-
公开(公告)号：CN110114726A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201780080873.X
申请日：2017-12-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种方法，包括：获得图案形成装置的薄掩模透射函数和用于光刻过程的M3D模型，其中所述薄掩模透射函数是连续透射掩模(CTM)，所述M3D模型至少表示能够归因于所述图案形成装置上的结构的多边缘的M3D效应的一部分；通过使用所述薄掩模透射函数和所述M3D模型确定所述图案形成装置的M3D掩模透射函数；和通过使用所述M3D掩模透射函数确定由所述图案形成装置和所述光刻过程产生的空间图像。
-
公开(公告)号：CN105074575A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480009909.1
申请日：2014-02-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 刘鹏
CPC classification number: G03F7/7055 , G03F7/70441 , G03F7/705
Abstract: 本文公开了一种计算机执行方法，用于模拟在光刻投影设备中包括一个或更多个特征的图案形成装置的散射辐射场，所述方法包括：使用所述一个或更多个特征的特征元素的一个或更多个散射函数确定所述图案形成装置的散射函数；其中一个或更多个特征中的至少一个特征为三维特征，或者所述一个或更多个散射函数表征在所述特征元素上多个入射角的入射辐射场的散射。
-
公开(公告)号：CN105074575B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201480009909.1
申请日：2014-02-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 刘鹏
CPC classification number: G03F7/7055 , G03F7/70441 , G03F7/705
Abstract: 本文公开了一种计算机执行方法，用于模拟在光刻投影设备中包括一个或更多个特征的图案形成装置的散射辐射场，所述方法包括：使用所述一个或更多个特征的特征元素的一个或更多个散射函数确定所述图案形成装置的散射函数；其中一个或更多个特征中的至少一个特征为三维特征，或者所述一个或更多个散射函数表征在所述特征元素上多个入射角的入射辐射场的散射。
-
公开(公告)号：CN107430351A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680016535.5
申请日：2016-02-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 刘鹏
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种计算机实施的方法，该方法包括：假设在垂直于第一方向的任何方向上不存在变形的情况下，获得抗蚀剂层(1050)在第一方向上的变形的至少一个特性；假设在所述第一方向上不存在变形的情况下，获得所述抗蚀剂层在第二方向上的变形的至少一个特性，所述第二方向垂直、不同于所述第一方向；基于在所述第一方向上的所述变形的所述特性和在所述第二方向上的所述变形的所述特性获得所述抗蚀剂层的三维变形的至少一个特性。
-
公开(公告)号：CN103246173B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310038899.1
申请日：2013-01-31
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 刘鹏
CPC classification number: G06F17/5009 , G03F7/705 , G03F7/70625 , G03F7/70666
Abstract: 本发明公开了一种用于模拟由入射辐射造成的形成在衬底上的抗蚀剂层中的辐射的三维空间强度分布的方法，所述方法包括步骤：计算抗蚀剂层中的前向传播辐射和抗蚀剂层中的后向传播辐射的非相干之和；计算抗蚀剂层中的前向传播辐射与抗蚀剂层中的后向传播辐射的干涉；和根据所述非相干之和和所述干涉计算辐射的三维空间强度分布。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110612483B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201880030731.7
申请日：2018-04-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 刘鹏
Abstract: 一种方法，包括：获得用于抗蚀剂显影模型的条件集合，所述抗蚀剂显影模型用于模拟抗蚀剂层的抗蚀剂显影过程；和通过硬件计算机系统使用所述条件集合和所述抗蚀剂显影模型来执行所述抗蚀剂显影过程的计算机模拟以获得所述抗蚀剂层的所述显影的特性，其中所述计算机模拟分离地模拟所述抗蚀剂显影过程的不同的特性和某些不同的物理和化学过程。
-
公开(公告)号：CN110337614A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201880013152.1
申请日：2018-02-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种方法，包括：获得设计布局的一部分的特性；确定包括或构成所述部分的图案形成装置的M3D的特性；通过使用计算机，使用包括样本的训练数据训练神经网络，所述样本的特征向量包括所述部分的特性并且所述样本的监督信号包括M3D的特性。还公开了一种方法，包括：获得设计布局的一部分的特性；获得使用包括或构成所述部分的图案形成装置的光刻过程的特性；确定所述光刻过程的结果的特性；通过使用计算机，使用包括样本的训练数据训练神经网络，所述样本的特征向量包括所述部分的特性和所述光刻过程的特性，并且所述样本的监督信号包括所述结果的特性。
-
公开(公告)号：CN103246175B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310049438.4
申请日：2013-02-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G06F17/5081 , G03F7/70125 , G03F7/70433 , G03F7/705 , G03F7/70891
Abstract: 本发明公开一种用于先进光刻术的透镜加热感知的源掩模优化，具体地公开了一种用于改善通过使用光刻投影设备将设计布局的一部分成像到衬底上的光刻过程的计算机执行的方法，光刻投影设备包括照射源和投影光学装置，所述方法包括步骤：计算作为光刻过程的特性的多个设计变量的多变量价值函数，所述设计变量中的至少一些设计变量是照射源和所述设计布局的特性，多变量价值函数的计算考虑使用照射源通过投影光学装置成像所述设计布局的所述部分而引入的对投影光学装置的光学特性的影响；和通过调节所述设计变量直到预定终止条件被满足来重构所述光刻过程的特性。
-
公开(公告)号：CN110114726B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201780080873.X
申请日：2017-12-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种方法，包括：获得图案形成装置的薄掩模透射函数和用于光刻过程的M3D模型，其中所述薄掩模透射函数是连续透射掩模(CTM)，所述M3D模型至少表示能够归因于所述图案形成装置上的结构的多边缘的M3D效应的一部分；通过使用所述薄掩模透射函数和所述M3D模型确定所述图案形成装置的M3D掩模透射函数；和通过使用所述M3D掩模透射函数确定由所述图案形成装置和所述光刻过程产生的空间图像。
-
公开(公告)号：CN110612483A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201880030731.7
申请日：2018-04-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 刘鹏
Abstract: 一种方法，包括：获得用于抗蚀剂显影模型的条件集合，所述抗蚀剂显影模型用于模拟抗蚀剂层的抗蚀剂显影过程；和通过硬件计算机系统使用所述条件集合和所述抗蚀剂显影模型来执行所述抗蚀剂显影过程的计算机模拟以获得所述抗蚀剂层的所述显影的特性，其中所述计算机模拟分离地模拟所述抗蚀剂显影过程的不同的特性和某些不同的物理和化学过程。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.027 seconds)
