双向可控的可控硅
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1155098C

    公开(公告)日:2004-06-23

    申请号:CN98104196.5

    申请日:1998-03-20

    CPC classification number: H01L29/0839 H01L29/747

    Abstract: 此处的双向可控的可控硅的优点是改善了在两个可控硅结构间的去耦合,特别是不可能由于载流子的不需要的迁移而不受控制地触发串联结构。这通过下面的方法实现:增加阴极区域向着隔离区域减小的度。特别是可以通过下面方法实现:短路区域的每面积单位的密度向着隔离区域趋向一个最大值。使用一个线形的、沿着隔离区域延伸的贯穿的短路区域特别有效。

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