公开(公告)号：CN1016296B

公开(公告)日：1992-04-15

申请号：CN89106257.2

申请日：1989-07-31

Applicant: IBM国际商业机器公司

Inventor： 马修·佛朗西斯·卡索姆 ,  彼特·丹尼尔·可西尼 ,  爱伦·克拉克·沃伦 ,  杰尼·迈克佛瑞森·伍德尔

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L31/036

CPC classification number: H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  Y10S148/072 ,  Y10S148/097 ,  Y10S438/933 ,  Y10S438/938

Abstract: 在衬底和上部外延层间具有大晶格失配的异质结结构及形成有薄中间层结构的方法。靠形成局域的和光电惰性的刃型位错来部分消除中间层和衬底间晶格失配产生的应变。中间层在其厚度达到剩余应变会被60度穿透位错消除前中止生长。此后，以无应变和无缺陷条件在中间层上生长上部外延层。该外延层无应变晶格常数约与中间层部分弛豫应变晶格常数相等。已在GaAs衬底上生长出有3～10nm的InAs中间层的无应变、无缺陷的InGaAs外延层。

公开(公告)号：CN1042273A

公开(公告)日：1990-05-16

申请号：CN89106257.2

申请日：1989-07-31

Applicant: IBM国际商业机器公司

Inventor： 马修·佛朗西斯·卡索姆 ,  彼特·丹尼尔·可西尼 ,  爱伦·克拉克·沃伦 ,  杰尼·迈克佛瑞森·伍德尔

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/036

CPC classification number: H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  Y10S148/072 ,  Y10S148/097 ,  Y10S438/933 ,  Y10S438/938

Abstract: 在衬底和上部外延层间具有大晶格失配的异质结结构及形成有薄中间层结构的方法。靠形成局域的和光电惰性的刃型位错来部分消除中间层和衬底间晶格失配产生的应变。中间层在其厚度达到剩余应变会被60度穿透位错消除前中止生长。此后，以无应变和无缺陷条件在中间层上生长上部外延层。该外延层无应变晶格常数约与中间层部分弛豫应变晶格常数相等。已在GaAs衬底上生长出有3-10nm的InAs中间层的无应变，无缺陷的InGaAs外延层。