的第二纳米粒子沉积到相同的给体片材或第二给体片材;和f)通过使用激光照射,将至少一部分排列的第二纳米粒子转移到所述相同的受体基材。所述第二纳米粒子可为导电粒子,绝缘粒子,或半导体纳米粒子,包括无机的半导体纳米粒子,和可以与第一半导体纳米粒子的组成相同或不同。另外,提供根据本发明的方法制造的器件。

    制备纳米粒子的方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101573415A

    公开(公告)日:2009-11-04

    申请号:CN200780047508.5

    申请日:2007-12-18

    Abstract: 一种方法,包括(a)混合(1)至少一种碱和(2)至少一种金属羧酸盐,或金属羧酸盐前体,或它们的混合物,所述金属羧酸盐具有(i)选自形成两性金属氧化物或羟基氧化物的金属阳离子的金属阳离子和(ii)具有一至四个亚烷氧基部分的羧酸盐阴离子,所述金属羧酸盐前体具有(i)包含所述金属阳离子和非干扰阴离子的至少一种金属盐和(ii)包含一至四个亚烷氧基部分的至少一种羧酸、所述羧酸和非干扰非金属阳离子的至少一种盐;以及(b)允许所述碱和所述金属羧酸盐或金属羧酸盐前体发生反应。

    制备纳米粒子的方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101573415B

    公开(公告)日:2013-08-14

    申请号:CN200780047508.5

    申请日:2007-12-18

    Abstract: 一种方法,包括(a)混合(1)至少一种碱和(2)至少一种金属羧酸盐,或金属羧酸盐前体,或它们的混合物,所述金属羧酸盐具有(i)选自形成两性金属氧化物或羟基氧化物的金属阳离子的金属阳离子和(ii)具有一至四个亚烷氧基部分的羧酸盐阴离子,所述金属羧酸盐前体具有(i)包含所述金属阳离子和非干扰阴离子的至少一种金属盐和(ii)包含一至四个亚烷氧基部分的至少一种羧酸、所述羧酸和非干扰非金属阳离子的至少一种盐;以及(b)允许所述碱和所述金属羧酸盐或金属羧酸盐前体发生反应。

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