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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101848912A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200880114950.X
申请日：2008-10-07
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: C09K15/326 , C07F5/062 , H01L51/5259
Abstract: 本发明涉及一种选自由下式(I)和(II)表示的化合物构成的群组的至少一种有机金属化合物，和含有该化合物和聚合物的、捕捉水分和氧气用的组合物。[式(II)中，R1分别独立地表示选自氢原子、碳原子数为0～6的直链烷基、支链烷基、环烷基或它们的组合的至少一种，l是1～10的整数，m是5～15的整数，n是0～14的整数。]
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公开(公告)号：CN100585882C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510091746.9
申请日：2000-03-29
IPC: H01L31/18
Abstract: 太阳能电池的制造方法，所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构，其特征在于，其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序：把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。
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公开(公告)号：CN1294626C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN00800438.2
申请日：2000-03-29
IPC: H01L21/208 , C01B33/02
CPC classification number: C23C18/06 , C08G77/60 , C09D183/16 , C23C18/08 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02628 , H01L21/02636 , H01L29/6675 , H01L51/0005 , Y02P20/582
Abstract: 本发明涉及包括用喷墨头(12)把油墨组合物(11)选择性的喷至基片的预定区域以形成硅前体图案以及其后用热和或光处理把硅前体转变成无定形硅膜或多晶硅膜的硅膜形成方法。该方法可被用来以省能、低价在基片的大面积部分提供硅膜图案。
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公开(公告)号：CN1722475A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510091746.9
申请日：2000-03-29
IPC: H01L31/18
Abstract: 太阳能电池的制造方法，所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构，其特征在于，其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序：把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。
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公开(公告)号：CN1543293A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410038785.8
申请日：2004-03-26
Applicant: JSR株式会社 , 夏普株式会社 , 株式会社国际基盘材料研究所
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/02 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/14 , Y10T428/24917
Abstract: 提供了一种通过用包含(A)胺类化合物与氢化铝化合物的配合物，以及(B)钛化合物的组合物或包含(A)胺类化合物与氢化铝化合物的配合物，以及(C)金属颗粒的组合物涂覆基材并且随后使得到的涂覆薄膜受热和/或光处理，形成接线或电极的方法。通过这种方法，可以形成使用导电薄膜成形组合物的薄膜，采用该薄膜可以容易和便宜地形成接线和电极，该接线和电极可合适地用于电子器件。
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