太阳能电池
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102341919A

    公开(公告)日:2012-02-01

    申请号:CN201080010764.9

    申请日:2010-01-11

    Abstract: 本发明讨论了一种太阳能电池。该太阳能电池包含基板、在基板上的第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的至少一个光电转换单元。所述至少一个光电转换单元包含p-型半导体层、本征(i-型)半导体层、n-型半导体层和位于p-型半导体层与i-型半导体层之间的缓冲层。缓冲层的氢含量高于i-型半导体层的氢含量。

    高频感应加热系统
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112913324B

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN201980068379.0

    申请日:2019-05-17

    Abstract: 本发明涉及高频感应加热系统。本发明的实施例的高频感应加热系统具备:第1高频感应加热装置,其具备第1高频感应加热线圈和配置在第1高频感应加热线圈的下部的第1垫片;及第2高频感应加热装置,其具备第2高频感应加热线圈和配置在第2高频感应加热线圈的上部的第2垫片。由此,能够缩短金属和膜的熔接时间并减少气泡的产生。

    太阳能电池
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107039542B

    公开(公告)日:2019-12-24

    申请号:CN201710017356.X

    申请日:2017-01-11

    Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括:晶体半导体基板,该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质;前掺杂层,该前掺杂层被设置在所述半导体基板的前表面上;后掺杂层,该后掺杂层被设置在所述半导体基板的后表面上;前透明导电层,该前透明导电层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度;前收集器电极,该前收集器电极被设置在所述前透明导电层上;后透明导电层,该后透明导电层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度;以及后收集器电极,该后收集器电极被设置在所述后透明导电层下面。所述前透明导电层的所述第一厚度和所述后透明导电层的所述第二厚度彼此不同,并且所述前透明导电层的薄膜电阻小于所述后透明导电层的薄膜电阻。

    太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:CN108074994A

    公开(公告)日:2018-05-25

    申请号:CN201710918980.7

    申请日:2017-09-30

    Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池,该太阳能电池包括:半导体基板;隧穿层,其在半导体基板的表面上;中间层,其在隧穿层上,其中,该中间层包括羟基,即OH基团;第一导电区域,其在所述中间层上,其中,该第一导电区域包括用于提取第一载流子的金属氧化物层;以及第一电极,其电连接至第一导电区域。

    太阳能电池
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107039542A

    公开(公告)日:2017-08-11

    申请号:CN201710017356.X

    申请日:2017-01-11

    Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括:晶体半导体基板,该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质;前掺杂层,该前掺杂层被设置在所述半导体基板的前表面上;后掺杂层,该后掺杂层被设置在所述半导体基板的后表面上;前透明导电层,该前透明导电层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度;前收集器电极,该前收集器电极被设置在所述前透明导电层上;后透明导电层,该后透明导电层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度;以及后收集器电极,该后收集器电极被设置在所述后透明导电层下面。所述前透明导电层的所述第一厚度和所述后透明导电层的所述第二厚度彼此不同,并且所述前透明导电层的薄膜电阻小于所述后透明导电层的薄膜电阻。

    太阳能电池
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106997906A

    公开(公告)日:2017-08-01

    申请号:CN201710024078.0

    申请日:2017-01-13

    Abstract: 公开了一种太阳能电池,所述太阳能电池包括:第一导电类型的晶体半导体基板;前掺杂层,所述前掺杂层在所述半导体基板的前表面上并与所述半导体基板形成异质结;后掺杂层,所述后掺杂层在所述半导体基板的后表面上并与所述半导体基板形成异质结;前透明导电层,所述前透明导电层在所述前掺杂层上;后透明导电层,所述后透明导电层在所述后掺杂层下。所述前掺杂层和所述后掺杂层中的一个具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型,以与所述半导体基板形成p‑n结,而所述前掺杂层和所述后掺杂层中的另一个具有所述第一导电类型。所述前透明导电层的平面面积大于所述后透明导电层的平面面积。

    高频感应加热系统
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112913324A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN201980068379.0

    申请日:2019-05-17

    Abstract: 本发明涉及高频感应加热系统。本发明的实施例的高频感应加热系统具备:第1高频感应加热装置,其具备第1高频感应加热线圈和配置在第1高频感应加热线圈的下部的第1垫片;及第2高频感应加热装置,其具备第2高频感应加热线圈和配置在第2高频感应加热线圈的上部的第2垫片。由此,能够缩短金属和膜的熔接时间并减少气泡的产生。

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