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公开(公告)号：CN111149063B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201880062857.2
申请日：2018-08-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本文中公开了一种用于确定制造工艺的一个或多个控制参数的方法，该制造工艺包括光刻工艺和一个或多个另外的工艺，该方法包括：获取衬底的至少一部分的图像，其中该图像包括通过制造工艺而被制造在衬底上的至少一个特征；取决于从图像确定的轮廓，计算一个或多个图像相关度量，其中图像相关度量中的一项是至少一个特征的边缘位置误差EPE；以及取决于边缘位置误差，确定光刻工艺和/或一个或多个另外的工艺的一个或多个控制参数，其中至少一个控制参数被确定以便最小化至少一个特征的边缘位置误差。
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公开(公告)号：CN102681352B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210056867.X
申请日：2012-03-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 恩格尔伯塔斯·安东尼纳斯·弗朗西丝克斯·范德帕斯奇 , J·J·奥坦斯 , E·J·M·尤森 , J·H·W·雅各布斯 , W·P·范德兰特 , F·斯塔尔斯 , L·J·曼彻特 , E·W·博高特
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70716 , G03F7/70725 , G03F7/70775 , G03F7/70833 , G03F7/709
Abstract: 本发明公开一种光刻设备，包括衬底台位置测量系统和投影系统位置测量系统，分别用以测量衬底台和投影系统的位置。衬底台位置测量系统包括安装在衬底台上的衬底台参考元件和第一传感器头。衬底台参考元件在基本上平行于衬底台上的衬底的保持平面的测量平面内延伸。保持平面布置在测量平面的一侧并且第一传感器头布置在测量平面的相对侧。投影系统位置测量系统包括一个或多个投影系统参考元件和传感器组件。传感器头和传感器组件或相关的投影系统测量元件安装在传感器框架上。
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公开(公告)号：CN100549833C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200510134128.8
申请日：2005-12-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·J·A·布鲁恩斯马 , F·斯塔尔斯 , R·J·凡威杰克 , S·尼蒂阿洛夫
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F9/7053 , G03F9/7026
Abstract: 本发明涉及用于光刻设备中确定衬底表面高度的水平传感器。该水平传感器包括发射器和接收器，其中该发射器布置成发射被导向衬底表面预定位置的信号，使得该信号被衬底至少部分反射以形成反射信号。接收器布置成接收至少部分反射信号，水平传感器布置成基于发射信号和接收信号而确定衬底表面相对于水平传感器的表面高度。该信号包括压力波。
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公开(公告)号：CN1797213A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510134128.8
申请日：2005-12-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·J·A·布鲁恩斯马 , F·斯塔尔斯 , R·J·凡威杰克 , S·尼蒂阿洛夫
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F9/7053 , G03F9/7026
Abstract: 本发明涉及用于光刻设备中确定衬底表面高度的水平传感器。该水平传感器包括发射器和接收器，其中该发射器布置成发射被导向衬底表面预定位置的信号，使得该信号被衬底至少部分反射以形成反射信号。接收器布置成接收至少部分反射信号，水平传感器布置成基于发射信号和接收信号而确定衬底表面相对于水平传感器的表面高度。该信号包括压力波。
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公开(公告)号：CN113376976A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110789512.0
申请日：2018-05-23
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： D·哈诺坦耶 , 贾飞 , F·斯塔尔斯 , 王富明 , H·T·洛耶斯汀 , C·J·赖恩尼瑟 , M·皮萨连科 , R·沃克曼 , T·希尤维斯 , T·范赫默特 , V·巴斯塔尼 , J·S·威尔登伯格 , 埃维哈德斯·康尼利斯·摩斯 , E·J·M·沃勒伯斯
Abstract: 一种用于确定参数的指纹的方法、系统和程序。所述方法包括确定出自多个装置中的装置对参数的指纹的贡献。所述方法包括：获得参数数据和使用数据，其中所述参数数据基于对已由所述多个装置处理的多个衬底的测量结果，所述使用数据指示出自所述多个装置中的哪些所述装置用于每个衬底的所述处理；和使用所述使用数据和所述参数数据确定所述贡献。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110168447B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201880006505.5
申请日：2018-05-23
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： D·哈诺坦耶 , 贾飞 , F·斯塔尔斯 , 王富明 , H·T·洛耶斯汀 , C·J·赖恩尼瑟 , M·皮萨连科 , R·沃克曼 , T·希尤维斯 , T·范赫默特 , V·巴斯塔尼 , J·S·威尔登伯格 , 埃维哈德斯·康尼利斯·摩斯 , E·J·M·沃勒伯斯
IPC: G03F7/20 , G05B13/04 , G05B19/418 , H01L21/66
Abstract: 一种用于确定参数的指纹的方法、系统和程序。所述方法包括确定出自多个装置中的装置对参数的指纹的贡献。所述方法包括：获得参数数据和使用数据，其中所述参数数据基于对已由所述多个装置处理的多个衬底的测量结果，所述使用数据指示出自所述多个装置中的哪些所述装置用于每个衬底的所述处理；和使用所述使用数据和所述参数数据确定所述贡献。
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公开(公告)号：CN112631086A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202110018882.4
申请日：2017-06-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： L·M·A·范德洛格特 , B·P·B·西哥斯 , S·H·C·范格尔佩 , C·C·M·卢伊滕 , F·斯塔尔斯
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 光刻过程是一种将所需图案施加到衬底上(通常在衬底的目标部分上)的工艺。在光刻过程中，需要控制聚焦。公开了一种用于确定与衬底相关的性能参数的指纹的方法，例如在光刻过程期间要使用的聚焦值。确定参考衬底的性能参数的参考指纹。确定参考衬底的参考衬底参数。确定衬底(例如具有产品结构的衬底)的衬底参数。随后，基于参考指纹、参考衬底参数和衬底参数确定性能参数的指纹。然后可以使用指纹来控制光刻过程。
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公开(公告)号：CN111149063A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201880062857.2
申请日：2018-08-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本文中公开了一种用于确定制造工艺的一个或多个控制参数的方法，该制造工艺包括光刻工艺和一个或多个另外的工艺，该方法包括：获取衬底的至少一部分的图像，其中该图像包括通过制造工艺而被制造在衬底上的至少一个特征；取决于从图像确定的轮廓，计算一个或多个图像相关度量，其中图像相关度量中的一项是至少一个特征的边缘位置误差EPE；以及取决于边缘位置误差，确定光刻工艺和/或一个或多个另外的工艺的一个或多个控制参数，其中至少一个控制参数被确定以便最小化至少一个特征的边缘位置误差。
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公开(公告)号：CN106104387B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201480076623.5
申请日：2014-12-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 埃米尔·皮特·斯克米特-威沃 , W·亨克 , C·普伦蒂斯 , F·斯塔尔斯 , W·T·特尔
IPC: G03F9/00
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F7/70725 , G03F9/7019 , G03F9/7026 , G03F9/7092
Abstract: 一种光刻设备使用光学投影系统将图案施加到衬底上。该光刻设备包括光学水平传感器(LS)和相关联的处理器以在施加所述图案之前获得衬底表面的高度图(h(x，y))。控制器在施加所述图案时控制投影系统的聚焦。处理器还被布置成使用关于在先前施加到衬底上的处理的信息来限定衬底的至少第一区域和第二区域并且在第一区域与第二区域之间改变使用所述测量信号来控制聚焦的方式。例如，用来从光学测量信号(S(x，y))计算高度值的算法(A(x，y))可以根据在已知结构和/或材料中的差异而改变。来自某些区域的测量值可以被选择性地从高度图的计算和/或聚焦时的使用中排除。
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公开(公告)号：CN108292108A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680069224.5
申请日：2016-11-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种包括用于套刻和焦点的测量的组合目标的衬底。该目标包括：包括第一周期性结构的第一层；以及包括覆盖第一周期性结构的第二周期性结构的第二层。该目标具有结构不对称性，该结构不对称性包括由第一周期性结构与第二周期性结构之间的无意失配产生的结构不对称分量、由第一周期性结构与第二周期性结构之间的有意位置偏移产生的结构不对称分量、以及取决于在组合目标在衬底上的曝光期间的焦点设置的焦点相关结构不对称分量。还公开了一种用于形成这样的目标的方法以及相关联的光刻和计量设备。
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