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公开(公告)号：CN119452761A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202280097548.5
申请日：2022-06-27
Abstract: 显示装置包括：基板，包括子像素；第一组装配线，在基板上沿一方向配置；第二组装配线，与第一组装配线并排配置；分隔壁，配置于第一组装配线和第二组装配线上，且在子像素中包括第一孔；以及半导体发光器件，位于第一孔。第二组装配线可以包围第一组装配线的一部分区域。第一组装配线的一部分区域和第二组装配线在第一孔的边缘区域具有规定间隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119605339A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202280098477.0
申请日：2022-07-29
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 实施例涉及一种显示像素用半导体发光器件和包括该半导体发光器件的显示装置。实施例的显示像素用半导体发光器件可以包括：发光结构物，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及配置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层；钝化层，配置在所述发光结构物上；以及第二电极层，配置在所述发光结构物的下方。所述发光结构物可以包括其顶面的一部分呈弧形的弧形半导体层。
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公开(公告)号：CN117941082A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202180102337.1
申请日：2021-09-14
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 半导体发光器件包括：发光部；第一电极，位于发光部的下部和侧部上；第二电极，位于发光部的上部上；复数个沟槽，位于发光部的侧部上；以及钝化层，位于发光部的侧部上，钝化层的末端可以位于复数个沟槽中的一个沟槽。
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公开(公告)号：CN113380848A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110086963.8
申请日：2021-01-22
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L27/15 , H01L25/075 , H01L33/62 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及使用半导体发光元件的显示装置及其制造方法，尤其，涉及一种使用几μm至几十μm尺寸的半导体发光元件的显示装置及其制造方法。本发明提供一种显示装置，其特征在于，包括：基底部；复数个晶体管，配置在所述基底部上；复数个半导体发光元件，配置在所述基底部上；复数个配线电极，配置在所述基底部上，与复数个所述晶体管和所述半导体发光元件电连接；分隔壁，配置在所述基底部上，且形成为覆盖复数个所述晶体管；以及连接电极，连接复数个所述晶体管中的一部分晶体管和复数个所述配线电极中的一部分配线电极，所述连接电极形成为贯通所述分隔壁。
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公开(公告)号：CN117941082B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202180102337.1
申请日：2021-09-14
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 半导体发光器件包括：发光部；第一电极，位于发光部的下部和侧部上；第二电极，位于发光部的上部上；复数个沟槽，位于发光部的侧部上；以及钝化层，位于发光部的侧部上，钝化层的末端可以位于复数个沟槽中的一个沟槽。
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公开(公告)号：CN113380848B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202110086963.8
申请日：2021-01-22
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L27/15 , H01L25/075 , H01L33/62 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及使用半导体发光元件的显示装置及其制造方法，尤其，涉及一种使用几μm至几十μm尺寸的半导体发光元件的显示装置及其制造方法。本发明提供一种显示装置，其特征在于，包括：基底部；复数个晶体管，配置在所述基底部上；复数个半导体发光元件，配置在所述基底部上；复数个配线电极，配置在所述基底部上，与复数个所述晶体管和所述半导体发光元件电连接；分隔壁，配置在所述基底部上，且形成为覆盖复数个所述晶体管；以及连接电极，连接复数个所述晶体管中的一部分晶体管和复数个所述配线电极中的一部分配线电极，所述连接电极形成为贯通所述分隔壁。
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