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公开(公告)号：CN101256349B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200810074062.1
申请日：2008-02-21
Applicant: HOYA株式会社 , 韩国HOYA电子株式会社
Inventor： 坂本有司
Abstract: 本发明提供一种灰阶掩模，在透明基板上形成半透光膜和遮光膜，通过施加规定的图案而具有遮光部、透光部、以及将曝光光的透过量降低规定量的半透光部，用于在被转印体上形成膜厚阶段性或连续性不同的抗蚀图案。利用半色调膜形成半透光部。在本发明的灰阶掩模的缺陷修正方法中，在半透光部产生缺陷时确定该缺陷部分，决定用于在确定的缺陷部分形成修正膜的成膜装置和成膜材料，在使用决定的成膜装置和成膜材料时，决定成膜面积使得曝光光的透过量在规定范围，形成决定的成膜面积的修正膜。
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公开(公告)号：CN101339362B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200810135715.2
申请日：2008-07-03
Applicant: HOYA株式会社 , 韩国HOYA电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种灰阶掩模的缺陷修正方法，是具有遮光部(21)、透光部(22)以及将掩模使用时所用的曝光光的透过量降低到规定量的半透光部(23)的灰阶掩模(20)的缺陷修正方法，半透光部(23)由半透光膜(26)形成，具有：在半透光部(23)中，在产生缺陷时确定该缺陷部分(51)、(52)的工序；将包含该缺陷(51)、(52)的半透光部即由遮光部和透光部的至少一方包围的区域的半透光部(23)的全体的半透光膜(26)除去的工序；和在除去该半透光膜(26)的区域(53)，形成和所述半透光膜(26)原材料或组成不同的半透光性的修正膜(27)的工序。
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公开(公告)号：CN102043328A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010503241.X
申请日：2010-10-09
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供用多个探针除去光掩模上的异物缺陷的光掩模用的缺陷修正方法及装置、缺陷修正头、缺陷检查装置及光掩模制造方法。即准备多个探针，使其中至少两个探针同时接触光掩模表面上存在的异物，以至少不同的三处保持异物，将被保持的上述异物从光掩模表面远离，由此除去光掩模上的异物缺陷进行修正。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101788757B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010003908.X
申请日：2010-01-13
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 坂本有司
Abstract: 本发明提供一种多色调光掩模、多色调光掩模制造方法以及图案转印方法。一种在被转印体上的抗蚀剂膜上形成具有两个以上不同抗蚀剂残膜值的抗蚀剂图案的多色调光掩模，具有形成有遮光部、透光部和半透光部的转印图案。遮光部是在透明基板上形成遮光膜而成的。透光部是露出透明基板而形成的。半透光部具有由形成在透明基板上的半透光膜构成的正常部、和由形成在透明基板上的修正膜构成的修正部。透光部与修正部之间针对i线～g线的波长光的相位差为80度以下。
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公开(公告)号：CN101788757A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010003908.X
申请日：2010-01-13
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 坂本有司
Abstract: 本发明提供一种多色调光掩模、多色调光掩模制造方法以及图案转印方法。一种在被转印体上的抗蚀剂膜上形成具有两个以上不同抗蚀剂残膜值的抗蚀剂图案的多色调光掩模，具有形成有遮光部、透光部和半透光部的转印图案。遮光部是在透明基板上形成遮光膜而成的。透光部是露出透明基板而形成的。半透光部具有由形成在透明基板上的半透光膜构成的正常部、和由形成在透明基板上的修正膜构成的修正部。透光部与修正部之间针对i线～g线的波长光的相位差为80度以下。
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公开(公告)号：CN102445833A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110298086.7
申请日：2011-09-29
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 坂本有司
Abstract: 光掩模缺陷修正方法、图案转印方法、光掩模及其制造方法。在光掩模的缺陷修正方法中，使用缺陷修正装置来修正光掩模中产生的多余缺陷，该光掩模是对形成于透明基板上的遮光膜进行图案加工而形成的，具有透光部和遮光部。该缺陷修正方法包括：膜去除步骤，将位于所述透光部的多余缺陷、和与具有该多余缺陷的透光部邻接的遮光部的遮光膜的一部分同时去除；以及膜形成步骤，在通过该膜去除步骤去除了遮光膜的一部分的遮光部中形成修正膜，在该膜形成步骤中进行的膜形成是针对如下的遮光部而进行的，该遮光部的宽度大于通过缺陷修正装置的一次修正操作所能形成的最小膜形成宽度。
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公开(公告)号：CN101339362A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810135715.2
申请日：2008-07-03
Applicant: HOYA株式会社 , 韩国HOYA电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种灰阶掩模的缺陷修正方法，是具有遮光部(21)、透光部(22)以及将掩模使用时所用的曝光光的透过量降低到规定量的半透光部(23)的灰阶掩模(20)的缺陷修正方法，半透光部(23)由半透光膜(26)形成，具有：在半透光部(23)中，在产生缺陷时确定该缺陷部分(51)、(52)的工序；将包含该缺陷(51)、(52)的半透光部即由遮光部和透光部的至少一方包围的区域的半透光部(23)的全体的半透光膜(26)除去的工序；和在除去该半透光膜(26)的区域(53)，形成和所述半透光膜(26)原材料或组成不同的半透光性的修正膜(27)的工序。
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公开(公告)号：CN101256349A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810074062.1
申请日：2008-02-21
Applicant: HOYA株式会社 , 韩国HOYA电子株式会社
Inventor： 坂本有司
Abstract: 本发明提供一种灰阶掩模，在透明基板上形成半透光膜和遮光膜，通过施加规定的图案而具有遮光部、透光部、以及将曝光光的透过量降低规定量的半透光部，用于在被转印体上形成膜厚阶段性或连续性不同的抗蚀图案。利用半色调膜形成半透光部。在本发明的灰阶掩模的缺陷修正方法中，在半透光部产生缺陷时确定该缺陷部分，决定用于在确定的缺陷部分形成修正膜的成膜装置和成膜材料，在使用决定的成膜装置和成膜材料时，决定成膜面积使得曝光光的透过量在规定范围，形成决定的成膜面积的修正膜。
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