公开(公告)号：CN113906347B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202080037732.1

申请日：2020-05-11

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： P·G·J·斯莫恩伯格 ,  P·萨普塔 ,  K·艾尔巴特 ,  P·德尔温 ,  R·沃克曼 ,  E·詹森 ,  刘贤优 ,  G·萨尔马

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种用于确定取样方案的方法，所述方法包括：‑获得与性能参数在半导体衬底的第一部分上的第一空间分布有关的第一指纹模型和与所述性能参数在所述半导体衬底的第二部分上的第二空间分布有关的第二指纹模型；以及‑基于与在所述第一部分上对所述第一指纹模型的估计相关联的第一不确定性指标的期望减小和与在所述第二部分上对所述第二指纹模型的估计相关联的第二不确定性指标的期望减小来确定与所述半导体衬底上的用于产生测量数据的测量部位相对应的取样点。

公开(公告)号：CN115244467A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180018384.8

申请日：2021-02-03

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： P·坦恩伯格 ,  S·E·斯蒂恩 ,  P·G·J·斯莫伦伯格 ,  K·艾尔巴特

IPC: G03F7/20 ,  H01L23/00 ,  H01L21/18 ,  H01L21/762 ,  H01L21/20

Abstract: 公开了一种用于控制制造半导体器件的过程的方法，所述方法包括：获得与第一光刻设备相关联的第一控制栅格，第一光刻设备被用于对第一衬底进行图案化的第一图案化过程；获得与第二光刻设备相关联的第二控制栅格，第二光刻设备被用于对第二衬底进行图案化的第二图案化过程；以及基于第一控制栅格和第二控制栅格，确定用于结合步骤的共同的控制栅格限定，结合步骤用于结合第一衬底和第二衬底以获得结合衬底；获得结合衬底量测数据，结合衬底量测数据包括与在结合衬底上执行的量测有关的数据；以及基于结合衬底量测数据来确定对结合步骤的执行的校正，确定校正包括确定对结合步骤以及对第一图案化过程和/或第二图案化过程的共同优化校正。

公开(公告)号：CN113906347A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202080037732.1

申请日：2020-05-11

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： P·G·J·斯莫恩伯格 ,  P·萨普塔 ,  K·艾尔巴特 ,  P·德尔温 ,  R·沃克曼 ,  E·詹森 ,  刘贤优 ,  G·萨尔马

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种用于确定取样方案的方法，所述方法包括：‑获得与性能参数在半导体衬底的第一部分上的第一空间分布有关的第一指纹模型和与所述性能参数在所述半导体衬底的第二部分上的第二空间分布有关的第二指纹模型；以及‑基于与在所述第一部分上对所述第一指纹模型的估计相关联的第一不确定性指标的期望减小和与在所述第二部分上对所述第二指纹模型的估计相关联的第二不确定性指标的期望减小来确定与所述半导体衬底上的用于产生测量数据的测量部位相对应的取样点。