光刻方法和设备
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111492316A

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN201880082014.9

    申请日:2018-12-03

    Abstract: 一种确定用于光刻设备的投影系统的配置的方法是具有罚函数的二次规划问题的实现。该方法包括:接收投影系统的光学性质对投影系统的多个操纵器的配置的依赖性;接收与所述操纵器的物理约束相对应的多个约束;查找操纵器的初始配置;以及迭代地查找操纵器的输出配置。迭代包括重复以下步骤:确定所述多个约束中被违反的一组约束;确定所述操纵器的更新后的配置,所述操纵器的所述更新后的配置依赖于所述多个约束中被违反的所述一组约束和惩罚强度;和增加所述惩罚强度。重复这些步骤,直到满足收敛判据为止。

    光刻方法和设备
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111492316B

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN201880082014.9

    申请日:2018-12-03

    Abstract: 一种确定用于光刻设备的投影系统的配置的方法是具有罚函数的二次规划问题的实现。该方法包括:接收投影系统的光学性质对投影系统的多个操纵器的配置的依赖性;接收与所述操纵器的物理约束相对应的多个约束;查找操纵器的初始配置;以及迭代地查找操纵器的输出配置。迭代包括重复以下步骤:确定所述多个约束中被违反的一组约束;确定所述操纵器的更新后的配置,所述操纵器的所述更新后的配置依赖于所述多个约束中被违反的所述一组约束和惩罚强度;和增加所述惩罚强度。重复这些步骤,直到满足收敛判据为止。

    用于EUV曝光设备中的测量的衍射光栅

    公开(公告)号:CN117581121A

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202280045908.7

    申请日:2022-04-28

    Abstract: 公开了用于确定投影系统的像差图的相位步进测量系统的衍射光栅。光栅是二维衍射光栅,用作EUV光刻设备中的晶片级光栅。特别地,衍射光栅包括衬底并且是自支撑的,该衬底设置有圆形贯通孔径(51)的二维阵列。在一些实施例中,可以选择圆形孔径的半径与相邻孔径的中心之间的距离之比,以最小化波前重建算法的增益误差和串扰误差。例如,比率可以在0.34与0.38之间。在一些实施例中,圆形孔径被分布成使得相邻孔径的中心之间的距离是不均匀的并且跨衍射光栅变化。例如,光栅的局部节距可以跨衍射光栅随机变化。

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