级联缺陷检查
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110709887A

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201880007230.7

    申请日:2018-01-18

    Inventor: 陈志超 方伟

    Abstract: 公开了一种缺陷检查系统。根据某些实施例,该系统包括存储器,该存储器存储被实现为多个模块的指令。多个模块中的每个模块被配置为检测具有不同属性的缺陷。该系统还包括控制器,该控制器被配置为使计算机系统:接收表示晶片的图像的检查数据;将检查数据输入到多个模块中的第一模块,第一模块输出具有第一属性的第一组兴趣点(POI);将第一组POI输入到多个模块中的第二模块,第二模块输出具有第二属性的第二组POI;以及报告第二组POI作为具有第一属性和第二属性两者的缺陷。

    用于带电粒子检查图像对准的自动参数调谐

    公开(公告)号:CN118435118A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202280082775.0

    申请日:2022-11-18

    Abstract: 公开了一种用于检查图像的图像对准的改进方法和系统。一种改进方法包括:获取检查图像,获取与检查图像相对应的参考图像,基于检查图像的特性和参考图像的特性来获取检查图像和参考图像之间的目标对准,基于目标对准来估计对准参数,以及将对准参数应用于后续检查图像。

    用于确定对掩模的特征的校正的方法

    公开(公告)号:CN113924525B

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202080042327.9

    申请日:2020-03-26

    Abstract: 本文中描述了一种用于确定对掩模的特征的校正的方法。该方法包括:获取(i)用于设计布局的图案组,以及(ii)用于设计布局的、使用在图案化工艺中使用的掩模成像的衬底的缺陷检查数据;基于缺陷检查数据,确定与图案组相关联的缺陷图,其中缺陷图包括与设计布局的其他图案相比被印刷在衬底上的概率相对较高的辅助特征的位置;以及经由使用与缺陷图相关联的数据模拟光学邻近校正过程,确定对掩模的特征的校正。

    带电粒子检查中的图像失真校正
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117751379A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202280048219.1

    申请日:2022-06-02

    Abstract: 公开了一种用于校正检查图像的失真的改进的系统和方法。一种用于校正检查图像的失真的改进方法包括获取检查图像,基于与检查图像相对应的参考图像来对准检查图像的多个图像块,通过机器学习模型评估多个图像块中的每个图像块与参考图像的对应图像块之间的对准,基于与检查图像相对应的参考图像来确定检查图像的多个图像块的局部对准结果,基于局部对准结果来确定对准模型,以及基于对准模型来校正检查图像的失真。

    级联缺陷检查
    5.
    发明公开
    级联缺陷检查 审中-实审

    公开(公告)号:CN117408951A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202311293036.9

    申请日:2018-01-18

    Inventor: 陈志超 方伟

    Abstract: 公开了一种缺陷检查系统。根据某些实施例,该系统包括存储器,该存储器存储被实现为多个模块的指令。多个模块中的每个模块被配置为检测具有不同属性的缺陷。该系统还包括控制器,该控制器被配置为使计算机系统:接收表示晶片的图像的检查数据;将检查数据输入到多个模块中的第一模块,第一模块输出具有第一属性的第一组兴趣点(POI);将第一组POI输入到多个模块中的第二模块,第二模块输出具有第二属性的第二组POI;以及报告第二组POI作为具有第一属性和第二属性两者的缺陷。

    用于确定对掩模的特征的校正的方法

    公开(公告)号:CN113924525A

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202080042327.9

    申请日:2020-03-26

    Abstract: 本文中描述了一种用于确定对掩模的特征的校正的方法。该方法包括:获取(i)用于设计布局的图案组,以及(ii)用于设计布局的、使用在图案化工艺中使用的掩模成像的衬底的缺陷检查数据;基于缺陷检查数据,确定与图案组相关联的缺陷图,其中缺陷图包括与设计布局的其他图案相比被印刷在衬底上的概率相对较高的辅助特征的位置;以及经由使用与缺陷图相关联的数据模拟光学邻近校正过程,确定对掩模的特征的校正。

    基于异常的缺陷检查方法和系统
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117751382A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202280047943.2

    申请日:2022-06-03

    Abstract: 用于检测样品上的缺陷的系统和方法包括:接收第一图像和与第一图像相关联的第二图像;使用聚类技术,确定第一图像中的L个第一像素(多个)的N个第一特征描述符(多个)和第二图像中的L个第二像素(多个)的M个第二特征描述符(多个),其中L个第一像素(多个)中的每个第一像素与L个第二像素(多个)中的一个第二像素同位地定位,并且L、M和N为正整数;确定N个第一特征描述符(多个)中的第一特征描述符与M个第二特征描述符(多个)中的K个第二特征描述符(多个)中的每个第二特征描述符之间的K个映射概率,其中K为正整数;以及基于确定K个映射概率中的一个映射概率不超过阈值,来提供用于确定是否存在表示样品上的候选缺陷的反常像素的输出。

    级联缺陷检查
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110709887B

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN201880007230.7

    申请日:2018-01-18

    Inventor: 陈志超 方伟

    Abstract: 公开了一种缺陷检查系统。根据某些实施例,该系统包括存储器,该存储器存储被实现为多个模块的指令。多个模块中的每个模块被配置为检测具有不同属性的缺陷。该系统还包括控制器,该控制器被配置为使计算机系统:接收表示晶片的图像的检查数据;将检查数据输入到多个模块中的第一模块,第一模块输出具有第一属性的第一组兴趣点(POI);将第一组POI输入到多个模块中的第二模块,第二模块输出具有第二属性的第二组POI;以及报告第二组POI作为具有第一属性和第二属性两者的缺陷。

    用于晶片检查的处理参考数据
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115380252A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202180027380.6

    申请日:2021-04-06

    Abstract: 公开了用于便于检查晶片的改进设备和方法。用于便于检查晶片的改进方法包括从与晶片的布局设计相关联的参考图像数据中标识多个重复图案。方法还包括基于参考图像数据的第一特性的变化来确定所标识的多个重复图案中的一个重复图案的图案特征。方法还包括使得晶片的与所确定的图案特征相对应的第一区域被评估。

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