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发明公开
异质结场效应型半导体器件及其制造方法无效

公开(公告)号：CN1507074A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310117987.7

申请日：2003-11-26

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 尾藤康则

IPC: H01L29/80 , H01L21/337

CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/0843 , H01L29/7783

Abstract: 在异质结场效应型半导体器件中，沟道层(5，5)形成在GaAs衬底(1)上，不包含铝的第一半导体层形成在沟道层(9，9)上。第一导电类型的第一和第二帽盖层(11，11’，11’a，11’b)形成在所述第一半导体层上，在第一半导体层上产生沟槽(11a)。第一和第二欧姆电极(14S，14D)分别形成在所述第一和第二帽盖层上。第二导电类型的第二半导体层(15，15’，15”)形成在沟槽内的第一半导体层上，第二半导体层与第一和第二帽盖层隔开。栅电极(13)形成在第二半导体层上。

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