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公开(公告)号：CN108588766B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201810371406.9
申请日：2013-09-11
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
Abstract: 本发明涉及附载体铜箔。本发明提供一种适于形成窄间距的附载体铜箔。该附载体铜箔具备铜箔载体、积层于铜箔载体上的剥离层、与积层于剥离层上的极薄铜层，极薄铜层经粗化处理，极薄铜层表面的Rz以非接触式粗糙度计进行测定为1.6μm以下。
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公开(公告)号：CN105101627B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201510232292.6
申请日：2015-05-08
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种附载体铜箔，其在贴合于树脂基板并剥离去除载体后，在极薄铜层上形成特定的电路时，良好地抑制了超过该电路宽度的铜残渣的产生。本发明的附载体铜箔，依序具备载体、中间层、与极薄铜层，载体的极薄铜层侧表面的条纹状凸部的平均高度的最大值为2.0μm以下。
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公开(公告)号：CN104427758B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201410412078.4
申请日：2014-08-20
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
Abstract: 本发明公开了表面处理铜箔、附载体铜箔、积层板、印刷布线板、电子机器、以及印刷布线板的制造方法。该表面处理铜箔是通过粗化处理而在一个铜箔表面及/或两个铜箔表面形成粗化粒子，粗化处理表面的利用接触式粗糙度计所测得的TD的十点平均粗糙度Rz为0.20～0.80μm，粗化处理表面的MD的60度光泽度为76～350％，粗化粒子的表面积A与从铜箔表面侧俯视粗化粒子时所获得的面积B的比A/B为1.90～2.40，粗化处理表面含有选自由Ni、Co所组成的群中的任一种以上的元素，在粗化处理表面含有Ni的情况下，Ni的附着量为1400μg/dm2以下，在粗化处理表面含有Co的情况下，Co的附着量为2400μg/dm2以下。其对于使该铜箔与树脂粘接并通过蚀刻去除该铜箔后的树脂而言，可实现优异的透明性。
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公开(公告)号：CN107641820A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710739142.3
申请日：2013-09-11
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种适于形成窄间距的附载体铜箔。该附载体铜箔具备铜箔载体、积层于铜箔载体上的剥离层、与积层于剥离层上的极薄铜层，极薄铜层经粗化处理，极薄铜层表面的Rz以非接触式粗糙度计进行测定为1.6μm以下。
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公开(公告)号：CN104822525B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201380062754.3
申请日：2013-11-29
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
CPC classification number: H05K3/205 , B32B15/04 , C25D1/04 , C25D3/04 , C25D3/12 , C25D3/562 , C25D5/022 , C25D5/12 , C25D5/48 , C25D7/0614 , C25D11/02 , H05K1/09 , H05K2201/0355 , H05K2201/0367
Abstract: 本发明提供一种附载体铜箔，可形成比L/S＝20μm/20μm更加微细的配线，例如L/S＝15μm/15μm的微细配线。一种附载体铜箔，其依序具有铜箔载体、中间层、极薄铜层，该中间层含有Ni，将该附载体铜箔于220℃加热2小时后，根据JIS C 6471剥离该极薄铜层时，该极薄铜层的该中间层侧的表面的Ni附着量为5μg/dm2以上且300μg/dm2以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105392297A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510535361.0
申请日：2015-08-27
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
IPC: H05K3/02
CPC classification number: H05K3/025 , H05K2203/0147 , H05K2203/0264
Abstract: 本发明提供一种附载体铜箔的制造方法，其包含下述加热处理步骤：对依序具备载体、中间层、极薄铜层、包含硅烷偶合处理层的表面处理层的附载体铜箔，进行1小时～8小时的加热温度为100℃～220℃的加热处理，或1小时～6小时的加热温度为100℃～220℃的加热处理，或2小时～4小时的加热温度为160℃～220℃的加热处理。
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公开(公告)号：CN104812944B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201380060497.X
申请日：2013-11-20
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种适于形成细间距的附载体铜箔。本发明的附载体铜箔依序具备载体、剥离层、极薄铜层、及任意的树脂层，并且极薄铜层表面的Rz的平均值是利用接触式粗糙度计依据JIS B0601‑1982进行测定而为1.5μm以下，且Rz的标准偏差为0.1μm以下。
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公开(公告)号：CN104427757B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201410410740.2
申请日：2014-08-20
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
Abstract: 本发明公开了表面处理铜箔、附载体铜箔、积层板、印刷布线板、电子机器、以及印刷布线板的制造方法。本发明的表面处理铜箔是通过粗化处理而在一个铜箔表面及/或两个铜箔表面形成粗化粒子，关于粗化处理表面的所述粗化粒子，长径为100nm以下的粗化粒子每单位面积形成有50个/μm2以上，粗化处理表面的MD的60度光泽度为76～350％，粗化处理表面含有选自由Ni、Co所组成的群中的任一种以上的元素，在粗化处理表面含有Ni的情况下，Ni的附着量为1400μg/dm2以下，在粗化处理表面含有Co的情况下，Co的附着量为2400μg/dm2以下。本发明提供一种与树脂良好地粘接，且通过蚀刻而去除铜箔后的树脂的透明性优异，信号的传输损耗少的表面处理铜箔及使用其的积层板。
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公开(公告)号：CN104120471B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201410171666.3
申请日：2014-04-25
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
Abstract: 本发明提供即便用于高频电路基板也会良好抑制传输损耗且会良好抑制铜箔表面的落粉的发生的高频电路用铜箔。该高频电路用铜箔是在铜箔的表面形成了铜的一次粒子层之后、在该一次粒子层上形成了含有铜、钴及镍的3元系合金的二次粒子层的铜箔，利用激光显微镜测得的粗化处理面的凹凸的高度平均值为1500以上。
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公开(公告)号：CN104220250B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380017079.2
申请日：2013-03-26
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
CPC classification number: H05K1/09 , B32B3/30 , B32B15/01 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B2307/306 , B32B2307/714 , B32B2457/08 , C22C9/00 , C25D1/04 , C25D3/12 , C25D3/38 , C25D5/12 , C25D9/08 , H05K1/0313 , H05K3/022 , H05K3/025 , H05K3/06 , H05K3/181 , H05K3/188 , H05K3/381 , H05K3/383 , H05K3/388 , H05K2201/09009 , Y10T428/12549 , Y10T428/12569 , Y10T428/12611 , Y10T428/12792 , Y10T428/12847 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291
Abstract: 本发明的印刷配线板用铜箔的特征在于：于铜箔的至少一面具有位于粒子长度的10％处的粒子根部的平均直径D1为0.2μm～1.0μm、粒子长度L1与上述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为15以下的铜箔的粗化处理层。本发明的印刷配线板用铜箔的特征在于：于积层具有粗化处理层的印刷配线板用铜箔与树脂之后通过蚀刻去除铜层所得的树脂的表面，具有凹凸的树脂粗化面其孔所占的面积的总和为20％以上。本发明是开发一种不会使铜箔的其它各特性劣化而避免上述电路腐蚀现象的半导体封装基板用铜箔。本发明的课题在于提供一种尤其可改善铜箔的粗化处理层，提高铜箔与树脂的接着强度的印刷配线板用铜箔及其制造方法。
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