公开(公告)号：CN1213486C

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN02129843.2

申请日：2002-08-15

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 丹羽隆树 ,  岛胁秀德 ,  东晃司 ,  黑泽直人

IPC: H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L29/0821

Abstract: 异质结双极型晶体管具有提高的击穿电压，并抑制IC-VCE特性的增长特性的退化。集电极区域包括半导体第一、第二集电极层。第一集电极层是由掺杂或未掺杂的半导体制成的，与副集电极区域接触。第二集电极层是由掺杂或未掺杂的半导体制成的，具有比第一集电极层窄的带隙，与基极区域接触。第三集电极层具有比第二集电极层高的掺杂浓度，被第一集电极层和第二集电极层夹在当中。

公开(公告)号：CN1433082A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN02129843.2

申请日：2002-08-15

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 丹羽隆树 ,  岛胁秀德 ,  东晃司 ,  黑泽直人

IPC: H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L29/0821

Abstract: 异质结双极型晶体管具有提高的击穿电压，并抑制IC－VCE特性的增长特性的退化。集电极区域包括半导体第一、第二集电极层。第一集电极层是由掺杂或未掺杂的半导体制成的，与副集电极区域接触。第二集电极层是由掺杂或未掺杂的半导体制成的，具有比第一集电极层窄的带隙，与基极区域接触。第三集电极层具有比第二集电极层高的掺杂浓度，被第一集电极层和第二集电极层夹在当中。