公开(公告)号：CN119585341A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380054470.3

申请日：2023-07-31

Applicant: DIC株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 稻垣翔 ,  高野启 ,  甲斐英知 ,  中山敦好 ,  川崎典起 ,  山野尚子

IPC: C08G63/60 ,  C08G63/78 ,  C08L101/16

Abstract: 根据本发明，能够提供一种由3‑羟基丁酸形成的共聚酯及其制造方法，该共聚酯表现出高生物降解性，并且通过将源自分解物的酸值控制在一定值以下，能够抑制水解性、臭气。本发明的共聚酯具有源自3HB的结构单元(3HB‑U)、源自DA的结构单元(DA‑U)和源自DO的结构单元(DO‑U)。相对于前述共聚酯的全部结构单元100摩尔，3HB‑U的含有率为1～65摩尔％，前述共聚酯中的3HB‑U的平均链长为2～80，前述共聚酯的酸值为5以下。

公开(公告)号：CN119213053A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202380040681.1

申请日：2023-05-23

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 宫胁敦久 ,  西泽周平 ,  土肥知树 ,  稻垣翔 ,  甲斐英知 ,  原野千翔 ,  三原崇

IPC: C08G63/16 ,  C08G63/08 ,  C08G63/78 ,  C08J5/18 ,  C08L101/16

Abstract: 提供一种热成型性及生物降解性优异的共聚酯树脂及其制造方法。一种共聚酯树脂，其是将生物降解性链段(X)与非生物降解性链段(Y)组合而成的，所述生物降解性链段(X)为表现生物降解性的结构单元，所述非生物降解性链段(Y)为具有非生物降解性的结构单元。

公开(公告)号：CN108495833A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201780008026.2

申请日：2017-03-14

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 稻垣翔 ,  石塚亚弥 ,  饵取秀树

IPC: C07C15/28 ,  C09D11/00 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC classification number: C07C15/28 ,  C07B61/00 ,  C09D11/00 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

Abstract: 提供通过湿式成膜法获得表现高迁移率的半导体元件的半导体材料，及提供获得该半导体材料的化合物。通式(1)所示的化合物(式中，Ar表示任选具有取代基的芳香族烃基或任选具有取代基的杂芳香族基团，R1表示非环式的碳原子数1～20的烷基(该烷基中的-CH2-以氧原子、硫原子及氮原子各自不直接键合的方式任选被-O-、-R’C＝CR’-、-CO-、-OCO-、-COO-、-S-、-SO2-、-SO-、-NH-、-NR’-或-C≡C-取代，该烷基中的氢原子任选被卤素基团、腈基或芳香族基团取代(其中，R’表示碳原子数1～20的非环式或环式的烷基。)。)。)。

公开(公告)号：CN102484204A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080034363.7

申请日：2010-10-12

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 饵取秀树 ,  村田秀之 ,  深泽宪正 ,  稻垣翔

IPC: H01L51/42

CPC classification number: H01L51/0078 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549 ,  Y10T428/298

Abstract: 本发明提供不易破裂轻量且廉价、耐久性优异、并且具有适于电荷输送的有机半导体纳米线的网络结构的光电转换元件。此外，为了提供该光电转换元件，本发明中，提供含有短径为50nm以下且长度相对于该短径的比例(长度/短径)为10以上的酞菁纳米线作为给电子性材料的光电转换元件用材料。本发明中，能够以低成本提供来自酞菁的高耐光性的、寿命长的光电转换元件，进而，通过使用该光电转换元件，利用该光电转换元件的特征，能够以低成本构筑寿命长的太阳能电池组件。

公开(公告)号：CN109111463B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN201810654163.X

申请日：2018-06-22

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 稻垣翔 ,  饵取秀树

IPC: C07D495/04

Abstract: 本发明涉及芳香族化合物的制造方法，其课题在于提供：使用容易操作的(没有在空气中由于氧化等而分解或变质，而且也不具有腐蚀性的)原料、简便地(以200℃以下的一个工序的反应，无腐蚀性气体的产生)得到高纯度的BTBT衍生物(或DNTT衍生物)的、实用的制造方法。本发明发现，通过使特定的邻卤代苄基卤衍生物(或3‑卤代‑2‑(卤代甲基)萘衍生物)与单质的硫或硫化合物反应的实用的方法，得到BTBT衍生物(或DNTT衍生物)，从而完成本发明。

公开(公告)号：CN109111463A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810654163.X

申请日：2018-06-22

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 稻垣翔 ,  饵取秀树

IPC: C07D495/04

Abstract: 本发明涉及芳香族化合物的制造方法，其课题在于提供：使用容易操作的(没有在空气中由于氧化等而分解或变质，而且也不具有腐蚀性的)原料、简便地(以200℃以下的一个工序的反应，无腐蚀性气体的产生)得到高纯度的BTBT衍生物(或DNTT衍生物)的、实用的制造方法。本发明发现，通过使特定的邻卤代苄基卤衍生物(或3-卤代-2-(卤代甲基)萘衍生物)与单质的硫或硫化合物反应的实用的方法，得到BTBT衍生物(或DNTT衍生物)，从而完成本发明。

公开(公告)号：CN102549675B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201080039895.X

申请日：2010-12-21

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 稻垣翔 ,  饵取秀树 ,  五十住宏 ,  笠井正纪

IPC: B22F1/02 ,  C09D11/03 ,  C09D11/037 ,  C09D11/52 ,  H01B1/22 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01B1/22 ,  B05D5/12 ,  B22F1/0022 ,  B22F1/02 ,  B82Y30/00 ,  C09D11/03 ,  C09D11/037 ,  C09D11/52 ,  H01B1/02

Abstract: 本发明提供一种能够进行150℃以下的低温烧成、也能够对高温下不能印刷的塑料制基板进行印刷的丝网印刷用导电性糊剂。所述丝网印刷用导电性糊剂是含有被含碱性氮原子的有机化合物(X)保护的平均粒径1～50nm的金属纳米粒子(Y)、平均粒径超过100nm且为5μm的金属粒子(Z)、所述金属纳米粒子的脱保护剂(A)和有机溶剂(B)的丝网印刷用导电性糊剂，其特征在于，使用碳原子数6～10的脂肪族单羧酸作为所述金属纳米粒子的脱保护剂(A)，并且使用聚亚烷基二醇作为有机溶剂(B)。

公开(公告)号：CN102549675A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080039895.X

申请日：2010-12-21

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 稻垣翔 ,  饵取秀树 ,  五十住宏 ,  笠井正纪

IPC: H01B1/22 ,  B22F1/02 ,  B22F9/00 ,  B22F9/20 ,  C09D11/02 ,  H01B1/00

CPC classification number: H01B1/22 ,  B05D5/12 ,  B22F1/0022 ,  B22F1/02 ,  B82Y30/00 ,  C09D11/03 ,  C09D11/037 ,  C09D11/52 ,  H01B1/02

Abstract: 本发明提供一种能够进行150℃以下的低温烧成、也能够对高温下不能印刷的塑料制基板进行印刷的丝网印刷用导电性糊剂。所述丝网印刷用导电性糊剂是含有被含碱性氮原子的有机化合物(X)保护的平均粒径1～50nm的金属纳米粒子(Y)、平均粒径超过100nm且为5μm的金属粒子(Z)、所述金属纳米粒子的脱保护剂(A)和有机溶剂(B)的丝网印刷用导电性糊剂，其特征在于，使用碳原子数6～10的脂肪族单羧酸作为所述金属纳米粒子的脱保护剂(A)，并且使用聚亚烷基二醇作为有机溶剂(B)。

公开(公告)号：CN104169285B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201380013022.5

申请日：2013-04-04

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 饵取秀树 ,  村田秀之 ,  稻垣翔 ,  E·迈克尔

IPC: C07D487/22 ,  B82Y30/00 ,  C09B47/20 ,  C09D11/037 ,  C09D11/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/42

CPC classification number: H01L51/0078 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C07D487/22 ,  C09B47/065 ,  C09B47/0678 ,  C09B47/24 ,  C09B67/0019 ,  C09B67/0023 ,  C09B67/0026 ,  C09B67/0035 ,  C09D11/322 ,  C09D11/52 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/4206 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明试图提供能够利用低成本的湿法制造电子元件的有机半导体材料。进而，课题在于提供不易破坏、轻量、廉价、且高特性的有机半导体电子元件。发现根据本发明，通过优化构成酞菁纳米尺寸结构体的酞菁衍生物，可以提供性能得到提高的适合于湿法的有机半导体材料，从而完成了本发明。进而，通过将该有机半导体材料用于电子元件活性部(半导体层)，从而可以提供富于耐久性、且不易破坏、轻量、廉价、且高特性的电子元件。

公开(公告)号：CN104169285A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201380013022.5

申请日：2013-04-04

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 饵取秀树 ,  村田秀之 ,  稻垣翔 ,  E·迈克尔

IPC: C07D487/22 ,  B82Y30/00 ,  C09B47/20 ,  C09D11/037 ,  C09D11/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/42

CPC classification number: H01L51/0078 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C07D487/22 ,  C09B47/065 ,  C09B47/0678 ,  C09B47/24 ,  C09B67/0019 ,  C09B67/0023 ,  C09B67/0026 ,  C09B67/0035 ,  C09D11/322 ,  C09D11/52 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/4206 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明试图提供能够利用低成本的湿法制造电子元件的有机半导体材料。进而，课题在于提供不易破坏、轻量、廉价、且高特性的有机半导体电子元件。发现根据本发明，通过优化构成酞菁纳米尺寸结构体的酞菁衍生物，可以提供性能得到提高的适合于湿法的有机半导体材料，从而完成了本发明。进而，通过将该有机半导体材料用于电子元件活性部(半导体层)，从而可以提供富于耐久性、且不易破坏、轻量、廉价、且高特性的电子元件。