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公开(公告)号：CN103199201B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201310078245.1
申请日：2004-05-19
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H05B33/28 , H01B1/08 , H01L51/0021 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/442 , H01L51/5088 , H01L51/5206 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种氧化铟锡(ITO)膜，其中通过氮与选自包括ITO构成元素In、Sn和O原子的组的至少一种原子反应而制备的含氮化合物，或沉淀的含氮的化合物存在于ITO膜的表面上；本发明还公开了一种制备ITO膜的方法，该方法包括使用氮等离子体处理ITO膜的表面的步骤。使用本发明提供的ITO膜作为阳极的有机电致发光设备显示出低电压、高效率和长寿命。
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公开(公告)号：CN1781342A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200480011315.0
申请日：2004-05-19
Applicant: LG化学株式会社
IPC: H05B33/26
CPC classification number: H05B33/28 , H01B1/08 , H01L51/0021 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/442 , H01L51/5088 , H01L51/5206 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种氧化铟锡(ITO)膜，其中通过氮与选自包括ITO构成元素In、Sn和O原子的组的至少一种原子反应而制备的含氮化合物，或沉淀的含氮的化合物存在于ITO膜的表面上；本发明还公开了一种制备ITO膜的方法，该方法包括使用氮等离子体处理ITO膜的表面的步骤。使用本发明提供的ITO膜作为阳极的有机电致发光设备显示出低电压、高效率和长寿命。
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公开(公告)号：CN103199201A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310078245.1
申请日：2004-05-19
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H05B33/28 , H01B1/08 , H01L51/0021 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/442 , H01L51/5088 , H01L51/5206 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种氧化铟锡(ITO)膜，其中通过氮与选自包括ITO构成元素In、Sn和O原子的组的至少一种原子反应而制备的含氮化合物，或沉淀的含氮的化合物存在于ITO膜的表面上；本发明还公开了一种制备ITO膜的方法，该方法包括使用氮等离子体处理ITO膜的表面的步骤。使用本发明提供的ITO膜作为阳极的有机电致发光设备显示出低电压、高效率和长寿命。
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