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公开(公告)号：CN113946105A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111221202.5
申请日：2018-02-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·T·特尔 , B·P·B·西哥斯 , E·C·摩斯 , 埃米尔·皮特·斯克米特-威沃 , 张祎晨 , 柳星兰 , 赖纳·玛丽亚·琼伯鲁特 , 刘贤优 , P·G·范里 , M·基利蒂齐拉基
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种方法包括确定在执行器件制造过程时与误差或残差关联的第一参数的第一分布；确定在执行所述器件制造过程时与误差或残差关联的第二参数的第二分布；和使用对所述第一分布和第二分布进行运算的函数确定与所述器件制造过程关联的感兴趣的参数的分布。所述函数可以包括相关性。
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公开(公告)号：CN115309005A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210953036.6
申请日：2018-03-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 对由多个衬底组成的半导体衬底集合执行光刻工艺。作为工艺的一部分，衬底集合被划分为多个子集。该划分可以基于与衬底上的第一层相关联的特性集合。然后，针对衬底集合的至少一个衬底确定性能参数的指印。在一些情况下，针对每个衬底子集中的每个衬底确定指印。指印与至少第一层相关联。然后导出与后续层的施加相关联的性能参数的校正，该校正基于所确定的指印以及衬底集合的划分。
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公开(公告)号：CN113946105B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202111221202.5
申请日：2018-02-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·T·特尔 , B·P·B·西哥斯 , E·C·摩斯 , 埃米尔·皮特·斯克米特-威沃 , 张祎晨 , 柳星兰 , 赖纳·玛丽亚·琼伯鲁特 , 刘贤优 , P·G·范里 , M·基利蒂齐拉基
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种方法包括确定在执行器件制造过程时与误差或残差关联的第一参数的第一分布；确定在执行所述器件制造过程时与误差或残差关联的第二参数的第二分布；和使用对所述第一分布和第二分布进行运算的函数确定与所述器件制造过程关联的感兴趣的参数的分布。所述函数可以包括相关性。
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公开(公告)号：CN110573966A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201880027615.X
申请日：2018-03-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G05B19/418
Abstract: 对由多个衬底组成的半导体衬底集合执行光刻工艺。作为工艺的一部分，衬底集合被划分为多个子集。该划分可以基于与衬底上的第一层相关联的特性集合。然后，针对衬底集合的至少一个衬底确定性能参数的指印。在一些情况下，针对每个衬底子集中的每个衬底确定指印。指印与至少第一层相关联。然后导出与后续层的施加相关联的性能参数的校正，该校正基于所确定的指印以及衬底集合的划分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110383177A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880013446.4
申请日：2018-02-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·T·特尔 , B·P·B·西哥斯 , E·C·摩斯 , 埃米尔·皮特·斯克米特-威沃 , 张祎晨 , 柳星兰 , 赖纳·玛丽亚·琼伯鲁特 , 刘贤优 , P·G·范里 , M·基利蒂齐拉基
Abstract: 一种方法包括确定在执行器件制造过程时与误差或残差关联的第一参数的第一分布；确定在执行所述器件制造过程时与误差或残差关联的第二参数的第二分布；和使用对所述第一分布和第二分布进行运算的函数确定与所述器件制造过程关联的感兴趣的参数的分布。所述函数可以包括相关性。
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公开(公告)号：CN113906347B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202080037732.1
申请日：2020-05-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种用于确定取样方案的方法，所述方法包括：‑获得与性能参数在半导体衬底的第一部分上的第一空间分布有关的第一指纹模型和与所述性能参数在所述半导体衬底的第二部分上的第二空间分布有关的第二指纹模型；以及‑基于与在所述第一部分上对所述第一指纹模型的估计相关联的第一不确定性指标的期望减小和与在所述第二部分上对所述第二指纹模型的估计相关联的第二不确定性指标的期望减小来确定与所述半导体衬底上的用于产生测量数据的测量部位相对应的取样点。
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公开(公告)号：CN110573966B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201880027615.X
申请日：2018-03-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G05B19/418
Abstract: 对由多个衬底组成的半导体衬底集合执行光刻工艺。作为工艺的一部分，衬底集合被划分为多个子集。该划分可以基于与衬底上的第一层相关联的特性集合。然后，针对衬底集合的至少一个衬底确定性能参数的指印。在一些情况下，针对每个衬底子集中的每个衬底确定指印。指印与至少第一层相关联。然后导出与后续层的施加相关联的性能参数的校正，该校正基于所确定的指印以及衬底集合的划分。
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公开(公告)号：CN113906347A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080037732.1
申请日：2020-05-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种用于确定取样方案的方法，所述方法包括：‑获得与性能参数在半导体衬底的第一部分上的第一空间分布有关的第一指纹模型和与所述性能参数在所述半导体衬底的第二部分上的第二空间分布有关的第二指纹模型；以及‑基于与在所述第一部分上对所述第一指纹模型的估计相关联的第一不确定性指标的期望减小和与在所述第二部分上对所述第二指纹模型的估计相关联的第二不确定性指标的期望减小来确定与所述半导体衬底上的用于产生测量数据的测量部位相对应的取样点。
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公开(公告)号：CN110383177B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201880013446.4
申请日：2018-02-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·T·特尔 , B·P·B·西哥斯 , E·C·摩斯 , 埃米尔·皮特·斯克米特-威沃 , 张祎晨 , 柳星兰 , 赖纳·玛丽亚·琼伯鲁特 , 刘贤优 , P·G·范里 , M·基利蒂齐拉基
Abstract: 一种方法包括确定在执行器件制造过程时与误差或残差关联的第一参数的第一分布；确定在执行所述器件制造过程时与误差或残差关联的第二参数的第二分布；和使用对所述第一分布和第二分布进行运算的函数确定与所述器件制造过程关联的感兴趣的参数的分布。所述函数可以包括相关性。
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