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发明公开
膜及其制造方法、以及半导体封装件的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN116867645A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202180094409.2

申请日：2021-12-15

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 小寺省吾 , 竹中聪史 , 长谷川哲也 , 八百板隆俊 , 森野正行 , 徳永未央 , 早坂由起

IPC: B32B27/00

Abstract: 本公开提供一种膜、所述膜的制造方法以及使用了所述膜的半导体封装件，其中，所述膜至少具备基材和防静电层，并且具备以下特征：25℃下单轴拉伸300％后进行胶带剥离试验时的剥离面积的比例小于5％；或者25℃下单轴拉伸300％后进行擦拭试验时满足式(H2‑H1)≥0(H1为擦拭前的雾度、H2为擦拭后的雾度)；或者在通过X射线光电子能谱法进行的所述基材的所述防静电层侧的表面化学组成分析中，O/C在0.010～0.200的范围内或N/F在0.010～0.100的范围内。

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