电解铜箔及电解铜箔的制造方法

    公开(公告)号:CN103429793B

    公开(公告)日:2019-03-05

    申请号:CN201280016134.1

    申请日:2012-03-28

    Inventor: 古曳伦也

    Abstract: 本发明的目的在于提供常态抗拉力高、热历史后的抗拉力降低小、且铜箔中的杂质浓度少的电解铜箔及电解铜箔的制造方法,特别是提供电解铜箔,其中,铜箔中的硫浓度为10质量ppm以上50质量ppm以下,相对于利用扫描透射型电子显微镜进行的百万倍观察所获得的STEM图像形成10nm间隔的晶格,以各晶格的交点作为测定点测定硫浓度时,存在与铜箔中的硫浓度相比、硫浓度增高的测定点。

    附载体铜箔
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104812944B

    公开(公告)日:2019-02-19

    申请号:CN201380060497.X

    申请日:2013-11-20

    Abstract: 本发明提供一种适于形成细间距的附载体铜箔。本发明的附载体铜箔依序具备载体、剥离层、极薄铜层、及任意的树脂层,并且极薄铜层表面的Rz的平均值是利用接触式粗糙度计依据JIS B0601‑1982进行测定而为1.5μm以下,且Rz的标准偏差为0.1μm以下。

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