公开(公告)号：CN1156014C

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN98100471.7

申请日：1998-02-27

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 近松圣 ,  渡边寿郎 ,  井上寿明 ,  小濑泰

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/04 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括：多个第一场效应晶体管(FET)，其栅极条电极形成于半导体衬底主表面上，其漏极和源极形成于栅极条电极两侧的区域；多个第二FET，其栅极条电极形成于半导体衬底的主表面上，其漏极和源极形成于栅极条电极两侧的区域；穿过成对FET之间区域的半导体衬底的主表面和背面的导电层。

公开(公告)号：CN1123933C

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN98100463.6

申请日：1998-02-27

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 近松圣 ,  渡边寿郎 ,  井上寿明 ,  小濑泰

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L29/812

Abstract: 一种半导体器件，多个晶体管单元平行设置在半导体衬底(1)的主表面上。每个晶体管单元包括：成列设置的多个基本单元(20)，每个基本单元(20)包含形成在半导体衬底主表面上的栅极(8a)、形成在栅极两侧的漏极(1g)和源极(1e)；沿着基本单元一侧形成且与基本单元的各个漏极相连的漏引线电极(12)；沿着基本单元另一侧形成且与基本单元的各个栅极相连的栅引线电极(8)；形成在漏引线电极一端上的漏极焊盘(21)；在栅引线电极的一端上与漏极焊盘相反的一侧形成的栅极焊盘(22)；与漏引线电极和栅引线电极不交叉，通过源极接触(1d)与源极(1e)接触的源电极(2)；其中相邻晶体管单元的任一个漏引线电极和栅引线电极彼此靠近设置。