二氧化硅颗粒分散液
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119156348A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202380038964.2

    申请日:2023-04-25

    Inventor: 加茂博道

    Abstract: 本发明提供:抑制进行制膜时的颗粒突起、提高剥离强度的二氧化硅颗粒分散液。本发明的二氧化硅颗粒分散液包含:球状二氧化硅颗粒和溶剂,前述球状二氧化硅颗粒的中值粒径d50为0.5~20μm,前述球状二氧化硅颗粒的比表面积A(m2/g)与前述中值粒径d50(μm)之积A×d50为2.7~5.0μm·m2/g。

    中空二氧化硅颗粒及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118317921A

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202280079036.6

    申请日:2022-11-17

    Abstract: 本发明提供一种新的中空二氧化硅颗粒,其相对介电常数和介电损耗均足够小,并且在树脂中的分散性也优异。本发明的中空二氧化硅颗粒具备含有二氧化硅的壳层,且在壳层的内部具有空间部,其中,若将由通过使用了氩气的干式比重瓶进行的密度测定求出的颗粒的密度设为A(g/cm3),将BET比表面积设为B(m2/g),则密度与BET比表面积的积(A×B)为1~120m2/cm3。

    中空二氧化硅颗粒及其制造方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118062853A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202410177421.5

    申请日:2021-02-22

    Abstract: 本发明提供介电损耗低、在树脂中的分散性好的中空二氧化硅颗粒及其制造方法。本发明的中空二氧化硅颗粒具备包含二氧化硅的壳层,在前述壳层的内部具有空间部,所述中空二氧化硅颗粒的、基于红外分光法的波数3746cm‑1附近的源自SiOH的峰强度为0.60以下,1GHz下的相对介电常数为1.3~5.0,并且1GHz下的介电损耗角正切为0.0001~0.05。

    中空二氧化硅颗粒及其制造方法

    公开(公告)号:CN115190867B

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202180017437.4

    申请日:2021-02-22

    Abstract: 本发明提供介电损耗低、在树脂中的分散性好的中空二氧化硅颗粒。本发明的中空二氧化硅颗粒具备包含二氧化硅的壳层,在前述壳层的内部具有空间部,所述中空二氧化硅颗粒的、基于红外分光法的波数3746cm‑1附近的源自SiOH的峰强度为0.60以下,1GHz下的相对介电常数为1.3~5.0,并且1GHz下的介电损耗角正切为0.0001~0.05。

    中空二氧化硅颗粒及其制造方法

    公开(公告)号:CN115190867A

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202180017437.4

    申请日:2021-02-22

    Abstract: 本发明提供介电损耗低、在树脂中的分散性好的中空二氧化硅颗粒。本发明的中空二氧化硅颗粒具备包含二氧化硅的壳层,在前述壳层的内部具有空间部,所述中空二氧化硅颗粒的、基于红外分光法的波数3746cm‑1附近的源自SiOH的峰强度为0.60以下,1GHz下的相对介电常数为1.3~5.0,并且1GHz下的介电损耗角正切为0.0001~0.05。

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