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公开(公告)号：CN119404150A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380049284.0
申请日：2023-05-23
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·A·T·范金斯伯格 , A·J·卡阿塔斯 , J·R·唐斯 , 马克-简·斯皮克曼 , 罗伯托·帕加诺
Abstract: 公开了一种确定物理量的方法。所述方法使用被配置成对多个位置进行并行采样的传感器系统，其中，对每个位置进行采样使用入射到物体平面图案形成装置（标记）和图像平面传感器上的辐射。每个标记包括第一部分和第二部分，所述第一部分不同于所述第二部分，并且其中，所述标记中的至少一个标记的第一部分和所述第二部分相对于其它标记的第一部分和所述第二部分而被转置。每个标记对应于不同的采样位置。对于每个标记的每个部分，所述方法包括：在第一方向上执行第一测量；以及在不同于所述第一方向的第二方向上执行第二测量。四个数据集被确定且随后被组合以确定物理参数。
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公开(公告)号：CN111758076B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201980015239.7
申请日：2019-01-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于校准投影系统加热模型以预测光刻装置中的投影系统中的像差的方法，该方法包括：使曝光辐射通过投影系统，以曝光在衬底台上设置的衬底上的一个或多个曝光场，对由曝光辐射导致的投影系统中的像差进行测量，其中测量之间的时间段小于曝光衬底上的所有曝光场所花费的时间段。
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公开(公告)号：CN108713167B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201780016112.8
申请日：2017-01-26
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种设备，包括：用于调节辐射束的照射系统；用于支撑图案形成装置的支撑件，图案形成装置能够在辐射束的截面中向辐射束赋予图案以形成经图案化的辐射束；被构造为保持衬底的衬底台；用于将经图案化的辐射束投射到衬底的目标部分上的投射系统；以及控制系统，控制系统被配置为：接收表征图案分布的图案数据，接收表征辐射束的辐射数据，基于图案数据和辐射数据确定图案的耗能分布，通过在图案形成装置的热机械模型中应用耗能分布来确定图案的变形，并且基于图案的变形确定用于控制设备的部件的控制信号。
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公开(公告)号：CN107003618B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201580065410.7
申请日：2015-11-02
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·R·唐斯 , J·J·M·巴塞曼斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种校正由光刻设备的投影系统造成的像差的方法，所述方法包括：使用位于所述光刻设备中的传感器来执行由所述投影系统造成的像差的测量；基于自机器状态的改变以来所述光刻设备的操作历史确定是否将所测量的像差与之前使用所述传感器而获得的像差测量进行平均化；如果确定不应执行平均化，则使用所测量的像差来计算待应用于所述光刻设备的校正；如果确定应执行平均化，则使用平均化的像差测量来计算待应用于所述光刻设备的校正；以及将所计算的校正应用于所述光刻设备。
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公开(公告)号：CN111492316A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880082014.9
申请日：2018-12-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·A·克洛斯伊维奇 , B·V·V·雷迪 , S·U·H·里兹维 , J·R·唐斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种确定用于光刻设备的投影系统的配置的方法是具有罚函数的二次规划问题的实现。该方法包括：接收投影系统的光学性质对投影系统的多个操纵器的配置的依赖性；接收与所述操纵器的物理约束相对应的多个约束；查找操纵器的初始配置；以及迭代地查找操纵器的输出配置。迭代包括重复以下步骤：确定所述多个约束中被违反的一组约束；确定所述操纵器的更新后的配置，所述操纵器的所述更新后的配置依赖于所述多个约束中被违反的所述一组约束和惩罚强度；和增加所述惩罚强度。重复这些步骤，直到满足收敛判据为止。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108713167A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201780016112.8
申请日：2017-01-26
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70875 , G03F7/705 , G03F7/70783
Abstract: 一种设备，包括：用于调节辐射束的照射系统；用于支撑图案形成装置的支撑件，图案形成装置能够在辐射束的截面中向辐射束赋予图案以形成经图案化的辐射束；被构造为保持衬底的衬底台；用于将经图案化的辐射束投射到衬底的目标部分上的投射系统；以及控制系统，控制系统被配置为：接收表征图案分布的图案数据，接收表征辐射束的辐射数据，基于图案数据和辐射数据确定图案的耗能分布，通过在图案形成装置的热机械模型中应用耗能分布来确定图案的变形，并且基于图案的变形确定用于控制设备的部件的控制信号。
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公开(公告)号：CN107003618A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580065410.7
申请日：2015-11-02
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·R·唐斯 , J·J·M·巴塞曼斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70425 , G03F7/20 , G03F7/70491 , G03F7/706
Abstract: 一种校正由光刻设备的投影系统造成的像差的方法，所述方法包括：使用位于所述光刻设备中的传感器来执行由所述投影系统造成的像差的测量；基于自机器状态的改变以来所述光刻设备的操作历史确定是否将所测量的像差与之前使用所述传感器而获得的像差测量进行平均化；如果确定不应执行平均化，则使用所测量的像差来计算待应用于所述光刻设备的校正；如果确定应执行平均化，则使用平均化的像差测量来计算待应用于所述光刻设备的校正；以及将所计算的校正应用于所述光刻设备。
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公开(公告)号：CN114746810A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202080080972.X
申请日：2020-10-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·A·T·范欣斯贝格 , J·R·唐斯 , E·J·M·弗杜门 , J·F·F·克林坎梅尔 , R·沃克曼 , J·S·维尔登贝尔格 , A·J·尤班茨约克 , L·J·J·维泽
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于确定输入的方法，该输入被输入至透镜模型，以在对衬底的多个场中的至少一个场进行寻址时，确定针对光刻设备的透镜的操纵的设定值，所述方法包括：接收针对至少一个场的参数数据，该参数数据与衬底的在至少一个场内的一个或多个参数有关，该一个或多个参数至少部分地对透镜的操纵敏感，透镜的操纵作为通过光刻设备执行的曝光的一部分；接收与透镜相关的透镜模型数据；基于参数数据和透镜模型数据确定输入。
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公开(公告)号：CN111758076A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201980015239.7
申请日：2019-01-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于校准投影系统加热模型以预测光刻装置中的投影系统中的像差的方法，该方法包括：使曝光辐射通过投影系统，以曝光在衬底台上设置的衬底上的一个或多个曝光场，对由曝光辐射导致的投影系统中的像差进行测量，其中测量之间的时间段小于曝光衬底上的所有曝光场所花费的时间段。
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公开(公告)号：CN107710076B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201680034671.7
申请日：2016-04-18
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 一种方法，包括：照射包括多个图案化区(15a‑15c)的图案形成装置(MA')，各图案化区使测量射束(17a‑17c)图案化；用投影系统(PL)将测量射束投影到包括多个检测器区(25a‑25c)的传感器设备(21)上；当图案形成装置和传感器设备被定位处于第一相对配置时进行辐射的第一测量；使图案形成装置和传感器设备中的至少一个移动以便将图案形成装置的相对配置改变为第二相对配置；当图案形成装置和传感器设备被定位处于第二相对配置时进行辐射的第二测量，在第二相对配置中多个检测器区中的至少一些接收与在第一相对配置中在相应检测器区处接收到的测量射束不同的测量射束；和确定由投影系统引起的像差。
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