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公开(公告)号：CN101326257B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200680046413.7
申请日：2006-12-08
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 本发明公开了一种用于同时抛光阳离子带电材料和阴离子带电材料的辅助剂，为提高对阴离子带电材料的抛光选择性，该辅助剂在阳离子带电材料上形成吸附层，其中，该辅助剂包含含有下述组分的聚电解质盐：(a)重均分子量为2,000～50,000的直链聚电解质与重均分子量为1,000～20,000并包含主链和侧链的接枝型聚电解质的混合物；以及(b)碱性物质。本发明还公开了包含上述辅助剂和磨粒的CMP(化学机械抛光)浆料。与仅使用直链聚电解质的CMP浆料相比，包含直链聚电解质与接枝型聚电解质的混合物的辅助剂，能够提高抛光选择性，并且能够通过控制直链聚电解质与接枝型聚电解质的比例而获得所需范围的抛光选择性。
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公开(公告)号：CN101326256A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200680046228.8
申请日：2006-12-08
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明公开了一种在同时抛光阳离子带电材料和阴离子带电材料时用于控制抛光选择性的辅助剂。本发明还公开了包含上述辅助剂的CMP浆料。所述辅助剂包含：(a)聚电解质，其在阳离子带电材料上形成吸附层，以提高对阴离子带电材料的抛光选择性；(b)碱性物质；和(c)基于氟的化合物。当将根据本发明的用于控制CMP浆料抛光选择性的辅助剂应用于CMP处理过程中时，在抛光处理过程中，可以提高对二氧化硅层的抛光选择性，获得CMP浆料的均匀粒度，稳定在外力下的粘度变化，并使产生的微细刮痕最少化。因此，根据本发明的用于CMP浆料的辅助剂能够提高在超大规模集成半导体制造过程中的可靠性和生产率。
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公开(公告)号：CN101326256B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200680046228.8
申请日：2006-12-08
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明公开了一种在同时抛光阳离子带电材料和阴离子带电材料时用于控制抛光选择性的辅助剂。本发明还公开了包含上述辅助剂的CMP浆料。所述辅助剂包含：(a)聚电解质，其在阳离子带电材料上形成吸附层，以提高对阴离子带电材料的抛光选择性；(b)碱性物质；和(c)基于氟的化合物。当将根据本发明的用于控制CMP浆料抛光选择性的辅助剂应用于CMP处理过程中时，在抛光处理过程中，可以提高对二氧化硅层的抛光选择性，获得CMP浆料的均匀粒度，稳定在外力下的粘度变化，并使产生的微细刮痕最少化。因此，根据本发明的用于CMP浆料的辅助剂能够提高在超大规模集成半导体制造过程中的可靠性和生产率。
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公开(公告)号：CN101326257A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200680046413.7
申请日：2006-12-08
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 本发明公开了一种用于同时抛光阳离子带电材料和阴离子带电材料的辅助剂，为提高对阴离子带电材料的抛光选择性，该辅助剂在阳离子带电材料上形成吸附层，其中，该辅助剂包含含有下述组分的聚电解质盐：(a)重均分子量为2,000～50,000的直链聚电解质与重均分子量为1,000～20,000并包含主链和侧链的接枝型聚电解质的混合物；以及(b)碱性物质。本发明还公开了包含上述辅助剂和磨粒的CMP(化学机械抛光)浆料。与仅使用直链聚电解质的CMP浆料相比，包含直链聚电解质与接枝型聚电解质的混合物的辅助剂，能够提高抛光选择性，并且能够通过控制直链聚电解质与接枝型聚电解质的比例而获得所需范围的抛光选择性。
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