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公开(公告)号：CN117480449A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202280041685.7
申请日：2022-06-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 陶峻 , 曹宇 , 克里斯多夫·艾伦·斯彭斯
IPC: G03F1/36
Abstract: 本文中描述一种确定用于掩模图案的辅助特征的方法。所述方法包括：获得(i)包括多个目标特征的目标图案，其中，所述多个目标特征中的每个目标特征包括多个目标边缘；和(ii)经训练的序列至序列机器学习(ML)模型(例如，长短期存储器、门控递归单元等)，所述ML模型被配置成确定用于所述目标图案的亚分辨率辅助特征(SRAF)。对于所述多个目标边缘中的目标边缘，确定围绕所述目标边缘的目标特征的子集的几何信息(例如，长度、宽度、特征之间的距离等)。使用所述几何信息作为输入，所述ML模型产生待放置在所述目标边缘周围的SRAF。
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公开(公告)号：CN114787713A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080075537.8
申请日：2020-10-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于训练机器学习模型以产生预测的被测量图像的方法，包括：获得(a)与参考设计图案相关联的输入目标图像，和(b)与印制于衬底上的指定设计图案相关联的参考测量图像，其中所述输入目标图像与所述参考测量图像为未对准的图像；和通过硬件计算机系统且使用所述输入目标图像训练所述机器学习模型以产生预测的被测量图像。
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公开(公告)号：CN114503035A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202080070209.9
申请日：2020-07-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·F·沙伊甘萨拉克 , 拉斐尔·C·豪厄尔 , 郑羽南 , 尉海清 , 曹宇
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种使用光刻系统模拟待成像于衬底上的图案的方法，所述方法包括：获得待成像于所述衬底上的图案；使所述图案平滑化；以及模拟平滑化的图案的图像。所述平滑化可以包括应用图形低通滤波器，并且所述模拟可以包括应用来自边缘滤波器库的边缘滤波器。
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公开(公告)号：CN111788589A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201980015018.X
申请日：2019-02-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 本文描述了训练与图案化过程相关的机器学习模型的不同方法。本文描述了一种用于训练被配置成预测掩模图案的机器学习模型的方法。该方法包括获得：(i)图案化过程的被配置成预测衬底上的图案的过程模型，其中该过程模型包括一个或更多个经训练的机器学习模型；和(ii)目标图案；以及由硬件计算机系统基于过程模型和成本函数来训练被配置成预测掩模图案的机器学习模型，该成本函数确定预测图案与目标图案之间的差异。
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公开(公告)号：CN110337614A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201880013152.1
申请日：2018-02-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种方法，包括：获得设计布局的一部分的特性；确定包括或构成所述部分的图案形成装置的M3D的特性；通过使用计算机，使用包括样本的训练数据训练神经网络，所述样本的特征向量包括所述部分的特性并且所述样本的监督信号包括M3D的特性。还公开了一种方法，包括：获得设计布局的一部分的特性；获得使用包括或构成所述部分的图案形成装置的光刻过程的特性；确定所述光刻过程的结果的特性；通过使用计算机，使用包括样本的训练数据训练神经网络，所述样本的特征向量包括所述部分的特性和所述光刻过程的特性，并且所述样本的监督信号包括所述结果的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110121681A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201780081265.0
申请日：2017-12-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G05B19/418 , G06T7/00
Abstract: 一种用于诸如减少校准时间、改进模型的精确度以及改进整个制造过程的各种目的的方法，其中通过两个不同的过程模型模拟图像的特性的偏差或通过过程模型模拟且通过量测工具测量所述特性的偏差。
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公开(公告)号：CN102466985B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201110363185.9
申请日：2011-11-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G06F17/50 , G02B19/0014 , G02B19/0028 , G02B19/0095 , G03F7/705
Abstract: 本发明公开了包括通过投影光学装置的光操纵的依赖图案的邻近匹配/调节。此处描述的是用于使光刻投影设备与参考光刻投影设备的特性匹配的方法，其中所述匹配包括优化照射源和投影光学装置特性。投影光学装置可以用于对光刻投影设备中的波前成形。根据此处的实施例，可以通过利用使用传递交叉系数的偏导数的泰勒级数展开或利用线性拟合算法加快所述方法。
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公开(公告)号：CN101846886B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200910221068.1
申请日：2009-11-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G06F17/5081 , G03F1/144 , G03F1/36 , G03F1/70 , G03F7/70483 , G03F7/705 , G03F7/70525 , G03F7/70991 , G06F17/5068
Abstract: 本发明提供一种用于快速敏感度模型计算的ΔTCC。在本发明中，一种用于确定图案的参考图像和另一图像之间的差异的方法包括：确定参考成像函数；确定表示所述参考成像函数和另一成像函数之间的差异的差异函数的参数；基于所述差异函数和所确定的参数计算所述图案的所述参考图像和所述另一图像之间的差异。
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公开(公告)号：CN102799075A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210162521.8
申请日：2012-05-23
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F7/70525 , B29C64/386 , G03F9/7096 , G05B13/04
Abstract: 本发明涉及计算的过程控制。本发明还提供了在计算过程控制(CPC)领域中的多个创新。CPC通过分析光刻设备/过程的时间漂移在芯片制造循环过程中提供了独特的诊断能力，和提供了有助于实现光刻设备/光刻过程的性能稳定性的方案。本发明的实施例通过保持光刻设备的性能和/或光刻过程的参数实质上接近预先定义的基准线条件而能够实现优化的过程窗口和更高的产率。这通过使用光刻过程模拟模型比较测量的时间漂移与基准线性能来完成。如果在制造中，CPC通过平衡晶片量测技术和反馈回路优化了特定图案或掩模版的扫描器，和除此之外监控和控制在时间上的重叠和/或CD均匀性(CDU)性能，以连续地保持系统接近基准线条件。
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公开(公告)号：CN102566299A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110353442.0
申请日：2011-11-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F1/144 , G03F1/02 , G03F1/20 , G03F1/24 , G03F1/26 , G03F1/38 , G03F1/50 , G03F1/72 , G03F7/70141 , G03F7/70258 , G03F7/70525 , G06F17/10 , G06F17/5009 , G06F17/5081 , G06F19/00 , G06F2217/12 , G06F2217/14 , G21K5/00 , Y02P90/265
Abstract: 本发明公开了包括通过投影光学装置的光操纵的依赖图案的邻近匹配/调节。此处描述的是匹配光刻投影设备与参考光刻投影设备的特性的方法，其中所述匹配包括优化投影光学装置特性。投影光学装置可以用于对光刻投影设备中的波前成形。根据此处的实施例，所述方法可以通过利用使用传递交叉系数的偏导数的泰勒级数展开或线性拟合算法加快所述方法。
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