公开(公告)号：CN111663117B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202010115771.0

申请日：2020-02-25

Applicant: CKD株式会社

Inventor： 稲垣竹矢

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明实现一种能缩短冷却时间、从而缩短半导体制造装置的工艺时间的气体供给单元。本发明的气体供给单元(1)中，在将控制在第1温度的第1气体经由上部设备(13)供给到腔室(5)之后要将开始化学反应的反应开始温度比第1温度低的第2气体经由上部设备(13)供给至腔室(5)的情况下，在将清洁气体经由上部设备(13)供给至腔室5之前从冷却板构件(3)对形成于基座板(10)与上部设备(13)之间的空间部(S)供给冷却空气，将上部设备(13)冷却至反应开始温度以下。

公开(公告)号：CN111663117A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010115771.0

申请日：2020-02-25

Applicant: CKD株式会社

Inventor： 稲垣竹矢

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明实现一种能缩短冷却时间、从而缩短半导体制造装置的工艺时间的气体供给单元。本发明的气体供给单元(1)中，在将控制在第1温度的第1气体经由上部设备(13)供给到腔室(5)之后要将开始化学反应的反应开始温度比第1温度低的第2气体经由上部设备(13)供给至腔室(5)的情况下，在将清洁气体经由上部设备(13)供给至腔室5之前从冷却板构件(3)对形成于基座板(10)与上部设备(13)之间的空间部(S)供给冷却空气，将上部设备(13)冷却至反应开始温度以下。