公开(公告)号：CN1697271A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510068811.6

申请日：2005-05-11

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 奥田哲朗

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/227 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2223 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3235 ,  H01S5/34306

Abstract: 提供了一种半导体激光器，包括：n－InP衬底(1)；在n－InP衬底(1)上包括应变MQW有源层(6)的多层膜；在多层膜上的p－电极(18)；在p－电极(18)的两边分隔开多层膜并延伸到n－InP衬底(1)的一对沟槽(15)；以及在衍射光栅形成面中从该对沟槽(15)中的一个到另一个的区域中形成的多个衍射光栅，该衍射光栅形成面形成在n－InP衬底(1)的上表面中或多层膜中的任一半导体膜的上表面中。