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公开(公告)号：CN114746996B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN201980102394.2
申请日：2019-11-26
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L25/075 , H10H20/01 , H10H20/819 , H10H20/83 , G01R1/067
Abstract: 根据本发明的实施例，其特征在于，包括：(a)将设置有磁体的半导体发光元件投入到流体腔室内的步骤；(b)将沿一方向延伸形成并且包括被绝缘层覆盖的组装电极和使所述组装电极的两端部的一部分露出的开孔的基板向组装位置移送的步骤；(c)对所述半导体发光元件施加磁力，以使投入到所述流体腔室内的所述半导体发光元件沿一方向移动的步骤；以及(d)形成电场，以使移动的所述半导体发光元件安置于所述基板的预先设定的位置的步骤，在所述(d)的步骤中，通过使探针与通过所述开孔露出的所述组装电极接触，对所述组装电极个别施加电压来形成电场。
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公开(公告)号：CN114946024B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202080091850.0
申请日：2020-01-03
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/00 , H01L21/687 , H01L21/677
Abstract: 本发明可以适用在显示器装置相关技术领域，涉及利用例如微型LED(Light Emitting Diode)的显示器的制造装置及其制造方法。这样的本发明作为利用发光元件的显示器装置的制造方法可以包括：配置由一对组装电极来定义个别像素位置的基板的步骤；利用具有电磁铁的磁性吸盘来使包括磁体的发光元件在所述基板上移动的步骤；利用所述磁性吸盘将所述发光元件组装到所述个别像素位置的步骤；以及利用所述磁性吸盘来回收未被组装到所述个别像素位置的剩余发光元件的步骤。
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公开(公告)号：CN118679567A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202280091264.5
申请日：2022-02-21
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L33/40 , H01L27/12
Abstract: 发光器件封装包括具有椭圆形的第一层、位于第一层上的第一半导体发光器件组、位于第一层上的第一电极焊盘组以及位于第一层上的第二电极焊盘组。第一层可以具有包含椭圆形的长轴的第一区域、在椭圆形的长轴的一侧与第一区域相接的第二区域以及在椭圆形的长轴的另一侧与第一区域相接的第三区域。第一半导体发光器件组配置在第一区域并可以包括复数个半导体发光器件。第一电极焊盘组配置在第二区域并可以包括复数个电极焊盘。第二电极焊盘组配置在第三区域并可以包括复数个冗余电极焊盘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113380848B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202110086963.8
申请日：2021-01-22
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L27/15 , H01L25/075 , H01L33/62 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及使用半导体发光元件的显示装置及其制造方法，尤其，涉及一种使用几μm至几十μm尺寸的半导体发光元件的显示装置及其制造方法。本发明提供一种显示装置，其特征在于，包括：基底部；复数个晶体管，配置在所述基底部上；复数个半导体发光元件，配置在所述基底部上；复数个配线电极，配置在所述基底部上，与复数个所述晶体管和所述半导体发光元件电连接；分隔壁，配置在所述基底部上，且形成为覆盖复数个所述晶体管；以及连接电极，连接复数个所述晶体管中的一部分晶体管和复数个所述配线电极中的一部分配线电极，所述连接电极形成为贯通所述分隔壁。
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公开(公告)号：CN114946024A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202080091850.0
申请日：2020-01-03
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/00 , H01L21/687 , H01L21/677
Abstract: 本发明可以适用在显示器装置相关技术领域，涉及利用例如微型LED(Light Emitting Diode)的显示器的制造装置及其制造方法。这样的本发明作为利用发光元件的显示器装置的制造方法可以包括：配置由一对组装电极来定义个别像素位置的基板的步骤；利用具有电磁铁的磁性吸盘来使包括磁体的发光元件在所述基板上移动的步骤；利用所述磁性吸盘将所述发光元件组装到所述个别像素位置的步骤；以及利用所述磁性吸盘来回收未被组装到所述个别像素位置的剩余发光元件的步骤。
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公开(公告)号：CN119768911A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380055274.8
申请日：2023-07-20
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L23/00 , H10H20/825 , H10H20/812 , H10H20/83 , H10H29/30
Abstract: 本发明涉及一种包括半导体发光器件的显示装置。本发明的包括半导体发光器件的显示装置可以包括：彼此隔开的第一组装电极和第二组装电极；电介质层，配置在所述第一组装电极和所述第二组装电极上；绝缘层，具有规定的组装孔，配置在所述电介质层上；半导体发光器件，配置于所述组装孔。所述组装孔的高度可以是4.0μm以上。
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公开(公告)号：CN114746996A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201980102394.2
申请日：2019-11-26
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 根据本发明的实施例，其特征在于，包括：(a)将设置有磁体的半导体发光元件投入到流体腔室内的步骤；(b)将沿一方向延伸形成并且包括被绝缘层覆盖的组装电极和使所述组装电极的两端部的一部分露出的开孔的基板向组装位置移送的步骤；(c)对所述半导体发光元件施加磁力，以使投入到所述流体腔室内的所述半导体发光元件沿一方向移动的步骤；以及(d)形成电场，以使移动的所述半导体发光元件安置于所述基板的预先设定的位置的步骤，在所述(d)的步骤中，通过使探针与通过所述开孔露出的所述组装电极接触，对所述组装电极个别施加电压来形成电场。
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公开(公告)号：CN113380848A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110086963.8
申请日：2021-01-22
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L27/15 , H01L25/075 , H01L33/62 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及使用半导体发光元件的显示装置及其制造方法，尤其，涉及一种使用几μm至几十μm尺寸的半导体发光元件的显示装置及其制造方法。本发明提供一种显示装置，其特征在于，包括：基底部；复数个晶体管，配置在所述基底部上；复数个半导体发光元件，配置在所述基底部上；复数个配线电极，配置在所述基底部上，与复数个所述晶体管和所述半导体发光元件电连接；分隔壁，配置在所述基底部上，且形成为覆盖复数个所述晶体管；以及连接电极，连接复数个所述晶体管中的一部分晶体管和复数个所述配线电极中的一部分配线电极，所述连接电极形成为贯通所述分隔壁。
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