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公开(公告)号：CN104903792A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201480004256.8
申请日：2014-01-14
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 一种掩膜板坯料、相移掩膜板及其它们的制造方法，根据该掩膜板坯料，即使在形成相移膜的材料中使用硅类材料的情况下，该相移膜在面内及膜厚方向上的组成以及光学特性的均匀性也较高，多个基板间的相移膜的组成以及光学特性的均匀性也较高，进而缺陷也较少。该掩膜板坯料的特征在于，在透光性基板上设有相移膜，所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过，且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能，所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构，所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成，或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成，所述低透光层与所述高透光层相比，氮含量相对少。
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公开(公告)号：CN111512226A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880082414.X
申请日：2018-10-31
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子新加坡股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种掩模坯料，其可以在进行了EB缺陷修正的情况下抑制透光性基板的表面粗糙的发生，可以抑制相移膜的图案发生自发性蚀刻。本发明的掩模坯料中，与透光性基板相接的相移膜由包含最下层的2层以上的层叠结构构成，除最下层以外的层由含有选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素和硅的材料形成，最下层由含有硅和氮的材料形成、或者由含有该材料和选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素的材料形成，在最下层中，用Si3N4键的存在数除以Si3N4键、SiaNb键(其中，b/[a+b]＜4/7)及Si-Si键的总存在数而得到的比率为0.05以下，用SiaNb键的存在数除以Si3N4键、SiaNb键及Si-Si键的总存在数而得到的比率为0.1以上。
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公开(公告)号：CN104903792B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201480004256.8
申请日：2014-01-14
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 一种掩膜板坯料、相移掩膜板及其它们的制造方法，根据该掩膜板坯料，即使在形成相移膜的材料中使用硅类材料的情况下，该相移膜在面内及膜厚方向上的组成以及光学特性的均匀性也较高，多个基板间的相移膜的组成以及光学特性的均匀性也较高，进而缺陷也较少。该掩膜板坯料的特征在于，在透光性基板上设有相移膜，所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过，且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能，所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构，所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成，或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成，所述低透光层与所述高透光层相比，氮含量相对少。
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公开(公告)号：CN110554561B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201910950358.3
申请日：2014-01-14
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 一种掩膜板坯料、相移掩膜板及其它们的制造方法，根据该掩膜板坯料，即使在形成相移膜的材料中使用硅类材料的情况下，该相移膜在面内及膜厚方向上的组成以及光学特性的均匀性也较高，多个基板间的相移膜的组成以及光学特性的均匀性也较高，进而缺陷也较少。该掩膜板坯料的特征在于，在透光性基板上设有相移膜，所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过，且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能，所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构，所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成，或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成，所述低透光层与所述高透光层相比，氮含量相对少。
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公开(公告)号：CN114521245A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202080066119.2
申请日：2020-09-01
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供具备能够提高对ArF准分子激光的曝光光的透射率、同时能够抑制对于确保期望的相位差而言必要的膜厚的相移膜的掩模坯料。该掩模坯料在透光性基板(1)的主表面上具备相移膜(2)，其中，相移膜(2)含有硅、氧及氮，相移膜(2)的氮的含量[原子％]相对于硅的含量[原子％]的比率为0.20以上且0.52以下，相移膜(2)的氧的含量[原子％]相对于硅的含量[原子％]的比率为1.16以上且1.70以下，相移膜(2)在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率n为1.7以上且2.0以下，消光系数k为0.05以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110554561A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910950358.3
申请日：2014-01-14
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 一种掩膜板坯料、相移掩膜板及其它们的制造方法，根据该掩膜板坯料，即使在形成相移膜的材料中使用硅类材料的情况下，该相移膜在面内及膜厚方向上的组成以及光学特性的均匀性也较高，多个基板间的相移膜的组成以及光学特性的均匀性也较高，进而缺陷也较少。该掩膜板坯料的特征在于，在透光性基板上设有相移膜，所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过，且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能，所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构，所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成，或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成，所述低透光层与所述高透光层相比，氮含量相对少。
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公开(公告)号：CN111512226B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201880082414.X
申请日：2018-10-31
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子新加坡股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种掩模坯料，其可以在进行了EB缺陷修正的情况下抑制透光性基板的表面粗糙的发生，可以抑制相移膜的图案发生自发性蚀刻。本发明的掩模坯料中，与透光性基板相接的相移膜由包含最下层的2层以上的层叠结构构成，除最下层以外的层由含有选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素和硅的材料形成，最下层由含有硅和氮的材料形成、或者由含有该材料和选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素的材料形成，在最下层中，用Si3N4键的存在数除以Si3N4键、SiaNb键(其中，b/[a+b]＜4/7)及Si‑Si键的总存在数而得到的比率为0.05以下，用SiaNb键的存在数除以Si3N4键、SiaNb键及Si‑Si键的总存在数而得到的比率为0.1以上。
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公开(公告)号：CN111801618B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201980016758.5
申请日：2019-02-20
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/34 , C23C14/06 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供具备蚀刻停止膜的相移掩模用的掩模坯料，该蚀刻停止膜对于ArF曝光光具有80％以上的高透射率，并且可以在透光部中得到5％以上的透射率差。该掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有蚀刻停止膜和相移膜的结构，相移膜由含有硅及氧的材料形成，相移膜对于波长193nm的光的折射率n1为1.5以上，且对于波长193nm的光的消光系数k1为0.1以下，蚀刻停止膜对于波长193nm的光的折射率n为2.5以上且3.1以下，且对于波长193nm的光的消光系数k2为0.4以下，而且上述折射率n2及消光系数k2满足(条件1)～(条件5)中的1个以上条件。
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公开(公告)号：CN110673435B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN201910950357.9
申请日：2014-01-14
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/32 , H01L21/027
Abstract: 一种掩膜板坯料、相移掩膜板及其它们的制造方法，根据该掩膜板坯料，即使在形成相移膜的材料中使用硅类材料的情况下，该相移膜在面内及膜厚方向上的组成以及光学特性的均匀性也较高，多个基板间的相移膜的组成以及光学特性的均匀性也较高，进而缺陷也较少。该掩膜板坯料的特征在于，在透光性基板上设有相移膜，所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过，且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能，所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构，所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成，或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成，所述低透光层与所述高透光层相比，氮含量相对少。
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公开(公告)号：CN111801618A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201980016758.5
申请日：2019-02-20
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/34 , C23C14/06 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供具备蚀刻停止膜的相移掩模用的掩模坯料，该蚀刻停止膜对于ArF曝光光具有80％以上的高透射率，并且可以在透光部中得到5％以上的透射率差。该掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有蚀刻停止膜和相移膜的结构，相移膜由含有硅及氧的材料形成，相移膜对于波长193nm的光的折射率n1为1.5以上，且对于波长193nm的光的消光系数k1为0.1以下，蚀刻停止膜对于波长193nm的光的折射率n为2.5以上且3.1以下，且对于波长193nm的光的消光系数k2为0.4以下，而且上述折射率n2及消光系数k2满足(条件1)～(条件5)中的1个以上条件。
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