公开(公告)号：CN114026499B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202080046768.6

申请日：2020-06-09

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： S·H·C·范格尔佩 ,  A·范德布林克

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

Abstract: 用于确定光刻设备的聚焦误差和/或第一量测数据与第二量测数据之间的差异的设备和方法。所述第一量测数据和/或所述第二量测数据包括与衬底相关的参数的多个值，所述衬底包括多个场，所述多个场包括器件拓扑。设备可以包括处理器，处理器被配置为执行计算机程序代码以执行方法：确定所述参数的场内分量；从所述第一量测数据移除所确定的所述场内分量，以获得所述第一量测数据的场间分量；以及基于所述场间分量和所述第二量测数据，确定所述第一量测数据与第二量测数据之间的所述差异。

公开(公告)号：CN109478021B

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201780043341.9

申请日：2017-06-22

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： L·M·A·范德洛格特 ,  B·P·B·西哥斯 ,  S·H·C·范格尔佩 ,  C·C·M·卢伊滕 ,  F·斯塔尔斯

IPC: G03F7/20

Abstract: 光刻过程是一种将所需图案施加到衬底上(通常在衬底的目标部分上)的工艺。在光刻过程中，需要控制聚焦。公开了一种用于确定与衬底相关的性能参数的指纹的方法，例如在光刻过程期间要使用的聚焦值。确定参考衬底的性能参数的参考指纹。确定参考衬底的参考衬底参数。确定衬底(例如具有产品结构的衬底)的衬底参数。随后，基于参考指纹、参考衬底参数和衬底参数确定性能参数的指纹。然后可以使用指纹来控制光刻过程。

公开(公告)号：CN109478021A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780043341.9

申请日：2017-06-22

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： L·M·A·范德洛格特 ,  B·P·B·西哥斯 ,  S·H·C·范格尔佩 ,  C·C·M·卢伊滕 ,  F·斯塔尔斯

IPC: G03F7/20

Abstract: 光刻过程是一种将所需图案施加到衬底上(通常在衬底的目标部分上)的工艺。在光刻过程中，需要控制聚焦。公开了一种用于确定与衬底相关的性能参数的指纹的方法，例如在光刻过程期间要使用的聚焦值。确定参考衬底的性能参数的参考指纹。确定参考衬底的参考衬底参数。确定衬底(例如具有产品结构的衬底)的衬底参数。随后，基于参考指纹、参考衬底参数和衬底参数确定性能参数的指纹。然后可以使用指纹来控制光刻过程。

公开(公告)号：CN112631086B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202110018882.4

申请日：2017-06-22

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： L·M·A·范德洛格特 ,  B·P·B·西哥斯 ,  S·H·C·范格尔佩 ,  C·C·M·卢伊滕 ,  F·斯塔尔斯

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 光刻过程是一种将所需图案施加到衬底上(通常在衬底的目标部分上)的工艺。在光刻过程中，需要控制聚焦。公开了一种用于确定与衬底相关的性能参数的指纹的方法，例如在光刻过程期间要使用的聚焦值。确定参考衬底的性能参数的参考指纹。确定参考衬底的参考衬底参数。确定衬底(例如具有产品结构的衬底)的衬底参数。随后，基于参考指纹、参考衬底参数和衬底参数确定性能参数的指纹。然后可以使用指纹来控制光刻过程。

公开(公告)号：CN116830045A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202180092375.3

申请日：2021-12-24

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： S·H·C·范格尔佩 ,  S·范瑞内

IPC: G03F9/00

Abstract: 披露了一种用于在对包括至少两个形貌级的曝光区域进行曝光的光刻曝光过程的控制中确定光刻曝光设备的一个或更多个致动器的聚焦致动轮廓的方法。所述方法包括：根据目标函数来确定所述至少两个形貌级的连续单聚焦致动轮廓，所述目标函数包括基于级的分量，所述基于级的分量能够操作以针对于所述至少两个形貌级中的每个来优化每形貌级的聚焦指标。

公开(公告)号：CN114026499A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202080046768.6

申请日：2020-06-09

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： S·H·C·范格尔佩 ,  A·范德布林克

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

Abstract: 用于确定光刻设备的聚焦误差和/或第一量测数据与第二量测数据之间的差异的设备和方法。所述第一量测数据和/或所述第二量测数据包括与衬底相关的参数的多个值，所述衬底包括多个场，所述多个场包括器件拓扑。设备可以包括处理器，处理器被配置为执行计算机程序代码以执行方法：确定所述参数的场内分量；从所述第一量测数据移除所确定的所述场内分量，以获得所述第一量测数据的场间分量；以及基于所述场间分量和所述第二量测数据，确定所述第一量测数据与第二量测数据之间的所述差异。

公开(公告)号：CN112631086A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202110018882.4

申请日：2017-06-22

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： L·M·A·范德洛格特 ,  B·P·B·西哥斯 ,  S·H·C·范格尔佩 ,  C·C·M·卢伊滕 ,  F·斯塔尔斯

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 光刻过程是一种将所需图案施加到衬底上(通常在衬底的目标部分上)的工艺。在光刻过程中，需要控制聚焦。公开了一种用于确定与衬底相关的性能参数的指纹的方法，例如在光刻过程期间要使用的聚焦值。确定参考衬底的性能参数的参考指纹。确定参考衬底的参考衬底参数。确定衬底(例如具有产品结构的衬底)的衬底参数。随后，基于参考指纹、参考衬底参数和衬底参数确定性能参数的指纹。然后可以使用指纹来控制光刻过程。